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公开(公告)号：CN102858456A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180007084.6
申请日：2011-03-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M8/0656 , C01B21/0821 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2002/84 , C01P2002/85 , C04B35/453 , C04B35/58 , C04B35/62675 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/46 , C04B2235/76 , C04B2235/80 , C04B2235/81 , C25B1/003 , Y02E60/364 , Y02E60/366 , Y02E60/50
Abstract: 本发明的光半导体，是含有In、Ga、Zn、O和N的光半导体，具有在通式：In2xGa2(1-x)O3(ZnO)y(x和y满足0.2＜x＜1以及0.5≤y。)中、O的一部分由N置换了的组成，在所述通式中，优选x为0.5，此外优选y为1以上、6以下，更优选y为2或6。另外，本发明的光半导体，优选具有纤维锌矿型结晶构造。本发明的光半导体，可以实现更小的带隙，进行可视光的利用，并且载流子迁移率高，因此量子效率高，是优异的光半导体。
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公开(公告)号：CN103534202A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201280007502.6
申请日：2012-11-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B01J27/24 , B01J19/123 , B01J23/20 , B01J23/6484 , B01J35/002 , B01J35/004 , B01J37/086 , C01B3/042 , C01B21/0617 , C01P2002/85 , C01P2002/88 , C04B35/58007 , C04B35/62805 , C04B35/62886 , C04B35/6325 , C04B2235/3251 , C04B2235/3886 , C04B2235/465 , C04B2235/79 , C04B2235/80 , C25B1/003 , H01M8/04216 , H01M8/0656 , Y02E60/364
Abstract: 本发明是具有由组成式Nb3N5表示的组成且构成元素Nb的价数实质上为+5价的铌氮化物。本发明的铌氮化物的制造方法包括使有机铌化合物与氮化合物气体反应而对所述有机铌化合物进行氮化的氮化工序。
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公开(公告)号：CN103403940A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201280011114.5
申请日：2012-02-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M8/04119 , H01M8/04029 , H01M8/04291 , H01M8/0606 , H01M8/0656 , H01M16/003 , Y02E60/364
Abstract: 本发明提供一种能量系统，具备：光氢生成部(101)，其通过光催化作用分解水，来生成氢；燃料电池(103)，其通过由光氢生成部(101)产生的氢和氧化气体之间的反应进行发电的同时，将作为反应生成物的水排出；和水配送机构(104)，其将从燃料电池(103)排出的作为反应生成物的水返回到光氢生成部(101)。通过这样的结构，能够抑制来自外部的水的供给量在少量，从而能够提供水收支平衡的能量系统。
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公开(公告)号：CN103153868B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201280003145.6
申请日：2012-08-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C01G33/00 , B01J27/24 , B01J35/02 , B01J37/02 , B01J37/10 , C01B3/04 , H01M8/06 , C23C16/40 , H01M8/10
CPC classification number: C25B11/0447 , B01J35/004 , C01B13/0207 , C23C16/308 , C23C16/405 , C25B1/003 , C25B1/04 , C25B9/00 , H01M8/0656 , Y02E60/364 , Y02E60/368 , Y02E60/50
Abstract: 本发明的NbON膜是利用光照射产生光电流的NbON膜。本发明的NbON膜优选为单相膜。本发明的氢生成设备(600)具备：包含导电体(621)和配置于所述导电体(621)上的所述本发明的NbON膜(622)的光半导体电极(620)；与所述导电体(621)电连接的对电极(630)；与所述NbON膜(622)及所述对电极(630)的表面接触的包含水的电解液(640)；以及收容所述光半导体电极(620)、所述对电极(630)及所述电解液(640)的容器(610)，通过向所述NbON膜(622)照射光而产生氢。
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公开(公告)号：CN102686314A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201180004738.X
申请日：2011-11-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种光半导体及其制造方法、以及光半导体设备、光触媒、氢生成设备和能量系统。本发明的光半导体的制造方法包括：混合工序，制作包含铌化合物和还原防止剂的混合物，该铌化合物至少在组成中含有氧；氮化工序，使所述混合物与氮化合物气体进行反应，从而使所述混合物氮化；和洗净工序，从通过所述氮化工序得到的试样中，利用洗净液溶解铌氮氧化物以外的化学种，分离出铌氮氧化物。本发明的光半导体实质上由铌氮氧化物构成，该铌氮氧化物具有斜锆石型结晶构造、且具有由组成式NbON表示的组成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102334230A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201080009672.9
申请日：2010-08-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M14/005 , C25B1/003 , H01G9/205 , Y02E10/542 , Y02E60/364 , Y02P20/135
Abstract: 本发明提供一种光电化学元件和使用该光电化学元件的能量系统，该光电化学元件(100)具备：半导体电极(120)，包括基板(121)、在基板(121)上配置的第一n型半导体层(122)、在第一n型半导体层(122)上彼此分离开配置的第n型半导体层(123)和导电体(124)；异性极(130)，与导电体(124)电连接；电解液(140)，与第n型半导体层(123)和异性极(130)的表面接触；以及容器(110)，收容半导体电极(120)、异性极(130)和电解液(140)，在半导体电极(120)中，以真空能级为基准，(I)第二n型半导体层(123)中的传导带和价电子带的带边能级分别大于第一n型半导体层(122)中的传导带和价电子带的带边能级，(II)第一n型半导体层(122)的费米能级大于第二n型半导体层(123)的费米能级，(III)导电体(124)的费米能级大于第一n型半导体层(122)的费米能级。光电化学元件(100)通过对第二n型半导体层(123)照射光而产生氢。
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公开(公告)号：CN102858456B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201180007084.6
申请日：2011-03-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M8/0656 , C01B21/0821 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2002/84 , C01P2002/85 , C04B35/453 , C04B35/58 , C04B35/62675 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/46 , C04B2235/76 , C04B2235/80 , C04B2235/81 , C25B1/003 , Y02E60/364 , Y02E60/366 , Y02E60/50
Abstract: 本发明的光半导体，是含有In、Ga、Zn、O和N的光半导体，具有在通式：In2xGa2(1-x)O3(ZnO)y(x和y满足0.2＜x＜1以及0.5≤y。)中、O的一部分由N置换了的组成，在所述通式中，优选x为0.5，此外优选y为1以上、6以下，更优选y为2或6。另外，本发明的光半导体，优选具有纤维锌矿型结晶构造。本发明的光半导体，可以实现更小的带隙，进行可视光的利用，并且载流子迁移率高，因此量子效率高，是优异的光半导体。
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公开(公告)号：CN103534387A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201280013135.0
申请日：2012-04-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C25B1/003 , B01J35/004 , C01B3/042 , C25B1/04 , C25B11/0405 , C25B11/0478 , H01G9/2027 , H01M8/0656 , H01M16/003 , Y02E10/542 , Y02E60/364 , Y02E60/366 , Y02P20/135 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的光电极(100)，具备：导电体层(12)、和在上述导电体层(12)上设置的光催化剂层(13)。导电体层(12)含有金属氮化物。光催化剂层(13)由选自氮化物半导体以及氮氧化物半导体中的至少一种构成。在光催化剂层(13)由n型半导体构成时，真空能级与导电体层(12)的费米能级的能量差小于真空能级与光催化剂层(13)的费米能级的能量差。在光催化剂层(13)由p型半导体构成时，真空能级与导电体层(12)的费米能级的能量差大于真空能级与光催化剂层(13)的费米能级的能量差。
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公开(公告)号：CN102334230B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201080009672.9
申请日：2010-08-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M14/005 , C25B1/003 , H01G9/205 , Y02E10/542 , Y02E60/364 , Y02P20/135
Abstract: 本发明提供一种光电化学元件和使用该光电化学元件的能量系统，该光电化学元件(100)具备：半导体电极(120)，包括基板(121)、在基板(121)上配置的第一n型半导体层(122)、在第一n型半导体层(122)上彼此分离开配置的第n型半导体层(123)和导电体(124)；异性极(130)，与导电体(124)电连接；电解液(140)，与第n型半导体层(123)和异性极(130)的表面接触；以及容器(110)，收容半导体电极(120)、异性极(130)和电解液(140)，在半导体电极(120)中，以真空能级为基准，(I)第二n型半导体层(123)中的传导带和价电子带的带边能级分别大于第一n型半导体层(122)中的传导带和价电子带的带边能级，(II)第一n型半导体层(122)的费米能级大于第二n型半导体层(123)的费米能级，(III)导电体(124)的费米能级大于第一n型半导体层(122)的费米能级。光电化学元件(100)通过对第二n型半导体层(123)照射光而产生氢。
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公开(公告)号：CN103153868A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201280003145.6
申请日：2012-08-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C01G33/00 , B01J27/24 , B01J35/02 , B01J37/02 , B01J37/10 , C01B3/04 , H01M8/06 , C23C16/40 , H01M8/10
CPC classification number: C25B11/0447 , B01J35/004 , C01B13/0207 , C23C16/308 , C23C16/405 , C25B1/003 , C25B1/04 , C25B9/00 , H01M8/0656 , Y02E60/364 , Y02E60/368 , Y02E60/50
Abstract: 本发明的NbON膜是利用光照射产生光电流的NbON膜。本发明的NbON膜优选为单相膜。本发明的氢生成设备(600)具备：包含导电体(621)和配置于所述导电体(621)上的所述本发明的NbON膜(622)的光半导体电极(620)；与所述导电体(621)电连接的对电极(630)；与所述NbON膜(622)及所述对电极(630)的表面接触的包含水的电解液(640)；以及收容所述光半导体电极(620)、所述对电极(630)及所述电解液(640)的容器(610)，通过向所述NbON膜(622)照射光而产生氢。
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