公开(公告)号：CN110612328A

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201880031076.7

申请日：2018-05-10

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 古川直树 ,  永井晃 ,  森本刚 ,  木泽桂子 ,  松原望

IPC: C08L33/06 ,  C08F220/18 ,  C08F220/26 ,  C08G18/62 ,  C08G59/20 ,  C09K5/06

Abstract: 本发明的一个方面为一种树脂组合物，其含有丙烯酸树脂和固化剂，丙烯酸树脂是使包含第一单体和第二单体的单体成分聚合而成的树脂，所述第一单体由下述式(1)表示，所述第二单体能够与第一单体共聚，且具有能够与固化剂反应的反应性基团。[式中，R1表示氢原子或甲基，R2表示碳原子数12～30的烷基。][化1]

公开(公告)号：CN105047545B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201510323373.7

申请日：2011-11-15

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 町井洋一 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  冈庭香 ,  岩室光则 ,  足立修一郎 ,  织田明博 ,  佐藤铁也 ,  木泽桂子

IPC: H01L21/225 ,  H01L31/18 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/068 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/186 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其包含以下工序：对半导体基板一个面上的第1区域给予含有包含n型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成n型扩散层的组合物的工序；对位于所述半导体基板的设有所述第1区域的面上且为所述第1区域以外的第2区域给予含有包含p型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成p型扩散层的组合物的工序；对给予了所述用于形成n型扩散层的组合物和用于形成p型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成n型扩散层和p型扩散层的热扩散工序；和在形成了所述n型扩散层的第1区域和形成了p型扩散层的第2区域分别形成电极的工序。

公开(公告)号：CN105551947A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201510917152.2

申请日：2012-07-03

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 佐藤铁也 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  冈庭香 ,  町井洋一 ,  岩室光则 ,  木泽桂子 ,  织田明博 ,  足立修一郎

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  C03C3/097 ,  C03C8/08 ,  C03C8/16 ,  C03C15/00

CPC classification number: H01L21/2225 ,  C03C3/097 ,  C03C8/08 ,  C03C8/16 ,  C03C15/00 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种n型扩散层形成用组合物、n型扩散层的制造方法以及太阳能电池元件的制造方法。本发明提供一种n型扩散层形成用组合物，其包括：含有施主元素且软化温度为500℃以上且900℃以下，平均粒径为5μm以下的玻璃粉末；以及分散介质。

公开(公告)号：CN105139917A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510350967.7

申请日：2011-04-28

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 足立修一郎 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  岩室光则 ,  木泽桂子 ,  青柳拓也 ,  山本浩贵 ,  内藤孝 ,  加藤隆彦

IPC: H01B1/22 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01B1/22 ,  H01L21/76898 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02245 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明提供一种电极用糊剂组合物，其包含含有磷的铜合金粒子、含有锡的粒子、玻璃粒子、溶剂、以及树脂。另外，本发明还提供具有使用该电极用糊剂组合物而形成的电极的太阳能电池元件以及太阳能电池。

公开(公告)号：CN103650111A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280031501.5

申请日：2012-07-03

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 佐藤铁也 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  冈庭香 ,  町井洋一 ,  岩室光则 ,  木泽桂子 ,  织田明博 ,  足立修一郎

IPC: H01L21/225 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/2225 ,  C03C3/097 ,  C03C8/08 ,  C03C8/16 ,  C03C15/00 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种n型扩散层形成用组合物，其包括：含有施主元素且软化温度为500℃以上且900℃以下，平均粒径为5μm以下的玻璃粉末；以及分散介质。

公开(公告)号：CN103299400A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201280005186.9

申请日：2012-01-11

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 织田明博 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  町井洋一 ,  岩室光则 ,  木泽桂子 ,  足立修一郎 ,  佐藤铁也

IPC: H01L21/225 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/228 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供含有氮化硼、分散介质和无机粘结剂的p型扩散层形成用组合物、具有p型扩散层的硅基板的制造方法、太阳能电池元件的制造方法以及太阳能电池。

公开(公告)号：CN103155166A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201180048985.X

申请日：2011-11-15

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 町井洋一 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  冈庭香 ,  岩室光则 ,  足立修一郎 ,  织田明博 ,  佐藤铁也 ,  木泽桂子

IPC: H01L31/04 ,  H01L21/225

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其具有以下工序：对半导体基板的一个面上的部分区域给予含有含n型杂质的玻璃粉末及分散介质的第一用于形成n型扩散层的组合物的工序；对上述半导体基板的给予上述第一用于形成n型扩散层的组合物的面上的、至少上述部分区域以外的区域，给予含有含n型杂质的玻璃粉末及分散介质、且n型杂质浓度比上述第一用于形成n型扩散层的组合物低的第二用于形成n型扩散层的组合物的工序；以及对给予了上述第一用于形成n型扩散层的组合物及第二用于形成n型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成n型扩散层的工序；在上述部分区域上形成电极的工序。