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公开(公告)号：CN1683923A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN200510070123.3
申请日：2001-03-30
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 在一种制造卤素化合物或全氟化碳化合物的设备中，为了将卤素气体和/或氟代烃气体浓度控制在设定在范围内，提供卤素气体和/或氟代烃气体的管理上需要的迅速、容易且精度高的测定方法，加之结构小型化、另外零件交换迅速、容易的测定装置和使用它的制造卤素化合物或全氟化碳化合物的方法。
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公开(公告)号：CN1680231A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN200510051525.9
申请日：2002-07-05
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C19/08 , C07C17/087 , C07C17/00 , C07C17/383
CPC classification number: C07C17/21 , C07C17/206 , C07C17/38 , C07C17/389 , C07C19/08 , C07C21/12 , C07C19/12
Abstract: 使含稳定剂的四氯乙烯与具有平均孔径3.4－11埃的沸石和/或具有平均孔径3.4－11埃的含碳吸附剂在液相中接触以获得高纯四氯乙烯。将卤化链烯烃和/或卤化链烷烃与氟化氢在氟化催化剂存在下反应生产第一种氢氟烃，将卤化链烯烃和/或卤化链烷烃与氟化氢在氟化催化剂存在下反应生产第二种氢氟烃，将这些产品合并，然后蒸馏获得第一和第二种氢氟烃。
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公开(公告)号：CN1213943C
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN01801231.0
申请日：2001-05-11
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C01B21/083
CPC classification number: C01B7/191 , C01B21/0835 , C01C1/162
Abstract: 在稀释气体存在下使F2气体与NH3气体在气相中于80℃或更低的温度下反应，以生产NF3。因此，以良好的安全性、效率和效益生产出NF3。
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公开(公告)号：CN1592798A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN02804007.4
申请日：2002-12-12
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C23C16/44 , B08B5/00 , H01L21/311 , H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/00 , C23C14/56
Abstract: 本发明提供一种用于除去制造半导体或液晶的设备中淀积物的清洁气体，包括含1vol％或更少的氧和/或含氧化合物的氟气。本发明的清洁气体能实现高效的半导体器件的制造工艺，能确保高蚀刻速率、高清洁效率以及优良的性能价格比。
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公开(公告)号：CN1551860A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN03800969.2
申请日：2003-06-30
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C17/389 , C07C19/08
CPC classification number: C07C19/08 , C07C17/10 , C07C17/206 , C07C17/21 , C07C17/389
Abstract: 本发明涉及一种纯化五氟乙烷的方法，包括将含有选自含一个碳原子的含氢氟烃、含一个碳原子的含氢氯氟烃和含一个碳原子的含氢氯烃中的至少一种化合物的粗五氟乙烷与吸附剂接触以降低所述化合物的含量，所述吸附剂包括平均孔径为3－6且硅/铝比为2.0或更低的沸石和/或平均孔径为3.5－6的含碳吸附剂。经纯化的气体可以用作低温制冷剂或蚀刻气体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1520389A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN02802328.5
申请日：2002-07-05
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C07C17/21 , C07C17/206 , C07C17/38 , C07C17/389 , C07C19/08 , C07C21/12 , C07C19/12
Abstract: 使含稳定剂的四氯乙烯与具有平均孔径3.4－11埃的沸石和/或具有平均孔径3.4－11埃的含碳吸附剂在液相中接触以获得高纯四氯乙烯。将卤化链烯烃和/或卤化链烷烃与氟化氢在氟化催化剂存在下反应生产第一种氢氟烃，将卤化链烯烃和/或卤化链烷烃与氟化氢在氟化催化剂存在下反应生产第二种氢氟烃，将这些产品合并，然后蒸馏获得第一和第二种氢氟烃。
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公开(公告)号：CN1464872A
公开(公告)日：2003-12-31
申请号：CN02802579.2
申请日：2002-08-06
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C17/383 , C07C17/20 , C07C17/354 , C07C19/08
CPC classification number: C07C19/08 , B01J23/08 , B01J23/26 , B01J23/44 , B01J37/26 , C07C17/10 , C07C17/206 , C07C17/21 , C07C17/23 , C07C17/395
Abstract: 高纯度六氟乙烷的生产方法，其中让含有六氟乙烷和氯三氟甲烷的混合气体与氟化氢在气相中于氟化催化剂的存在下在200－450℃下反应，以使氯三氟甲烷氟化；或者让含有1－3碳原子氯化合物的五氟乙烷与氢在气相中于氢化催化剂的存在下在150－400℃下反应，然后此产物与氟在气相中于稀释气的存在下反应。
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公开(公告)号：CN1457332A
公开(公告)日：2003-11-19
申请号：CN02800404.3
申请日：2002-02-21
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C23G5/02803 , C07C17/10 , C07C17/21 , H01L21/31116 , H01L21/32136 , C07C19/08
Abstract: 本发明生产全氟化碳方法的特征在于，在通过有机化合物与氟气接触生产全氟化碳的过程中，有机化合物与氟气在200－500℃温度范围内接触，同时反应体系内的氧气含量被控制在基于反应原料中气体成分的2％(体积)或更低，因而生产出降低了杂质含量的全氟化碳。根据本发明生产全氟化碳的方法，可以得到极度抑制了例如含氧化合物等杂质产生的高纯度全氟化碳。通过本发明方法获得的全氟化碳基本不含有含氧化合物，因此可以在半导体装置生产方法中有效地用作蚀刻或清洁气体。
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公开(公告)号：CN1090162C
公开(公告)日：2002-09-04
申请号：CN97102131.7
申请日：1997-01-15
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C07C19/08 , C07C17/10 , C07C17/269
Abstract: 生产全氟化碳的方法，包括使氢氟化碳与氟气在汽相中、在较高的反应温度下在第一反应区中接触获得气态反应混合物的步骤；和将气态反应混合物作为稀释气体引入第二反应区中和将其在该区中于较高的反应温度下与必要时与氟气一起送入第二反应区的氢氟化碳接触的步骤，送入第二反应区的氢氟化碳与在第一反应区中的氢氟化碳不同。
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公开(公告)号：CN1330267A
公开(公告)日：2002-01-09
申请号：CN01121898.3
申请日：2001-03-30
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 在一种制造卤素化合物或全氟化碳化合物的设备中,为了将卤素气体和/或氟代烃气体浓度控制在设定在范围内,提供卤素气体和/或氟代烃气体的管理上需要的迅速、容易且精度高的测定方法,加之结构小型化、另外零件交换迅速、容易的测定装置和使用它的制造卤素化合物或全氟化碳化合物的方法。
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