公开(公告)号：CN105518828A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201480047084.2

申请日：2014-08-20

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 佐藤铁也 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  芦泽寅之助 ,  町井洋一 ,  岩室光则 ,  织田明博 ,  清水麻理 ,  佐藤英一

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种n型扩散层形成组合物、使用该n型扩散层形成组合物的n型扩散层的形成方法、带n型扩散层的半导体基板的制造方法以及太阳能电池元件的制造方法，所述n型扩散层形成组合物含有包含施主元素的玻璃粒子、分散介质和有机金属化合物。

公开(公告)号：CN105489662A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201510849338.9

申请日：2012-07-17

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 町井洋一 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  岩室光则 ,  织田明博 ,  足立修一郎 ,  佐藤铁也

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01L21/22 ,  H01L21/225

CPC classification number: H01L21/2255 ,  H01L21/2225 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种n型扩散层形成用组合物，其包括：含有P2O5、SiO2及CaO的玻璃粉末，以及分散介质。通过将该n型扩散层形成用组合物涂布于半导体基板上并实施热扩散处理，从而制造n型扩散层、及具有n型扩散层的太阳能电池元件。

公开(公告)号：CN105448677A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510959055.X

申请日：2012-07-24

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 佐藤铁也 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  町井洋一 ,  岩室光则 ,  织田明博

IPC: H01L21/225 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02363 ,  H01L21/2255 ,  H01L29/36 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种半导体基板，其具有半导体层和杂质扩散层，所述杂质扩散层含有：选自K、Na、Li、Ba、Sr、Ca、Mg、Be、Zn、Pb、Cd、V、Sn、Zr、Mo、La、Nb、Ta、Y、Ti、Zr、Ge、Te及Lu中的至少一种金属原子；以及选自n型杂质原子及p型杂质原子中的至少一种杂质原子。

公开(公告)号：CN105047545A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510323373.7

申请日：2011-11-15

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 町井洋一 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  冈庭香 ,  岩室光则 ,  足立修一郎 ,  织田明博 ,  佐藤铁也 ,  木泽桂子

IPC: H01L21/225 ,  H01L31/18 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/068 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/186 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其包含以下工序：对半导体基板一个面上的第1区域给予含有包含n型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成n型扩散层的组合物的工序；对位于所述半导体基板的设有所述第1区域的面上且为所述第1区域以外的第2区域给予含有包含p型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成p型扩散层的组合物的工序；对给予了所述用于形成n型扩散层的组合物和用于形成p型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成n型扩散层和p型扩散层的热扩散工序；和在形成了所述n型扩散层的第1区域和形成了p型扩散层的第2区域分别形成电极的工序。

公开(公告)号：CN104081499A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201380005051.7

申请日：2013-01-10

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 织田明博 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  町井洋一 ,  岩室光则 ,  清水麻理 ,  佐藤铁也 ,  芦泽寅之助

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/2225 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种n型扩散层形成用组合物，其含有：含施主元素化合物；金属化合物，其是与上述含施主元素化合物不同的化合物，且含有选自碱土金属及碱金属中的至少1种金属元素；和分散介质。此外，本发明还提供一种带n型扩散层的半导体基板的制造方法，其在半导体基板上赋予上述n型扩散层形成用组合物而形成组合物层，并且对形成有上述组合物层的半导体基板实施热处理，从而制造带n型扩散层的半导体基板。

公开(公告)号：CN101836268B

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN200880112547.3

申请日：2008-10-20

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 中子伟夫 ,  山本和德 ,  町井洋一 ,  神代恭 ,  横泽舜哉 ,  江尻芳则 ,  增田克之

IPC: H01B13/00 ,  H01B1/00 ,  H01B1/22 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H05K3/10

CPC classification number: H05K3/102 ,  H01B1/026 ,  H01B1/22 ,  H01L21/4867 ,  H01L23/49866 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H05K3/105 ,  H05K2203/0315 ,  H05K2203/1131 ,  H05K2203/1157 ,  Y10T428/12181 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种低电阻的铜配线图案形成方法以及用于其中的氧化铜粒子分散液，其在几乎不使用铜粒子的耐氧化、分散所必须的表面处理剂的情况下，使用电迁移少、材料自身的单价便宜的铜粒子，能够抑制开裂发生。该铜配线图案形成方法的特征在于，其包含下述工序：使用分散有铜系粒子的分散液在基板上形成任意图案的工序，所述铜系粒子具有氧化铜表面；以及利用原子状氢将所述图案中的铜系粒子表面的氧化铜还原成铜，并使还原而生成的铜金属粒子彼此烧结在一起的工序。

公开(公告)号：CN104137227B

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201380010626.4

申请日：2013-01-10

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 佐藤铁也 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  芦泽寅之助 ,  仓田靖 ,  町井洋一 ,  岩室光则 ,  织田明博 ,  清水麻理

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  C03C8/16 ,  C08L101/00 ,  C09D201/00

CPC classification number: H01L21/2255 ,  C03C3/097 ,  C03C8/08 ,  C03C8/16 ,  C08L1/28 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/324 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供含有包含施主元素的化合物、分散介质和有机填料的n型扩散层形成用组合物、具有n型扩散层的半导体基板的制造方法、以及太阳能电池元件的制造方法。

公开(公告)号：CN105118890B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201510484602.3

申请日：2011-11-15

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 町井洋一 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  冈庭香 ,  岩室光则 ,  足立修一郎 ,  织田明博 ,  佐藤铁也 ,  木泽桂子

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/186 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其具有以下工序：对半导体基板的一个面上的部分区域给予含有含p型杂质的玻璃粉末及分散介质的第一用于形成p型扩散层的组合物的工序；对上述半导体基板的给予了上述第一用于形成p型扩散层的组合物的面上的、至少上述部分区域以外的区域，给予含有含p型杂质的玻璃粉末及分散介质、且p型杂质浓度比上述第一用于形成p型扩散层的组合物低的第二用于形成p型扩散层的组合物的工序；以及对给予了上述第一用于形成p型扩散层的组合物及第二用于形成p型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成p型扩散层的工序；在上述部分区域上形成电极的工序。

公开(公告)号：CN105830200A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201480069124.3

申请日：2014-12-19

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 织田明博 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  芦泽寅之助 ,  町井洋一 ,  岩室光则 ,  佐藤英一 ,  清水麻理 ,  佐藤铁也

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/2255 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/0684 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种具有扩散层的半导体基板的制造方法，具有：对半导体基板的至少一部分分别在不同的区域赋予n型扩散层形成组合物和p型扩散层形成组合物的工序，所述n型扩散层形成组合物含有包含施主元素的玻璃粒子及分散介质，所述p型扩散层形成组合物含有包含受主元素的玻璃粒子及分散介质；和通过进行热处理而形成n型扩散层、并且形成p型扩散层的工序。

公开(公告)号：CN105161404A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510655317.3

申请日：2011-07-14

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 织田明博 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  町井洋一 ,  岩室光则 ,  木泽桂子 ,  足立修一郎 ,  佐藤铁也

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  H01L21/228 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/228 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 含有从氮化硼和碳化硼中选择的至少1种的硼化合物和分散介质而构成p型扩散层形成用组合物。通过将该p型扩散层形成用组合物涂布于半导体基板上，实施热扩散处理，从而制造p型扩散层和具有p型扩散层的太阳能电池元件。