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公开(公告)号：CN1254839C
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN01801858.0
申请日：2001-10-26
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: H01J1/30
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J2329/00
Abstract: 一种电场放射型电子源(10)，在由玻璃衬底构成的绝缘性衬底(11)的上侧设置有：由导电性层构成的下部电极(8)；含有由氧化或氮化的多孔性半导体构成的漂移部(6a)的强电场漂移层(6)；由金薄膜构成的表面电极(7)。而且，外加电压使表面电极(7)相对于下部电极(8)成为正极，并使从下部电极(8)注入强电场漂移层(6)的电子在强电场漂移层(6)中漂移，通过表面电极(7)放射到外部。在下部电极(8)和强电场漂移层(6)之间设置有由n层(21)和p层(22)构成的pn结半导体层，据此，就能防止漏泄电流从下部电极(8)流向表面电极(7)，从而降低耗电量。
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公开(公告)号：CN1533608A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN03800686.3
申请日：2003-03-07
Abstract: 所公开的是一种电子源10，该电子源包括形成于绝缘基片1一侧表面上的电子源元件10a。电子源元件10a包括下电极2，复合纳米晶体层6和表面电极7。复合纳米晶体层6包括多个多晶硅晶粒51，在每个晶粒51表面上形成的氧化硅薄膜52，存在于相邻晶粒51之间的大量纳米晶体硅63，以及在每个纳米晶体硅63表面形成的氧化硅膜64。氧化硅膜64是厚度小于纳米晶体硅63晶粒大小的绝缘膜。表面电极7是由碳薄膜7a和金属薄膜7b形成，碳薄膜7a层压在复合纳米晶体层6上与其相接触，而金属薄膜7b层压在碳薄膜7a上。
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公开(公告)号：CN1293441A
公开(公告)日：2001-05-02
申请号：CN00128588.2
申请日：2000-10-18
Applicant: 松下电工株式会社
Abstract: 在由玻璃基板组成的绝缘性基板11的一个表面上形成导电性层8。在导电性层8上形成由氧化的多孔质多晶硅层组成的强电场漂移层6。在强电场漂移层6上形成表面电极7。导电性层8由形成在绝缘性基板11上的由铜组成的下侧的导电性膜8a和形成在该导电性膜8a上的由铝组成的上侧的导电性膜8b所构成。强电场漂移层6这样形成:在导电性层8上形成多晶硅层,把该多晶硅层进行多孔质化,然后,进行氧化。上侧的导电性膜8b具有易于与硅发生反应的性质,因此,在多晶硅层形成时能够抑制非晶层的形成。
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公开(公告)号：CN1287678A
公开(公告)日：2001-03-14
申请号：CN99801925.9
申请日：1999-08-26
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J9/022 , H01J31/127 , H01J2201/3125
Abstract: 本发明提供能够使表面电极的所希望的区域发射出电子的场发射型电子源及其制造方法,场发射型电子源10具备作为导电性基板的p型硅基板1、形成于p型硅基板1内的主表面侧的带状的作为扩散层的n型区域8、形成于n型区域8上,从n型区域注入的电子发生漂移的、氧化的多孔多晶硅构成的强电场漂移层6、形成于强电场漂移层6之间的多晶硅层3,以及在与n型区域8交叉的方向上形成带状,跨越强电场漂移层6上面及多晶硅层3上面形成的导电性薄膜构成的表面电极7。适当选择施加电压的n型区域8和表面电极7,能够使得施加电压的表面电极7中只有与施加电压的n型区域8交叉的区域发射出电子,所以能够使表面电极7的所希望的区域发射出电子。
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公开(公告)号：CN1825519B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200610004886.2
申请日：2001-10-26
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: H01J1/30
Abstract: 一种电场放射型电子源(10)，在由玻璃衬底构成的绝缘性衬底(11)的上侧设置有：由导电性层构成的下部电极(8)；含有由氧化或氮化的多孔性半导体构成的漂移部(6a)的强电场漂移层(6)；由金薄膜构成的表面电极(7)。而且，外加电压使表面电极(7)相对于下部电极(8)成为正极，并使从下部电极(8)注入强电场漂移层(6)的电子在强电场漂移层(6)中漂移，通过表面电极(7)放射到外部。在下部电极(8)和强电场漂移层(6)之间设置有由n层(21)和p层(22)构成的pn结半导体层，据此，就能防止漏泄电流从下部电极(8)流向表面电极(7)，从而降低耗电量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102089853A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200980126594.8
申请日：2009-07-08
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: H01J63/06
CPC classification number: H01J61/305 , H01J61/16 , H01J63/04 , H01J63/08
Abstract: 本发明的发光装置由气密容器(1)、气体、电子源(2)、阳极电极(3)、控制装置(5)及荧光体(4)构成。气密容器具有气密性。气体被密封在气密容器(1)，并该气体受到电子(500)的激发而发射第一光(501)。电子源(2)配置在气密容器(1)内部，因施加驱动电压而发射电子(500)。阳极电极(3)配置在气密容器(1)内部。控制装置(5)向电子源(2)施加驱动电压。荧光体(4)设置在气密容器(1)的内部，并受到所述第一光(501)的激发而发射第二光。电子源(2)因施加放电电压而发射出电子(500)，该电子(500)的能量分布具有峰值。能量分布的所述峰值比所述气体的激发能大，比所述气体的离子能小。
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公开(公告)号：CN1825521B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200610004888.1
申请日：2001-10-26
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: H01J1/30
Abstract: 一种电场放射型电子源(10)，在由玻璃衬底构成的绝缘性衬底(11)的上侧设置有：由导电性层构成的下部电极(8)；含有由氧化或氮化的多孔性半导体构成的漂移部(6a)的强电场漂移层(6)；由金薄膜构成的表面电极(7)。而且，外加电压使表面电极(7)相对于下部电极(8)成为正极，并使从下部电极(8)注入强电场漂移层(6)的电子在强电场漂移层(6)中漂移，通过表面电极(7)放射到外部。在下部电极(8)和强电场漂移层(6)之间设置有由n层(21)和p层(22)构成的pn结半导体层，据此，就能防止漏泄电流从下部电极(8)流向表面电极(7)，从而降低耗电量。
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公开(公告)号：CN101248337A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200680030068.8
申请日：2006-08-16
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: G01J5/20 , H01L27/146
CPC classification number: G01J5/10 , G01J5/20 , H01L31/0284 , H01L31/103
Abstract: 一种红外传感器单元，具有共同形成于半导体衬底(10)上的热红外传感器及相关的半导体器件。电介质顶层(12)覆盖上述衬底以掩盖形成于该衬底的顶面中的半导体器件(20)。热红外传感器(30)承载于传感器座(40)上，该传感器座借助热绝缘支撑件(52)而被支撑于半导体器件的上方。传感器座和支撑件是由叠置于电介质顶层的顶部上的多孔材料制成的。
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公开(公告)号：CN1886820A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200480034906.X
申请日：2004-10-27
Applicant: 松下电工株式会社
Abstract: 在红外辐射元件(A)中，绝热层(2)沿厚度方向形成于半导体衬底(1)的表面上，其比半导体衬底(1)具有充分小的热导率，加热层(3)形成于绝热层(2)上，其为薄层(平面)形式且比绝热层(2)具有更大的热导率和更大的电导率，用于通电的成对的焊盘(4)形成于发热层(3)上。半导体衬底(1)由硅衬底制成。绝热层(2)和加热层(3)由孔隙率彼此不同的多孔硅层形成，且加热层(3)具有小于绝热层(2)的孔隙率。通过将该红外辐射元件(A)作为气敏传感器的红外辐射源，有可能延长红外辐射源的寿命。
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公开(公告)号：CN1282210C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN99124377.3
申请日：1999-11-16
Applicant: 松下电工株式会社
Abstract: 本发明的场致发射型电子源10，设有n型硅衬底1、直接或通过非掺杂多晶硅层3在n型硅衬底1上形成的强电场漂移层6、以及强电场漂移层6上形成的为金薄膜的导电性薄膜7。n型硅衬底1背面设有欧姆电极2。其中，从n型硅衬底1注入强电场漂移层6的电子，在强电场漂移层6内向正面漂移，经过导电性薄膜7逸出。强电场漂移层6，通过靠阳极氧化处理使n型硅衬底1上形成的多晶硅3多孔化，再用稀硝酸等氧化形成。
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