公开(公告)号：CN1293425A

公开(公告)日：2001-05-02

申请号：CN00109578.1

申请日：1995-12-06

Applicant: 普林斯顿大学理事会

Inventor： 琳达·S·萨波切克 ,  史蒂芬·R·福里斯特 ,  保罗·E·伯罗斯 ,  丹尼斯·M·麦克卡蒂 ,  马克·E·汤普森

IPC: G09F9/30 ,  H05B33/14 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L24/82 ,  C09K11/06 ,  H01L27/156 ,  H01L27/3209 ,  H01L51/0034 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0042 ,  H01L51/005 ,  H01L51/0051 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/008 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/0084 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5036 ,  H01L51/5048 ,  H01L51/5234 ,  H01L2251/5323 ,  H01L2924/12033 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31678 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种多色显示器,包含:多个以纵横排列的多色有机发光装置像素结构,以提供具有每个像素结构的显示表面,其至少由一个多色有机发光装置结构组成,其中每一装置结构包含相互堆积的第一、第二和第三发光装置(OLED)以形成一个层压结构,每一个OLED被透明的导电层分隔开,藉此所说的显示器可经所说的导电层施加偏压以使所说的多色有机发光装置发光。

公开(公告)号：CN101803055B

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN200880025164.2

申请日：2008-07-16

Applicant: 密歇根大学董事会 ,  普林斯顿大学理事会

Inventor： 杨帆 ,  史蒂芬·R·福里斯特

IPC: H01L51/42

CPC classification number: H01L51/4246 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/302 ,  H01L51/0008 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/4253 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明提供光电子器件和制造光敏光电子器件的方法，所述方法包括：在第一电极上淀积第一有机半导体材料以形成连续的第一层；在所述第一层上淀积第二有机半导体材料层以形成不连续的第二层，所述第一层的部分保持暴露；且在所述第二层上淀积所述第一有机半导体材料以形成不连续的第三层，至少所述第二层的部分保持暴露。将淀积所述第一和第二有机半导体材料交替多次，直至添加所述第二有机材料的最终层以形成连续层。在该最终层上淀积第二电极。所述第一电极和所述第二电极中的一个是透明的，并且所述第一有机半导体材料相对于所述第二有机半导体材料，是一种或多种施主型材料或一种或多种受主型材料，所述第二有机半导体材料为一种或多种其他材料类型的材料。

公开(公告)号：CN101803055A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880025164.2

申请日：2008-07-16

Applicant: 密歇根大学董事会 ,  普林斯顿大学理事会

Inventor： 杨帆 ,  史蒂芬·R·福里斯特

IPC: H01L51/42

CPC classification number: H01L51/4246 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/302 ,  H01L51/0008 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/4253 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明提供光电子器件和制造光敏光电子器件的方法，所述方法包括：在第一电极上淀积第一有机半导体材料以形成连续的第一层；在所述第一层上淀积第二有机半导体材料层以形成不连续的第二层，所述第一层的部分保持暴露；且在所述第二层上淀积所述第一有机半导体材料以形成不连续的第三层，至少所述第二层的部分保持暴露。将淀积所述第一和第二有机半导体材料交替多次，直至添加所述第二有机材料的最终层以形成连续层。在该最终层上淀积第二电极。所述第一电极和所述第二电极中的一个是透明的，并且所述第一有机半导体材料相对于所述第二有机半导体材料，是一种或多种施主型材料或一种或多种受主型材料，所述第二有机半导体材料为一种或多种其他材料类型的材料。

公开(公告)号：CN101548407A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200780032808.6

申请日：2007-07-10

Applicant: 普林斯顿大学理事会 ,  密歇根大学董事会

Inventor： 杨帆 ,  史蒂芬·R·福里斯特

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01L51/4246 ,  H01L51/0008 ,  H01L51/4253 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种光电器件和制造光敏光电器件的方法，包括：将第一有机半导体材料淀积在第一电极上，以形成具有突起的连续的第一层，与第一电极相对立的第一层的一侧具有比下面的横向横截面面积大至少三倍的表面面积；将第二有机半导体材料直接淀积在第一层上以形成不连续的第二层，部分第一层保持暴露；将第三有机半导体材料直接淀积在第二层上以形成不连续的第三层，至少部分第二层保持暴露；将第四有机半导体材料淀积在第三层上以形成连续的第四层，填充第一、第二和第三层中任何暴露的间隙和凹处；以及在第四层上淀积第二电极，其中第一电极和第二电极中的至少一个是透明的，并且第一和第三有机半导体材料相对于是施主类型或受主类型的第二和第四有机半导体材料是另一材料类型。

公开(公告)号：CN101375425A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200680052810.5

申请日：2006-12-07

Applicant: 普林斯顿大学理事会

Inventor： 史蒂芬·R·福里斯特

IPC: H01L51/42

CPC classification number: H01L51/426 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/127 ,  H01L51/424 ,  Y02E10/549

Abstract: 多个量子点，每个量子点具有外壳。将所述量子点嵌入在有机基质中。至少所述量子点和所述有机基质是光导半导体。将每个量子点的所述外壳设置为隧穿势垒，以要求在所述有机基质中的所述隧穿势垒基部处的电荷载流子(电子或空穴)执行量子机械隧穿，从而到达所述各个量子点。每个量子点中的第一量子态在所述有机基质的最低未占分子轨道(LUMO)和最高占据分子轨道(HOMO)之间。所述多个量子点的所述第一量子态的波函数可以重叠以形成中能带。

公开(公告)号：CN101288188A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200680038347.9

申请日：2006-08-17

Applicant: 普林斯顿大学理事会

Inventor： 史蒂芬·R·福里斯特

IPC: H01L51/42

CPC classification number: H01L51/4253 ,  H01L51/0064 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/008 ,  H01L51/424 ,  Y02E10/549

Abstract: 一种光敏性装置，包括形成在阳极和阴极之间电连接的施主－受主异质结的第一有机材料和第二有机材料，其中所述第一和第二有机材料各自具有小于0.5eV的Franck－Condon位移。优选地，所述第一有机材料和第二有机材料中的一种或两种具有小于0.2eV、或更好地小于0.1eV的Franck－Condon位移。