-
公开(公告)号：CN103153868A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201280003145.6
申请日：2012-08-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C01G33/00 , B01J27/24 , B01J35/02 , B01J37/02 , B01J37/10 , C01B3/04 , H01M8/06 , C23C16/40 , H01M8/10
CPC classification number: C25B11/0447 , B01J35/004 , C01B13/0207 , C23C16/308 , C23C16/405 , C25B1/003 , C25B1/04 , C25B9/00 , H01M8/0656 , Y02E60/364 , Y02E60/368 , Y02E60/50
Abstract: 本发明的NbON膜是利用光照射产生光电流的NbON膜。本发明的NbON膜优选为单相膜。本发明的氢生成设备(600)具备：包含导电体(621)和配置于所述导电体(621)上的所述本发明的NbON膜(622)的光半导体电极(620)；与所述导电体(621)电连接的对电极(630)；与所述NbON膜(622)及所述对电极(630)的表面接触的包含水的电解液(640)；以及收容所述光半导体电极(620)、所述对电极(630)及所述电解液(640)的容器(610)，通过向所述NbON膜(622)照射光而产生氢。
-
公开(公告)号：CN102933487A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201180028115.6
申请日：2011-08-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C25B11/0442 , B01J35/004 , C01B3/042 , C25B1/003 , C25B9/08 , C25B11/03 , Y02E60/364 , Y02E60/368
Abstract: 本发明的氢生成设备具备：第1电极(120)，其包括导电性基板(101)以及光触媒性半导体层(102)；第2电极(103)，其与第1电极(120)电连接，并且在将第1电极(120)的担持有光触媒性半导体层(102)的面侧的区域设为第1区域(122)、将与第1区域(122)相反一侧的区域设为第2区域(123)的情况下，该第2电极相对于第1电极(120)而被配置在第2区域(123)；电解液(106)，其包含水；和框体(105)，其保持这些第1电极、第2电极及电解液。在第1电极(120)以及第2电极(103)的相对应的位置处设置贯通孔(131，132)，该贯通孔构成对第1区域(122)和第2区域(123)进行连通的连通孔(130)。在连通孔(130)中，按照堵塞连通孔(130)的方式配置与连通孔(130)实质上为相同形状的离子交换膜(104)。
-
公开(公告)号：CN102123792A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN201080002312.6
申请日：2010-04-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B01J35/004 , B01J23/002 , B01J23/08 , B01J23/10 , B01J23/62 , B01J2523/00 , C01B3/042 , C01B13/0207 , C01G25/006 , C01P2002/52 , C01P2002/54 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2002/84 , C01P2004/34 , C01P2006/40 , C25B1/003 , Y02E60/364 , B01J2523/25 , B01J2523/32 , B01J2523/48 , B01J2523/375 , B01J2523/33
Abstract: 本发明的光激发半导体，是钙钛矿型氧化物的半导体，具有由通式：BaZr1-xMxO3-α(式中，M为从3价元素中选出的至少一种元素，x是比0大、低于0.8的数值，α是氧欠缺量且是比0大、低于1.5的数值。)表示的组成，晶系为立方晶、正方晶或斜方晶，所述晶系的晶格常数设为a、b、c(其中a≤b≤c)时，满足0.41727nm≤a、b、c≤0.42716nm，a/c≥0.98的条件。
-
公开(公告)号：CN103153868B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201280003145.6
申请日：2012-08-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C01G33/00 , B01J27/24 , B01J35/02 , B01J37/02 , B01J37/10 , C01B3/04 , H01M8/06 , C23C16/40 , H01M8/10
CPC classification number: C25B11/0447 , B01J35/004 , C01B13/0207 , C23C16/308 , C23C16/405 , C25B1/003 , C25B1/04 , C25B9/00 , H01M8/0656 , Y02E60/364 , Y02E60/368 , Y02E60/50
Abstract: 本发明的NbON膜是利用光照射产生光电流的NbON膜。本发明的NbON膜优选为单相膜。本发明的氢生成设备(600)具备：包含导电体(621)和配置于所述导电体(621)上的所述本发明的NbON膜(622)的光半导体电极(620)；与所述导电体(621)电连接的对电极(630)；与所述NbON膜(622)及所述对电极(630)的表面接触的包含水的电解液(640)；以及收容所述光半导体电极(620)、所述对电极(630)及所述电解液(640)的容器(610)，通过向所述NbON膜(622)照射光而产生氢。
-
公开(公告)号：CN102369312B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201080009866.9
申请日：2010-04-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C25B1/003 , C01B3/042 , Y02E60/364 , Y02E60/368
Abstract: 氢气生成装置(100)具有：框体(1)，其内部能够保持液体且至少一部分能够透光；电解液，其被保持在框体(1)的内部且含有水；光电极(2)，其配置在框体(1)的内部，具有与所述电解液相接的第一面，并通过照射透过框体(1)的光来分解所述水而产生气体；导电体(3)，其在框体(1)的内部相对于光电极(2)配置在与所述第一面相反侧的第二面侧的区域，且具有与所述电解液相接的面，并且该导电体(3)与光电极(2)电连接。在导电体(3)与所述电解液相接的所述面上设有沿产生的所述气体流动的方向延伸的槽部(3a)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102575361B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201080046454.2
申请日：2010-11-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C25B1/003 , C01B3/042 , H01M8/0606 , H01M14/005 , Y02E60/364 , Y02E60/366 , Y02E60/50 , Y02P20/135
Abstract: 本发明的光电化学电池(100)具备：半导体电极(120)，该半导体电极(120)包括导电体(121)、具有纳米管阵列构造的第一n型半导体层(122)、以及第二n型半导体层(123)；与导电体(121)连接的对电极(130)；与第二n型半导体层(123)以及对电极(130)接触的电解液(140)；以及用于容纳半导体电极(120)、对电极(130)以及电解液(140)的容器(110)。将真空能级作为基准，(I)第二n型半导体层(123)的传导带以及价电子带的带边能级分别比第一n型半导体层(122)的传导带以及价电子带的带边能级大，(II)第一n型半导体层(122)的费米能级比第二n型半导体层(123)的费米能级大，并且，(III)导电体(121)的费米能级比第一n型半导体层(122)的费米能级大。
-
公开(公告)号：CN103582608A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201380001465.2
申请日：2013-04-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C25B1/10 , C01B3/042 , C25B1/003 , C25B1/02 , C25B1/04 , C25B1/06 , C25B9/00 , C25B9/10 , C25B9/18 , C25B15/08 , H01M8/0656 , Y02E60/364 , Y02E60/366 , Y02E60/368 , Y02E60/50
Abstract: 本发明提供氢生成单元、氢生成设备及使用该氢生成设备的能量系统。本发明的氢生成单元设有贯通框体的电解液供给孔、电解液排出孔、第一氢流通孔及第二氢流通孔，在设置氢生成单元时，电解液供给孔配置成比电解液排出孔靠铅垂上侧，第一氢流通孔配置成比电解液供给孔靠铅垂上侧，第二氢流通孔配置成比电解液排出孔靠铅垂上侧。利用本结构，能大幅降低与电解液及氢有关的配管长度及歧管数量，能简单且合理地将氢生成单元彼此连结。
-
公开(公告)号：CN102686314A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201180004738.X
申请日：2011-11-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种光半导体及其制造方法、以及光半导体设备、光触媒、氢生成设备和能量系统。本发明的光半导体的制造方法包括：混合工序，制作包含铌化合物和还原防止剂的混合物，该铌化合物至少在组成中含有氧；氮化工序，使所述混合物与氮化合物气体进行反应，从而使所述混合物氮化；和洗净工序，从通过所述氮化工序得到的试样中，利用洗净液溶解铌氮氧化物以外的化学种，分离出铌氮氧化物。本发明的光半导体实质上由铌氮氧化物构成，该铌氮氧化物具有斜锆石型结晶构造、且具有由组成式NbON表示的组成。
-
公开(公告)号：CN102421942A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080020692.6
申请日：2010-06-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C01B3/042 , C25B1/003 , Y02E60/364 , Y02E60/366 , Y02P20/135
Abstract: 本发明提供一种光电化学单元。所述光电化学单元(1)具备：光半导体电极(第一电极)(3)，其包括导电基板(3a)及配置在导电基板(3a)上的作为光半导体层的n型半导体层(3b)；对电极(第二电极)(4)，其与光半导体电极(3)的导电基板(3a)侧的面对置配置且与导电基板(3a)电连接；电解液(11)，其与n型半导体层(3b)的表面及对电极(4)的表面接触且含有水；容器(2)，其收容光半导体电极(3)、对电极(4)及电解液(11)；供给口(5)，其用于向容器内部供给水；离子通过部(12)，其使离子能够在n型半导体层(3b)的表面侧的区域A中的电解液与相对于光半导体电极(3)而与区域A相反侧的区域B中的电解液之间移动。
-
公开(公告)号：CN102369312A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201080009866.9
申请日：2010-04-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C25B1/003 , C01B3/042 , Y02E60/364 , Y02E60/368
Abstract: 氢气生成装置(100)具有：框体(1)，其内部能够保持液体且至少一部分能够透光；电解液，其被保持在框体(1)的内部且含有水；光电极(2)，其配置在框体(1)的内部，具有与所述电解液相接的第一面，并通过照射透过框体(1)的光来分解所述水而产生气体；导电体(3)，其在框体(1)的内部相对于光电极(2)配置在与所述第一面相反侧的第二面侧的区域，且具有与所述电解液相接的面，并且该导电体(3)与光电极(2)电连接。在导电体(3)与所述电解液相接的所述面上设有沿产生的所述气体流动的方向延伸的槽部(3a)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
31
records
(took 0.034 seconds)
