-
公开(公告)号:CN101128934A
公开(公告)日:2008-02-20
申请号:CN200580048679.0
申请日:2005-07-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H04N5/374 , H01L27/14609 , H01L27/1463 , H01L27/14634 , H04N5/3597 , H04N5/363
Abstract: 提供一种固体摄像器件及其驱动方法,通过在长秒摄影模式的曝光期间(长秒存储期间)内,向形成有光电变换部(2)和漏极区(4)的阱(5)施加与作为周边电路的基准电压的第一基准电压Vss1(接地电压)不同的第二基准电压Vss2,抑制栅电极(6)下的阱(5)表面处的暗电子发生。第二基准电压Vss2的极性是,当阱(5)的导电型为P型时是正的、为N型时是负的。
-
公开(公告)号:CN101102420A
公开(公告)日:2008-01-09
申请号:CN200710091777.3
申请日:2007-04-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H04N5/335 , H01L27/146
CPC classification number: H04N5/335 , H03F3/082 , H03F2200/498 , H03F2200/75 , H04N5/378
Abstract: 本发明提供一种有效地抑制了条纹产生的固体摄像装置以及摄像装置。固体摄像装置,包括:进行光电变换的像素呈矩阵状配置而成的像素阵列、和放大从各像素输出的图像信号的列放大器部(7)。列放大器部(7),由在每列上设置的放大器(8)构成,且连接在电源电压供给部及接地上。从放大器(8)来看,电源一侧阻抗比接地一侧阻抗大。
-
公开(公告)号:CN101099380A
公开(公告)日:2008-01-02
申请号:CN200580046038.1
申请日:2005-12-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H04N5/335 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14601 , H01L27/14806 , H04N5/35581 , H04N5/374
Abstract: 提供一种高动态范围的固体摄像装置,该固体摄像装置包括:多个单位像素(500),把光转换为信号电荷后存储,排列成矩阵状,输出对应信号电荷的信号电压;使单位像素(500)存储信号电荷的存储期间设定为不同的期间即第1期间及第2期间的行选择电路以及读出晶体管(502);选择行的行选择电路(110)及垂直选择晶体管(505);与每列的单位像素(500)相连接的采样电容(210a)、(210b);以及从采样电容(210a)、(210b)选择任意采样电容的脉冲发生电路(220)及采样晶体管(200a)、(200b);脉冲发生电路(220)及采样晶体管(200a)、(200b)进行选择,使与上述第1期间及第2期间存储的信号电荷相对应的放大信号,分别存储到采样电容(210a)及采样电容(210b)。
-
公开(公告)号:CN1812113A
公开(公告)日:2006-08-02
申请号:CN200510129674.2
申请日:2005-12-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14614 , H01L27/1463 , H01L27/14689
Abstract: 一种固体摄像装置,在检测电容部(104)和周围的晶体管的电容中,最大的电容是复位晶体管的电容。为了减小该电容,有效的方法是减小复位晶体管的沟道宽度,在复位晶体管的沟道、有源区和元件隔离区的边界线(100)附近,分布有提供极性与沟道相反的载流子的离子种(111),从而能够减小有效沟道宽度。
-
公开(公告)号:CN1684503A
公开(公告)日:2005-10-19
申请号:CN200510064165.6
申请日:2005-04-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H04N5/235 , H04N5/3598
Abstract: 一种摄像装置包括:在其中排列有多个用于产生复位和读电压的单位单元的摄像单元1;用于为各个单位单元,产生与复位和读电压之间的电压差对应的差动电压的噪声消除单元6;以及分别用于输出读和差动电压到信号处理设备的输出单元5和7。信号处理设备包括:用于判断每个读电压是否在预定范围内的判断单元8;和系统输出单元9,用于为其电压被判断为在预定范围内的单位单元输出对应的差动电压作为单位单元的亮度信息;为其电压被判断为不在预定范围内的单位单元输出表示高亮度的预定电压作为单位单元的亮度信息。
-
公开(公告)号:CN1527393B
公开(公告)日:2010-12-08
申请号:CN200410005238.X
申请日:2004-02-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14603 , H01L27/14636 , H04N5/341 , H04N5/3575 , H04N5/3741
Abstract: 在每个光敏单元中,光电二极管101、传输门102、浮置扩散层部分103、放大器晶体管104和复位晶体管105被形成在由器件隔离区包围的一个有源区中。包含于一个光敏单元中的浮置扩散层部分103不连接此光敏单元中包括的放大器晶体管104,而是连接到与该一个光敏单元在列方向相邻的另一光敏单元中包括的放大器晶体管104的栅极。多晶硅布线111连接设置在相同行的传输门102,多晶硅布线112连接设置在相同行的复位晶体管105。为了在行方向连接,只使用多晶硅布线。
-
公开(公告)号:CN1910910B
公开(公告)日:2010-09-08
申请号:CN200580002331.8
申请日:2005-01-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H04N5/335 , H01L27/146
Abstract: 一种固体摄像器件(110),其包括:多个像素部(10),包含将入射光变换为电荷的光电变换单元(光电二极管PD)、和将电荷变换为电压并输出的放大单元(放大器Q13),二维排列;多个噪声信号除去单元(噪声消除部40),为每列而设,除去来自属于该列的像素部(10)的放大器(Q13)的输出电压中包含的噪声;以及多个列放大单元(列放大器70),放大来自像素部(10)的放大器(Q13)的输出电压,将放大过的电压输出到噪声消除部(40);能够以低功耗来提高灵敏度和降低噪声。
-
公开(公告)号:CN101371360A
公开(公告)日:2009-02-18
申请号:CN200680052733.3
申请日:2006-06-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G02B5/28 , G02B3/0043 , G02B5/201 , G02B5/282 , H01L27/14621 , H01L27/14627
Abstract: 本发明公开了一种固态成像装置及照相机。波长分离滤光器206由在多层干涉滤光器301上顺次层叠的λ/4多层膜302至304构成。多层干涉滤光器301由两个λ/4多层膜和夹在其间的介电层构成。而且,多层干涉滤光器301由分别透射蓝光、绿光和红光的部分301B、301G、301R构成。多层干涉滤光器301波长分离可见光。λ/4多层膜302至304反射具有在分别具有800nm、900nm和1000nm的设定波长的波长范围内的波长的光。换句话说,λ/4多层膜302至304反射近红外光。
-
公开(公告)号:CN100461434C
公开(公告)日:2009-02-11
申请号:CN200410005888.4
申请日:2004-02-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/14601 , H01L27/14806 , H01L27/14843
Abstract: 提供一种即使电源电压低、也可以完全传输光电二极管中存储的信号电荷的固体摄像装置。固体摄像装置,包括:配置在半导体基片上的多个像素单元;以及,为驱动各像素单元而设置的驱动单元;其中的各像素单元(13)包括:把入射光转换成信号电荷而存储的光电二极管(5);为读取光电二极管(5)中存储的信号电荷而设置的传输晶体管(6);以及,为使从光电二极管(5)到传输晶体管(6)为止的电位平滑变化而形成的电位平滑化层(1)。
-
公开(公告)号:CN100440519C
公开(公告)日:2008-12-03
申请号:CN200410007438.9
申请日:2004-03-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L21/76237 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14806 , H01L27/14843
Abstract: 本发明提供一种高性能的固体摄像器件。固体摄像器件具有多个象素单元和驱动机构,各象素单元包括:将入射光变换成信号电荷并存储起来的光电二极管(3),为了读出存储在光电二极管(3)内的信号电荷而设置的MOS晶体管(4),为了将光电二极管(3)和MOS晶体管(4)分离、用在半导体基板(10)上挖入的STI形成的元件分离部(2),为了阻止从光电二极管(3)向MOS晶体管(4)的电荷流出,形成在元件分离部下侧的深部分离注入层(1)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-