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公开(公告)号：CN102933487B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201180028115.6
申请日：2011-08-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C25B11/0442 , B01J35/004 , C01B3/042 , C25B1/003 , C25B9/08 , C25B11/03 , Y02E60/364 , Y02E60/368
Abstract: 本发明的氢生成设备具备：第1电极(120)，其包括导电性基板(101)以及光触媒性半导体层(102)；第2电极(103)，其与第1电极(120)电连接，并且在将第1电极(120)的担持有光触媒性半导体层(102)的面侧的区域设为第1区域(122)、将与第1区域(122)相反一侧的区域设为第2区域(123)的情况下，该第2电极相对于第1电极(120)而被配置在第2区域(123)；电解液(106)，其包含水；和框体(105)，其保持这些第1电极、第2电极及电解液。在第1电极(120)以及第2电极(103)的相对应的位置处设置贯通孔(131，132)，该贯通孔构成对第1区域(122)和第2区域(123)进行连通的连通孔(130)。在连通孔(130)中，按照堵塞连通孔(130)的方式配置与连通孔(130)实质上为相同形状的离子交换膜(104)。
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公开(公告)号：CN103534202A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201280007502.6
申请日：2012-11-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B01J27/24 , B01J19/123 , B01J23/20 , B01J23/6484 , B01J35/002 , B01J35/004 , B01J37/086 , C01B3/042 , C01B21/0617 , C01P2002/85 , C01P2002/88 , C04B35/58007 , C04B35/62805 , C04B35/62886 , C04B35/6325 , C04B2235/3251 , C04B2235/3886 , C04B2235/465 , C04B2235/79 , C04B2235/80 , C25B1/003 , H01M8/04216 , H01M8/0656 , Y02E60/364
Abstract: 本发明是具有由组成式Nb3N5表示的组成且构成元素Nb的价数实质上为+5价的铌氮化物。本发明的铌氮化物的制造方法包括使有机铌化合物与氮化合物气体反应而对所述有机铌化合物进行氮化的氮化工序。
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公开(公告)号：CN102484303A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201180003543.3
申请日：2011-03-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C25B1/003 , B01J35/004 , C25B11/0442 , H01M8/0656 , Y02E60/366 , Y02E60/368 , Y02P20/135
Abstract: 本发明提供一种光电化学元件和使用该元件的能量系统，光电化学元件(100)具备：半导体电极(120)，其包括导电体(121)及在导电体(121)上配置的半导体层(122、123)；对电极(130)，其与导电体(121)电连接；电解液(140)，其与半导体层(123)及对电极(130)的表面接触；和容器(110)，其容纳半导体电极(120)、对电极(130)及电解液(140)。以真空能级为基准，半导体层的表面附近区域内的传导带的带边能级ECS、价电子带的带边能级EVS及费米能级EFS、和半导体层的与导电体的接合面附近区域内的传导带的带边能级ECJ、价电子带的带边能级EVJ及费米能级EFJ满足ECS-EFS＞ECJ-EFJ、EFS-EVS＜EFJ-EVJ、ECJ＞-4.44eV、以及EVS＜-5.67eV。半导体层的表面附近区域内的费米能级EFS及半导体层的与导电体的接合面附近区域内的费米能级EFJ分别以真空能级为基准，满足-5.67eV＜EFS＜-4.44eV、-5.67eV＜EFJ＜-4.44eV。
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公开(公告)号：CN103534387A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201280013135.0
申请日：2012-04-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C25B1/003 , B01J35/004 , C01B3/042 , C25B1/04 , C25B11/0405 , C25B11/0478 , H01G9/2027 , H01M8/0656 , H01M16/003 , Y02E10/542 , Y02E60/364 , Y02E60/366 , Y02P20/135 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的光电极(100)，具备：导电体层(12)、和在上述导电体层(12)上设置的光催化剂层(13)。导电体层(12)含有金属氮化物。光催化剂层(13)由选自氮化物半导体以及氮氧化物半导体中的至少一种构成。在光催化剂层(13)由n型半导体构成时，真空能级与导电体层(12)的费米能级的能量差小于真空能级与光催化剂层(13)的费米能级的能量差。在光催化剂层(13)由p型半导体构成时，真空能级与导电体层(12)的费米能级的能量差大于真空能级与光催化剂层(13)的费米能级的能量差。
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公开(公告)号：CN102933487A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201180028115.6
申请日：2011-08-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C25B11/0442 , B01J35/004 , C01B3/042 , C25B1/003 , C25B9/08 , C25B11/03 , Y02E60/364 , Y02E60/368
Abstract: 本发明的氢生成设备具备：第1电极(120)，其包括导电性基板(101)以及光触媒性半导体层(102)；第2电极(103)，其与第1电极(120)电连接，并且在将第1电极(120)的担持有光触媒性半导体层(102)的面侧的区域设为第1区域(122)、将与第1区域(122)相反一侧的区域设为第2区域(123)的情况下，该第2电极相对于第1电极(120)而被配置在第2区域(123)；电解液(106)，其包含水；和框体(105)，其保持这些第1电极、第2电极及电解液。在第1电极(120)以及第2电极(103)的相对应的位置处设置贯通孔(131，132)，该贯通孔构成对第1区域(122)和第2区域(123)进行连通的连通孔(130)。在连通孔(130)中，按照堵塞连通孔(130)的方式配置与连通孔(130)实质上为相同形状的离子交换膜(104)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103582608A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201380001465.2
申请日：2013-04-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C25B1/10 , C01B3/042 , C25B1/003 , C25B1/02 , C25B1/04 , C25B1/06 , C25B9/00 , C25B9/10 , C25B9/18 , C25B15/08 , H01M8/0656 , Y02E60/364 , Y02E60/366 , Y02E60/368 , Y02E60/50
Abstract: 本发明提供氢生成单元、氢生成设备及使用该氢生成设备的能量系统。本发明的氢生成单元设有贯通框体的电解液供给孔、电解液排出孔、第一氢流通孔及第二氢流通孔，在设置氢生成单元时，电解液供给孔配置成比电解液排出孔靠铅垂上侧，第一氢流通孔配置成比电解液供给孔靠铅垂上侧，第二氢流通孔配置成比电解液排出孔靠铅垂上侧。利用本结构，能大幅降低与电解液及氢有关的配管长度及歧管数量，能简单且合理地将氢生成单元彼此连结。
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公开(公告)号：CN102686314A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201180004738.X
申请日：2011-11-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种光半导体及其制造方法、以及光半导体设备、光触媒、氢生成设备和能量系统。本发明的光半导体的制造方法包括：混合工序，制作包含铌化合物和还原防止剂的混合物，该铌化合物至少在组成中含有氧；氮化工序，使所述混合物与氮化合物气体进行反应，从而使所述混合物氮化；和洗净工序，从通过所述氮化工序得到的试样中，利用洗净液溶解铌氮氧化物以外的化学种，分离出铌氮氧化物。本发明的光半导体实质上由铌氮氧化物构成，该铌氮氧化物具有斜锆石型结晶构造、且具有由组成式NbON表示的组成。
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公开(公告)号：CN103403940A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201280011114.5
申请日：2012-02-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M8/04119 , H01M8/04029 , H01M8/04291 , H01M8/0606 , H01M8/0656 , H01M16/003 , Y02E60/364
Abstract: 本发明提供一种能量系统，具备：光氢生成部(101)，其通过光催化作用分解水，来生成氢；燃料电池(103)，其通过由光氢生成部(101)产生的氢和氧化气体之间的反应进行发电的同时，将作为反应生成物的水排出；和水配送机构(104)，其将从燃料电池(103)排出的作为反应生成物的水返回到光氢生成部(101)。通过这样的结构，能够抑制来自外部的水的供给量在少量，从而能够提供水收支平衡的能量系统。
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公开(公告)号：CN104334773A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201480001405.5
申请日：2014-04-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C25B1/003 , B01J21/063 , B01J27/24 , C25B1/04 , C25B11/02 , C25B11/0405 , C25B11/0478 , Y02E60/368 , Y02P20/135
Abstract: 本发明为了提高氢的产生效率而提供一种具有高量子效率的光半导体电极、以及使用具备该光半导体电极的光电化学单元来对水进行光分解的方法。本发明的光半导体电极(200)，具备：导电基板(102)；第一半导体光催化剂层(202)，其形成在导电基板(102)的表面上；以及第二半导体光催化剂层(203)，其设置在第一半导体层的表面上，光半导体电极(200)在表面具有多个柱状突起，并且各柱状突起的表面由第二半导体光催化剂层(203)形成。
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公开(公告)号：CN102414118B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201080018615.7
申请日：2010-05-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种氢生成系统及热水生成系统。氢生成系统(2A)具有：氢生成部(201)，其保持含有水的第一液体并通过照射太阳光将所述第一液体中包含的水的一部分分解成氢和氧且对所述第一液体的至少一部分进行加热；第一热交换器(207)，其通过在氢生成部(201)中被加热的所述第一液体和第二液体的热交换，对所述第一液体进行冷却且对所述第二液体进行加热；导入机构(例如循环线(204)及泵(205))，其将在第一热交换器(207)中被冷却的所述第一液体导入氢生成部(201)。
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