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公开(公告)号：CN100463200C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200580002346.4
申请日：2005-02-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 稻叶雄一
IPC: H01L27/146 , H04N5/335 , G02B3/00 , G02B5/18
Abstract: 为了实现具有受制造偏差影响小、且聚光效率高的聚光元件的高灵敏度固体摄像装置，本发明的固体摄像装置的单位像素分别包括：光电二极管(8)，其对入射光(13)进行光电转换；凸状透射层(15)，其形成于光电二极管(8)的上方，并使光透射；以及凹凸形状的透镜层(11)，其形成于透射层(15)的上部及其周边，对入射光(13)进行聚光并将其射出至透射层(15)。透射层(15)的折射率大于透镜层(11)的折射率。透射层(15)的厚度以及宽度被设定成相对于规定波长的光而成为规定的焦距。透镜层(11)由BPSG膜、TEOS膜、苯并环丁烯以及聚酰亚胺类树脂中的任一种构成。
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公开(公告)号：CN101040382A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200580034997.1
申请日：2005-10-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H04N5/2254 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14632 , H01L27/14643 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H04N5/335
Abstract: 本发明公开了一种固态成像装置(1)，其具有在N型半导体层(101)上依次层叠形成的P型半导体层(102)、绝缘层(104)、滤色片(106)、透光层(107)和聚光层(108)的结构。在位于绝缘层(104)侧面上的P型半导体层(102)中形成多个光二极管(103)。该多个光二极管(103)通过二维方式不均等排列而密集安装。由于彼此邻近排列的多个光二极管(103)共享透光层(107)和聚光层(108)，因此可改善聚光效率。
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公开(公告)号：CN102713540A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201080055900.6
申请日：2010-12-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G01J5/34 , G01J1/0488 , G01J5/0014 , G01J5/0018 , G01J5/04 , G01J5/045 , G01J5/08 , G01J5/0862 , G01J5/0875 , G01J5/602 , G08B17/125
Abstract: 在本发明的红外线式火焰检测器中，红外线受光元件被收纳在封装体内。红外线受光元件的两个1组的焦电元件在焦电元件形成用基板中并列设置并被倒串联地连接。红外线光学滤光器具备：由红外线透射材料构成的滤光器形成用基板；两个1组的窄波段透射滤光器部，其形成在滤光器形成用基板的一个表面侧中与各焦电元件分别对应的部位，使由特定波长构成的第一选择波长的红外线以及该特定波长以外的作为参照波长的第二选择波长的红外线分别选择性透射，其中，该第一选择波长的红外线由因火焰所产生的CO2气体的共振辐射而产生；以及宽波段去除滤光器部，其形成在滤光器形成用基板的另一个表面侧，吸收波长比由各窄波段透射滤光器部设定的红外线的反射波段长的红外线。各窄波段透射滤光器部具有夹设在第一λ／4多层膜与第二λ／4多层膜之间并根据选择波长来设定光学膜厚的波长选择层。
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公开(公告)号：CN100539168C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200610093688.8
申请日：2006-06-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/146 , G02B5/20
CPC classification number: H04N5/335 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H04N9/045
Abstract: 一种固态成像装置，由已依次层叠在N型半导体层上的P型半导体层、层间绝缘膜、多层干涉滤光器和聚光透镜构成。在层间绝缘膜一侧上的P型半导体层中，对于每个像素都形成其中已离子注入N型杂质的光电二极管。多层干涉滤光器具有包括λ/4多层膜和夹在其间的多个间隔物层的组成。λ/4多层膜由具有相同光学厚度的交替层叠的二氧化钛层和二氧化硅层构成。间隔物层具有对应于它们将要透射的光的颜色的光学厚度。在绿色区域中不包括间隔物层。代替地，每个都构成λ/4多层膜的两个二氧化钛层相邻接，以制备具有λ/2光学厚度的二氧化钛层。
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公开(公告)号：CN101361373B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200680051684.1
申请日：2006-07-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H04N9/07
Abstract: 一种执行使用可见光的彩色成像和使用红外光的成像的固态成像装置，该固态成像装置包括多个二维排列的像素单元，在每个所述的像素单元中，一滤光器主要透射可见光和红外光之一，其中将各滤光器排列成在行方向和列方向的两个方向上以交替排列的方式排列第1排列单元和第2排列单元，在第1排列单元中排列多个主要透射可见光的滤光器，和在第2排列单元中排列一主要透射可见光的滤光器和一主要透射红外光的滤光器。另外，在第1排列单元中，排列包括各自透射红光、绿光和蓝光之一的三种滤光器的滤光器，而在第2排列单元中，排列各自透射红光、绿光、蓝光和红外光之一的四种滤光器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101369556A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810145904.8
申请日：2006-01-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L27/146 , G02B5/20 , G02B5/28
CPC classification number: G02B5/201 , G01J3/513 , G02B5/285 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14685 , H01L31/02162 , H01L31/02164 , H01L31/02165
Abstract: 本发明揭示了一种固态成像装置及其制造方法。将光电转换器二维设置在半导体衬底中。在该半导体衬底和光电转换器上依次形成平坦化层、遮光膜、另一平坦化层和聚光透镜。该遮光膜在对应于光电转换器的位置具有孔。在这些孔中设置能透射光的红色、绿色或蓝色波长成分的多层干涉滤光片。
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公开(公告)号：CN101361373A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200680051684.1
申请日：2006-07-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H04N9/07
Abstract: 一种执行使用可见光的彩色成像和使用红外光的成像的固态成像装置，该固态成像装置包括多个二维排列的像素单元，在每个所述的像素单元中，一滤光器主要透射可见光和红外光之一，其中将各滤光器排列成在行方向和列方向的两个方向上以交替排列的方式排列第1排列单元和第2排列单元，在第1排列单元中排列多个主要透射可见光的滤光器，和在第2排列单元中排列一主要透射可见光的滤光器和一主要透射红外光的滤光器。另外，在第1排列单元中，排列包括各自透射红光、绿光和蓝光之一的三种滤光器的滤光器，而在第2排列单元中，排列各自透射红光、绿光、蓝光和红外光之一的四种滤光器。
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公开(公告)号：CN1717808A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200480001425.9
申请日：2004-09-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 固体成像装置包括选择性透射入射光的滤色器。滤色器包括两个λ/4多层膜，和夹在λ/4多层膜之间的绝缘层。在此，每个λ/4多层膜由多个介电层构成，而绝缘层的光学厚度不是λ/4。由于滤色器具有较小厚度，所以固体成像装置具有较小尺寸。
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公开(公告)号：CN100487900C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200480001425.9
申请日：2004-09-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 固体成像装置包括选择性透射入射光的滤色器。滤色器包括两个λ/4多层膜，和夹在λ/4多层膜之间的绝缘层。在此，滤光单元根据透射的入射光的波长具有多个区域，而绝缘层的光学厚度不是λ/4，该光学厚度在滤光单元的每个区域中不同，并且所述λ/4多层膜在滤光单元的所有区域中具有相同的光学厚度。由于滤色器具有较小厚度，所以固体成像装置具有较小尺寸。
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公开(公告)号：CN101185165A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200680018440.3
申请日：2006-05-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/14621 , G02B5/201 , G02B5/286 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14685 , H01L31/02165
Abstract: 在形成构成固体摄像装置的多层膜干涉滤光片之际，首先，在层间绝缘膜(304)上依次层叠二氧化钛层(401)、二氧化硅层(402)、二氧化钛层(403)及分隔层(404)，形成下位膜。接着，测量下位膜的反射率特性而特定下位膜的膜厚，若偏离了设计值，则改变分隔层(404)及作为上位膜的二氧化钛层(407、409)和二氧化硅层(408、410)的膜厚。按照该改变来蚀刻分隔层(404)而调整膜厚，在其上形成上位膜。
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