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公开(公告)号：CN101288188B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200680038347.9
申请日：2006-08-17
Applicant: 普林斯顿大学理事会
Inventor： 史蒂芬·R·福里斯特
IPC: H01L51/42
CPC classification number: H01L51/4253 , H01L51/0064 , H01L51/0071 , H01L51/0073 , H01L51/008 , H01L51/424 , Y02E10/549
Abstract: 一种光敏性装置，包括形成在阳极和阴极之间电连接的施主-受主异质结的第一有机材料和第二有机材料，其中所述第一和第二有机材料各自具有小于0.5eV的Franck-Condon位移。优选地，所述第一有机材料和第二有机材料中的一种或两种具有小于0.2eV、或更好地小于0.1eV的Franck-Condon位移。
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公开(公告)号：CN101933153A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200880111194.5
申请日：2008-10-09
Inventor： 史蒂芬·R·福里斯特 , 韦国丹 , 徐崑庭
IPC: H01L31/0352 , H01L31/072 , H01L31/18
CPC classification number: B82Y30/00 , H01L31/03046 , H01L31/035281 , H01L31/0735 , Y02E10/544 , Y10S977/932 , Y10S977/948
Abstract: 一种器件包括半导体材料的多个栅栏层以及第二半导体材料的量子点的多个交替层，第二半导体材料嵌入在第三半导体材料之间并且与第三半导体材料直接接触，所述多个交替层被设置在p型和n型半导体材料之间的堆叠中。第二半导体材料的每个量子点和第三半导体材料形成具有II型带对准的异质结。还提供了用于制造该器件的方法。
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公开(公告)号：CN101652876A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200780050192.5
申请日：2007-11-13
Inventor： 史蒂芬·R·福里斯特 , 杨帆
IPC: H01L51/42
Abstract: 一种具有改善的杂化平面块体异质结的光敏光电子器件，包括布置在阳极(120)和阴极(170)之间的多种光电导材料(950)。光电导材料(950)包括施体材料的第一连续层(152)和受体材料的第二连续层(154)。施体材料的第一网络(953c)从第一连续层(152)朝向第二连续层(154)延伸，提供了将空穴传导到第一连续层(152)的连续路径。受体材料的第二网络(953b)从第二连续层(154)朝向第一连续层(152)延伸，提供了将电子传导到第二连续层(154)的连续路径。第一网络(953c)和第二网络(953b)相互交错。至少一种其他光电导材料(953a、953d)散布在交错的网络之间。该其他的光电导材料(953a、953d)具有与施体和受体材料不同的吸收光谱。
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公开(公告)号：CN1170383A
公开(公告)日：1998-01-14
申请号：CN95196807.6
申请日：1995-12-06
Applicant: 普林斯顿大学理事会
Inventor： 琳达·S·萨波切克 , 史蒂芬·R·福里斯特 , 保罗·E·伯罗斯 , 丹尼斯·M·麦克卡蒂 , 马克·E·汤普森
CPC classification number: H01L24/82 , C09K11/06 , H01L27/156 , H01L27/3209 , H01L51/0034 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0038 , H01L51/0042 , H01L51/005 , H01L51/0051 , H01L51/0059 , H01L51/0077 , H01L51/008 , H01L51/0081 , H01L51/0084 , H01L51/5012 , H01L51/5036 , H01L51/5048 , H01L51/5234 , H01L2251/5323 , H01L2924/12033 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , Y10T428/26 , Y10T428/265 , Y10T428/31678 , H01L2924/00
Abstract: 一种多色有机发光装置(29)采用纵向堆积的由有机化合物构成的双异结构装置层。纵向堆积的结构是在由具有透明ITO涂层(35)的玻璃基(37)或类似的金属上形成的。纵向堆积的三个LED双异结构装置(20,21,22)结构每一个均采用适宜的有机材料构造,通过电池(30,31,32)施加向上的偏压,其中来自这些电池的电流进入阳极端(40,41,42)并最终流至阴极端(43)。结果,光从每一个LED(20,21,22)发出。进行堆积时应使具有最长波长的双异结构在堆积体的顶部。这构成了发射红光的装置在顶部,而发射蓝光具有最短波长的装置在底部,而发射绿光的装置在堆积体的中部。顶部金属层(26I)为透明的,随之为金属接点层(26M),这两层构成层(26)。每一层(26)与相邻的层(26)被有机EL层(20E,21E,22E)和空穴迁移层(20T和22H)分开。
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公开(公告)号：CN101313424B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200680043977.5
申请日：2006-09-29
Applicant: 普林斯顿大学理事会
Inventor： 隆达·F·萨尔兹曼 , 史蒂芬·R·福里斯特
IPC: H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0025 , H01L51/0053 , H01L51/0078 , H01L51/424 , H01L51/4246 , H01L51/4253 , Y02E10/549 , Y10T436/25
Abstract: 一种纯化小分子有机材料的方法，进行以有机小分子材料的第一样品开始的一系列操作。第一步(904)是通过热梯度升华来纯化有机小分子材料。第二步(908)是通过光谱检测得自被纯化的有机小分子材料的至少一个样品的纯度。如果光谱测试显示出任何峰超过目标有机小分子的特征峰幅度的阈百分率，则第三步(910)将对被纯化的小分子材料重复第一至第三步。这些步骤至少进行两次。阈百分率为至多10％。优选阈百分率为5％，并且更优选为2％。阈百分率可基于在完成的装置中达到目标性能特征的先前样品的光谱来选择。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101390229B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200680037739.3
申请日：2006-08-02
Applicant: 普林斯顿大学理事会
Inventor： 史蒂芬·R·福里斯特 , 薛剑耿
IPC: H01L51/44
CPC classification number: H01L51/441 , H01L27/301 , H01L51/424 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 一种降低光敏性装置的串联电阻的方法，包括：提供布置在透明基底上的第一导电材料的透明膜；在第一导电材料上沉积并图案化掩模，使得在掩模中的开孔具有其狭窄部分靠近基底的倾斜侧面；将第二导电材料直接沉积到在掩模的开孔中暴露的第一导电材料上，至少部分地填充开孔；剥去掩模，留下由在掩模开孔中的沉积物形成的第二导电材料的凹入结构；剥去掩模之后，将第一有机材料沉积到凹入结构之间的第一导电材料上；和在凹入结构之间沉积的第一有机材料上定向地沉积第三导电材料，凹入结构的边缘对齐沉积，从而第三导电材料不直接接触第一导电材料且不直接接触第二导电材料。
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公开(公告)号：CN101375407B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200680052816.2
申请日：2006-12-07
Applicant: 普林斯顿大学理事会
Inventor： 史蒂芬·R·福里斯特
IPC: H01L31/0352
CPC classification number: H01L31/09 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , B82Y20/00 , H01L31/035236 , H01L31/18
Abstract: 多个量子点包括第一无机材料，每个量子点由第二无机材料覆盖。所述被覆盖的量子点处于第三无机材料的基质中。至少所述第一和第三材料是光导半导体。将所述第二材料设置为隧穿势垒，以要求所述第三材料中的隧穿势垒基部处的电荷载流子(电子或空穴)执行量子机械隧穿，从而到达各个覆盖量子点内的所述第一材料。每个量子点中的第一量子态位于在其中嵌入覆盖量子点的所述第三材料的导带边缘和价带边缘之间。所述多个量子点的第一量子态的波函数可以重叠形成中能带。
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公开(公告)号：CN101622718A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200780042145.6
申请日：2007-11-06
Inventor： 史蒂芬·R·福里斯特 , 韦国丹
IPC: H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/035236 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , B82Y20/00 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 在第一电极与第二电极之间的堆叠中设置的多个第一半导体材料层和多个多点型围栏势垒。每个多点型围栏势垒基本由第二半导体材料的多个量子点构成，该第二半导体材料嵌入在两个第三半导体材料层之间并且与该两个第三半导体材料层直接接触。量子点的波函数重叠为至少一个中间带。第三半导体材料层布置成隧穿势垒，以要求第一材料层中的第一电子和/或第一空穴执行量子力学隧穿，以达到在相应的量子点内的第二材料，并且要求第一半导体材料层中的第二电子和/或第二空穴执行量子力学隧穿，以达到另一第一半导体材料层。
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公开(公告)号：CN1291068A
公开(公告)日：2001-04-11
申请号：CN00109579.X
申请日：1995-12-06
Applicant: 普林斯顿大学理事会
Inventor： 琳达·S·萨波切克 , 史蒂芬·R·福里斯特 , 保罗·E·伯罗斯 , 丹尼斯·M·麦克卡蒂 , 马克·E·汤普森
CPC classification number: H01L24/82 , C09K11/06 , H01L27/156 , H01L27/3209 , H01L51/0034 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0038 , H01L51/0042 , H01L51/005 , H01L51/0051 , H01L51/0059 , H01L51/0077 , H01L51/008 , H01L51/0081 , H01L51/0084 , H01L51/5012 , H01L51/5036 , H01L51/5048 , H01L51/5234 , H01L2251/5323 , H01L2924/12033 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , Y10T428/26 , Y10T428/265 , Y10T428/31678 , H01L2924/00
Abstract: 一种透明的可赋能的发光装置(OLED),包含:一发射层,空穴迁移层和电子迁移层;所说的发射层设置在所说空穴迁移层与电子迁移层之间;基本上透明的第一导电材料层,第二导电材料层,所说的第一层在所说的空穴迁移层上面,所说的第二层在所说的电子迁移层上面。
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公开(公告)号：CN101622718B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200780042145.6
申请日：2007-11-06
Inventor： 史蒂芬·R·福里斯特 , 韦国丹
IPC: H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/035236 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , B82Y20/00 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 在第一电极与第二电极之间的堆叠中设置的多个第一半导体材料层和多个多点型围栏势垒。每个多点型围栏势垒基本由第二半导体材料的多个量子点构成，该第二半导体材料嵌入在两个第三半导体材料层之间并且与该两个第三半导体材料层直接接触。量子点的波函数重叠为至少一个中间带。第三半导体材料层布置成隧穿势垒，以要求第一材料层中的第一电子和/或第一空穴执行量子力学隧穿，以达到在相应的量子点内的第二材料，并且要求第一半导体材料层中的第二电子和/或第二空穴执行量子力学隧穿，以达到另一第一半导体材料层。
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