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公开(公告)号:CN101032038A
公开(公告)日:2007-09-05
申请号:CN200680000874.0
申请日:2006-07-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L35/22 , C01G51/006 , C01G51/66 , C01P2002/52 , C01P2002/54 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2002/78 , C01P2004/41 , C01P2004/62 , C01P2006/40
Abstract: 本发明的热电转换器件包括:第一电极(21);第二电极(23);以及被夹在第一电极(21)和第二电极(23)之间的层状氧化物(22)。第一电极(21)、层状氧化物(22)和第二电极(23)依次配置,形成多层体。上述层状氧化物(22)由导电层(11)和电绝缘层(12)交替地配置而形成。层状氧化物(22)的c轴垂直于第一电极(21)与层状氧化物(22)之间的界面。第二电极(23)的面积小于第一电极(21)的面积。
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公开(公告)号:CN1914733A
公开(公告)日:2007-02-14
申请号:CN200580003381.8
申请日:2005-09-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0054 , G11C2013/0073 , G11C2013/0078 , G11C2013/009 , G11C2213/31 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/1675 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供一种即使在还原气氛下进行热处理时,电阻变化能力的降低也被抑制的变电阻元件和使用其的非易失性存储器。具体地说,本发明提供的非易失性存储器(1)由具有以化学式RMCoO3(其中:R代表稀土类元素、M代表碱土类元素)表示的钙钛矿结构的氧化物半导体构成的材料层,和与所述材料层电连接的作为两个电极的第一电极和第二电极构成,同时,(2)具有变电阻元件晶体管,所述变电阻元件与晶体管电连接。
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公开(公告)号:CN1898798A
公开(公告)日:2007-01-17
申请号:CN200580001365.5
申请日:2005-09-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C2013/0054 , G11C2213/31 , G11C2213/71 , G11C2213/79 , H01L27/105 , H01L27/1052 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/147 , H01L45/1625 , H01L45/1675 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供一种具有与现有技术元件不同的结构,电阻变化特性优良的电阻变化元件。其存在电阻值不同的两种以上的状态,通过施加规定电压或者电流,可以从在上述两种以上的状态中选择的一种状态向另一种状态变化的电阻变化元件,其中,包括上部电极和下部电极以及由上述双方电极夹持的电阻变化层的多层构造体被配置在基板上,电阻变化层具有尖晶石结构,上述下部电极的上述电阻变化层的表面被氧化。这种电阻变化元件可在400℃以下的制造过程中制造。
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公开(公告)号:CN1820380A
公开(公告)日:2006-08-16
申请号:CN200580000645.4
申请日:2005-01-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L35/32
CPC classification number: H01L35/32
Abstract: 本发明提供一种即使薄型化也能实现高效率的热电转换元件。在该热电转换元件中,在绝缘层的一面上配置有条纹状的p型热电转换部,在另一面上配置有条纹状的n型热电转换部。两种条纹形成重叠部,在该重叠部中,第一p型热电转换部和第一n型热电转换部通过配置在绝缘层内的第一导通部电连接,并且第二p型热电转换部和第二n型热电转换部通过配置在绝缘层内的第二导通部电连接,第一导通部与第二导通部电分离。在现有的元件中配置有一个接合的区域,本发明的元件配置有两个接合。
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公开(公告)号:CN102084510B
公开(公告)日:2014-04-16
申请号:CN200980125800.3
申请日:2009-12-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G01J5/12 , G01J1/02 , G01J1/0209 , G01J1/16 , G01J1/42 , G01J5/02 , G01J5/022 , G01J5/024 , G01J5/04 , G01J5/046
Abstract: 本发明提供辐射检测器和辐射检测方法。该辐射检测器是具有高检测灵敏度的辐射检测器。本发明的辐射检测器,包括:Al2O3基板;叠层在Al2O3基板上、CoO2面相对于Al2O3基板表面倾斜地排列的CaxCoO2薄膜(0.15<x<0.55);配置在CaxCoO2薄膜上的第一电极;和位于上述CaxCoO2薄膜上的第二电极,该第二电极在上述CoO2面倾斜排列的方向上,配置在与第一电极相对的位置上,其中,上述Al2O3基板的表面为n面或S面。
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公开(公告)号:CN102356305A
公开(公告)日:2012-02-15
申请号:CN201080003897.3
申请日:2010-05-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种热电变换器件和辐射检测器以及使用它的辐射检测方法。本发明的辐射检测器(1)包括:基板(11);第一倾斜薄膜(12),其配置在基板(1)的第一主面上,具有各向异性基准结晶面,该各向异性基准结晶面相对于第一主面倾斜排列;第二倾斜薄膜(13),其配置在基板(1)的与第一主面相反的一侧的第二主面上,具有各向异性基准结晶面,该各向异性基准结晶面相对于第二主面倾斜排列;第一电极对(17、18),其配置在第一倾斜薄膜(12)上,在第一倾斜薄膜(12)的各向异性基准结晶面相对于第一主面倾斜排列的方向上相互对置;和第二电极对(18、19),其配置在第二倾斜薄膜(13)上,在第二倾斜薄膜(13)的各向异性基准结晶面相对于第二主面倾斜排列的方向上相互对置。构成第一电极对的任一方的电极和构成第二电极对的任一方的电极相互电连接,第一倾斜薄膜(12)和第二倾斜薄膜(13)形成各向异性基准结晶面沿单一的方向倾斜的串联连接。
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公开(公告)号:CN102113141A
公开(公告)日:2011-06-29
申请号:CN200980120322.7
申请日:2009-10-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C04B35/495 , C04B35/6265 , C04B35/6268 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3251 , C04B2235/3253 , C04B2235/94 , C04B2235/9607 , H01L35/22
Abstract: 本发明提供热电转换材料和热电转换元件。该热电转换材料由以化学式A0.8-1.2Ta2O6-y表示的氧化物材料构成。其中,A仅由钙(Ca)构成,或者A由选自镁(Mg)、锶(Sr)和钡(Ba)中的至少一种和钙(Ca)构成。y大于0小于等于0.5(0<y≤0.5)。
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公开(公告)号:CN101375423B
公开(公告)日:2010-06-02
申请号:CN200780001232.7
申请日:2007-11-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供具有高热发电性能、能够应用于更多用途的,使用热发电元件的发电方法、热发电元件和热发电器件。该热发电元件包括:相互相对配置的第一电极和第二电极;和被第一和第二电极夹持,并且与第一和第二电极两者电连接的叠层体,叠层体具有交互地叠层有SrB6层和含有Cu、Ag、Au或Al的金属层的结构,金属层与SrB6层的厚度的比在金属层∶SrB6层=20∶1~2.5∶1的范围内,SrB6层和金属层的叠层面相对于第一电极和第二电极相对的方向,以20°以上50°以下的倾斜角θ倾斜,由于在元件的与上述方向垂直的方向上的温度差,在第一和第二电极之间产生电位差。
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公开(公告)号:CN1820380B
公开(公告)日:2010-05-05
申请号:CN200580000645.4
申请日:2005-01-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L35/32
CPC classification number: H01L35/32
Abstract: 本发明提供一种即使薄型化也能实现高效率的热电转换元件。在该热电转换元件中,在绝缘层的一面上配置有条纹状的p型热电转换部,在另一面上配置有条纹状的n型热电转换部。两种条纹形成重叠部,在该重叠部中,第一p型热电转换部和第一n型热电转换部通过配置在绝缘层内的第一导通部电连接,并且第二p型热电转换部和第二n型热电转换部通过配置在绝缘层内的第二导通部电连接,第一导通部与第二导通部电分离。在现有的元件中配置有一个接合的区域,本发明的元件配置有两个接合。
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公开(公告)号:CN100461479C
公开(公告)日:2009-02-11
申请号:CN200480023312.9
申请日:2004-12-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种具有高热电转换性能的热电转换装置。在该装置中,电极的配置与根据以往的技术常识的配置不同,配置成使电流沿层状物质的层间方向流动。在基于本发明的热电转换装置中,热电转换膜是通过外延生长获得的膜,并且电气传导层与电气绝缘层交替配置,电气传导层具有过渡金属原子(M)位于中心、同时氧原子位于顶点的八面体晶体结构,电气绝缘层由金属元素或结晶性金属氧化物构成。而且,由电气传导层和电气绝缘层构成的层状物质的c轴与基体的面内方向平行,一对电极配置成使电流沿c轴流动。
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