公开(公告)号：CN1217529A

公开(公告)日：1999-05-26

申请号：CN98122500.4

申请日：1998-11-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川分康博 ,  榊间博 ,  里见三男 ,  杉田康成

IPC: G11B5/39

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3919 ,  G11B5/3925 ,  G11B5/3932 ,  G11B5/3967 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/3218 ,  H01F10/3263 ,  H01F10/3268 ,  H01L43/10

Abstract: 本发明的交换耦合膜包括一衬基和一多层膜。此多层膜包括:一铁磁性层和一邻接此铁磁性层设置的用于抑制此铁磁性层的磁旋的磁旋抑制层;此磁旋抑制层包括一Fe－M－O层(其中M’=Al,Ti,Co,Mn,Cr,Ni或V)。

公开(公告)号：CN1938781A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200480042767.5

申请日：2004-10-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小佐野浩一 ,  村冈俊作 ,  榊间博

IPC: G11C11/34 ,  G11C16/02

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/78 ,  G11C2213/79 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  Y10T428/1136 ,  Y10T428/115

Abstract: 薄膜存储器件包括第一电极(3)、第一可变电阻薄膜(2)和第二电极(1)，第一电极(3)形成在基板(4)的表面上，第一可变电阻薄膜(2)形成在第一电极(3)的表面上，第二电极(1)形成在第一可变电阻薄膜(2)的表面上，第一可变电阻薄膜(2)包括在块状态下其电阻根据晶格应变和电荷序变化的至少之一而变化的材料。

公开(公告)号：CN1229880C

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN01137079.3

申请日：2001-08-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平本雅祥 ,  松川望 ,  小田川明弘 ,  饭岛贤二 ,  榊间博

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01F10/14 ,  C01G49/00 ,  G11B5/31 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L43/08 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/3272 ,  H01F41/302 ,  H01L27/228 ,  H01L43/12 ,  Y10T428/1107 ,  Y10T428/1121 ,  Y10T428/1129 ,  Y10T428/1143 ,  Y10T428/1193

Abstract: 本发明提供包括中间层和夹持该中间层的一对磁性层，磁性层中的自由磁性层或者固定磁性层是至少由1层非磁性体层，夹持上述非磁性体层的磁性体层构成的多层膜，而且作为垂直于膜面流过的电流通过的上述中间层的面积所规定的元件面积是1000μm2以下的磁阻元件。

公开(公告)号：CN1142541C

公开(公告)日：2004-03-17

申请号：CN97126174.1

申请日：1997-11-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川分康博 ,  榊间博 ,  里见三男

IPC: G11B5/39

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3133 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3951 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/324 ,  H01F10/3268 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明的磁致电阻器件包括：至少两个其间夹有非磁性层而堆叠的磁性层；和形成传导电子的金属反射层，与磁性层的最外两层中至少之一接触。金属反射层与最外磁性层的一个表面接触，该表面与最外磁性层的与非磁性层接触的另一表面相反。在保持电子的自旋方向时金属反射层易于反射传导电子。

公开(公告)号：CN1132158C

公开(公告)日：2003-12-24

申请号：CN98101194.2

申请日：1998-04-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 榊间博

IPC: G11B5/39 ,  G11B5/31

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3967 ,  G11B5/40 ,  G11B2005/3996

Abstract: 一种薄膜磁头含有一个屏蔽型磁电阻效应(MR)头部分，包括：位在一屏蔽隙内的MR元件部分，其呈现有巨磁电阻效应；及一引线层，其使得电流沿垂直于MR元件部分的一个薄膜表面的方向流动。MR元件部分含有第一和第二磁性膜，且其间插入有一非磁性绝缘膜。第一磁性膜呈现软磁性质，设置在距薄膜磁头的那个对着磁记录媒体的表面第一距离处。第二磁性膜设置在距薄膜磁头的那个对着磁记录媒体的表面第二距离处，第二距离大于第一距离。

公开(公告)号：CN1126127C

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN95106521.1

申请日：1995-05-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 榊间博 ,  入江庸介 ,  里见三男 ,  川分康博

IPC: H01F10/12 ,  G11B5/31 ,  G11C11/15

CPC classification number: H03F7/02 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3925 ,  G11B2005/3996 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  G11C11/5607 ,  G11C2211/5616 ,  H01F10/3281 ,  H01L27/222 ,  H01L43/10

Abstract: 本发明的磁阻效应器件包括：基片；以及在基片上形成的多层结构。多层结构包括硬磁膜，软磁膜，以及用来把硬磁膜和软磁膜隔开的非磁金属膜，硬磁膜的磁化曲线具有好的矩形特性，硬磁膜的易磁化轴的方向基本上和要被检测的磁场的方向一致。

公开(公告)号：CN1367544A

公开(公告)日：2002-09-04

申请号：CN02105298.0

申请日：2002-01-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平本雅祥 ,  小田川明弘 ,  松川望 ,  饭岛贤二 ,  榊间博

IPC: H01L43/08 ,  H01L41/12

CPC classification number: H01L43/12 ,  H01L43/10 ,  Y10T29/49034 ,  Y10T29/49043 ,  Y10T29/49044

Abstract: 本发明提供磁阻效应元件,该元件含有中间层和夹持上述中间层的一对磁性层,上述中间层含有从2～17族中选出的至少3种元素,上述元素含有从F、O、N、C和B中选出的至少1种元素。根据本发明,可提供具有高磁阻变化率和低电阻的磁阻效应元件。本发明还提供磁阻效应元件的制造方法,该方法包括使前体成膜的工序、和在含有从氧原子、氮原子和碳原子中选出的至少一种反应种子的反应气氛中,使上述前体和上述反应种子进行反应从而形成上述中间层的至少一部分的工序。

公开(公告)号：CN1346156A

公开(公告)日：2002-04-24

申请号：CN01137236.2

申请日：2001-09-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 足立秀明 ,  平本雅祥 ,  饭岛贤二 ,  榊间博

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/15 ,  G11B5/39

CPC classification number: H01L43/10 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  H01F10/324

Abstract: 本发明提供一种通过在基底与光晶石型磁性体之间夹一层氮化钛使磁阻效应显著提高的磁阻元件,本发明的磁阻元件具有基底和在上述基底上形成的多层膜,上述多层膜从上述基底侧开始包含第一磁层,形成在上述第一磁层上的非磁性层和形成在上述非磁性层上的第二磁性层,使根据上述第一磁性层的磁化方向与上述第二磁性层的磁化方向的相对角度的变化的、用于检测电阻变化的电流沿垂直于上述多层膜的膜面的方向流动;上述第一磁性层具有光晶石型结晶结构,上述多层膜还包括夹于上述基底与上述第一磁性层之间的氮化钛层。

公开(公告)号：CN1337749A

公开(公告)日：2002-02-27

申请号：CN01122062.7

申请日：2001-05-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小田川明弘 ,  足立秀明 ,  平本雅祥 ,  松川望 ,  榊间博

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/02 ,  G11C11/14 ,  G11B5/127 ,  G11B5/31

CPC classification number: H01L27/222 ,  B82Y10/00 ,  H01L43/10 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/1107

Abstract: 本发明的元件含有具有以式L2(A1－zRz)2An－1MnO3n+3+x表示的组成,结晶构造内具有(L—O)2层的层状钙钛矿型氧化物、和夹持着层状钙钛矿型氧化物并与该氧化物连接形成的一对强磁性体,通过上述(L—O)2层施加偏磁,实现了磁阻隧道效应。其中A表示从Ca、Sr和Ba中选出的至少1种碱土类元素、L表示从Bi、Tl和Pb中选出的至少1种元素、M表示从Ti、V、Cu、Ru、Ni、Mn、Co、Fe和Cr中选出的至少1种元素、R表示稀土类元素,n为1,2或3,X,Z分别为－1≤x≤1,0≤z≤1中的值。

公开(公告)号：CN1235338A

公开(公告)日：1999-11-17

申请号：CN98125636.8

申请日：1998-09-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川分康博 ,  里见三男 ,  杉田康成 ,  榊间博

IPC: G11B5/39

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3932 ,  G11B5/3967 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/3268 ,  H01L43/10

Abstract: 本发明的磁阻效应器件包括一个多层膜。该多层膜包括反铁磁膜、第一铁磁膜、非磁膜、及第二铁磁膜,它们以此顺序直接地或通过一下层设在非磁衬底上。反铁磁膜包括α－Fe2O3膜。多层膜的表面粗糙度约为0.5nm或以下。