公开(公告)号：CN103681805A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310419349.4

申请日：2013-09-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  须泽英臣 ,  笹川慎也 ,  仓田求 ,  津吹将志

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L27/14616 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/66742

Abstract: 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明提供一种晶体管的导通特性得到提高且能够实现高速响应、高速驱动的半导体装置。并且，制造可靠性高且示出稳定的电特性的半导体装置。本发明的一个方式是具有晶体管的半导体装置，该晶体管包括：第一氧化物层；第一氧化物层上的氧化物半导体层；与氧化物半导体层接触的源电极层及漏电极层；氧化物半导体层上的第二氧化物层；第二氧化物层上的栅极绝缘层；以及栅极绝缘层上的栅电极层，其中，第二氧化物层的边缘部及栅极绝缘层的边缘部与源电极层及漏电极层重叠。

公开(公告)号：CN102157566A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110030644.1

申请日：2008-03-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  须沢英臣 ,  笹川慎也 ,  仓田求

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L29/41733 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76805 ,  H01L23/485 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，当形成接触孔时容易进行蚀刻控制。本发明的半导体装置至少包括：形成在绝缘表面上的半导体层；形成在半导体层上的第一绝缘层；形成在第一绝缘层上的栅电极；以及形成在栅电极上的第二绝缘层，其中，至少在半导体层及第二绝缘层中形成有开口部而露出绝缘表面的一部分，并且，还包括通过该开口部且形成在第二绝缘层上的导电层。这里的导电层在形成于半导体层中的开口的侧面处与半导体层电连接。

公开(公告)号：CN102136498A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN201010620963.3

申请日：2010-12-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  笹川慎也 ,  仓田求

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78678 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78648

Abstract: 本发明名称为“薄膜晶体管”。提供一种具有有利电特性和高生产率的薄膜晶体管。该薄膜晶体管包括覆盖栅电极的栅绝缘层、与栅绝缘层接触的半导体层、与部分半导体层接触并充当源区和漏区的杂质半导体层及与杂质半导体层接触的布线。半导体层包括具有凹凸形状且在栅绝缘层侧上形成的微晶半导体区和与微晶半导体区接触的非晶半导体区。在半导体层与布线之间提供势垒区。

公开(公告)号：CN102117837A

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN201010624629.5

申请日：2010-12-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  笹川慎也 ,  仓田求 ,  田所麻美

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L29/78609 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678

Abstract: 提供一种具有有利电特性的薄膜晶体管。薄膜晶体管包括：栅电极；栅绝缘层；半导体层，它包括微晶半导体区和非晶半导体区；杂质半导体层；布线；第一氧化区，设置在微晶半导体区与布线之间；以及第二氧化区，设置在非晶半导体区与布线之间，其中，在从所述布线中包含的元素的分布与所述半导体层中包含的元素的分布的相交处的所述半导体层侧，与所述第一氧化区中的氧分布的最高倾斜度(m1)相切的直线和与所述第二氧化区中的氧分布的最高倾斜度(m2)相切的直线满足关系式1＜m1/m2＜10。

公开(公告)号：CN101276840B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200810086794.2

申请日：2008-03-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  须沢英臣 ,  笹川慎也 ,  仓田求

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/41733 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76805 ,  H01L23/485 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供当形成接触孔时容易进行蚀刻控制的半导体装置的制造技术。本发明的半导体装置至少包括：形成在绝缘表面上的半导体层；形成在半导体层上的第一绝缘层；形成在第一绝缘层上的栅电极；以及形成在栅电极上的第二绝缘层，其中，至少在半导体层及第二绝缘层中形成有开口部而露出绝缘表面的一部分，并且，还包括通过该开口部且形成在第二绝缘层上的导电层。这里的导电层在形成于半导体层中的开口的侧面处与半导体层电连接。

公开(公告)号：CN101276840A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810086794.2

申请日：2008-03-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  须沢英臣 ,  笹川慎也 ,  仓田求

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/41733 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76805 ,  H01L23/485 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供当形成接触孔时容易进行蚀刻控制的半导体装置的制造技术。本发明的半导体装置至少包括：形成在绝缘表面上的半导体层；形成在半导体层上的第一绝缘层；形成在第一绝缘层上的栅电极；以及形成在栅电极上的第二绝缘层，其中，至少在半导体层及第二绝缘层中形成有开口部而露出绝缘表面的一部分，并且，还包括通过该开口部且形成在第二绝缘层上的导电层。这里的导电层在形成于半导体层中的开口的侧面处与半导体层电连接。

公开(公告)号：CN117690977A

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202311531376.0

申请日：2018-08-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  浅见良信 ,  石山贵久 ,  仓田求 ,  德丸亮 ,  石原典隆 ,  野中裕介

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

Abstract: 本发明提供了半导体装置，其包括：第一绝缘体；第二绝缘体；氧化物；第一及第二导电体；氧化物、第一及第二导电体上的第三绝缘体；第三绝缘体上且至少一部分与第一和第二导电体之间的区域重叠的第三导电体；覆盖氧化物、第一、第二、第三导电体及第三绝缘体的第四绝缘体；第四绝缘体上的第五绝缘体；第五绝缘体上的第六绝缘体；第七绝缘体；和第八绝缘体，其中第七绝缘体与第一导电体的上表面、第四绝缘体的底面、第一导电体的侧面及氧化物的第一侧面接触，第八绝缘体与第二导电体的上表面、第四绝缘体的底面、第二导电体的侧面及氧化物的第二侧面接触，第四绝缘体的一部分中形成到达第二绝缘体的开口，且第五绝缘体通过该开口与第二绝缘体接触。

公开(公告)号：CN111033702A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201880054552.7

申请日：2018-08-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  浅见良信 ,  石山贵久 ,  仓田求 ,  德丸亮 ,  石原典隆 ,  野中裕介

IPC: H01L21/336 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/363 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

Abstract: 提供一种可靠性良好的半导体装置。该半导体装置包括第一绝缘体、配置在第一绝缘体上的第二绝缘体、配置在第二绝缘体上的氧化物、在氧化物上彼此分开地配置的第一导电体及第二导电体、配置在氧化物、第一导电体及第二导电体上的第三绝缘体、配置在第三绝缘体上且以其至少一部分与第一导电体和第二导电体之间的区域重叠的方式配置的第三导电体、以覆盖氧化物、第一导电体、第二导电体、第三绝缘体及第三导电体的方式配置的第四绝缘体、配置在第四绝缘体上的第五绝缘体以及配置在第五绝缘体上的第六绝缘体，在第四绝缘体的至少一部分中形成到达第二绝缘体的开口，第五绝缘体通过开口与第二绝缘体接触，第一绝缘体、第四绝缘体及第六绝缘体的氧透过性比第二绝缘体低。

公开(公告)号：CN109478514A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780043080.0

申请日：2017-07-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山根靖正 ,  仓田求 ,  方堂凉太 ,  石山贵久

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种稳定的电特性的半导体装置。或者，提供一种适合于微细化或高密度化的可靠性高的半导体装置。该半导体装置，包括：第一阻挡层；第二阻挡层；第三阻挡层；具有氧化物的晶体管；绝缘体；以及导电体。绝缘体包括过剩氧区域。绝缘体及氧化物位于第一阻挡层与第二阻挡层之间。导电体隔着第三阻挡层位于第一阻挡层的开口、第二阻挡层的开口、绝缘体的开口中。

公开(公告)号：CN103779426B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201410046438.3

申请日：2010-12-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  乡户宏充 ,  须泽英臣 ,  笹川慎也 ,  仓田求 ,  三上真弓

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/45 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种维持有利的特性并实现微细化的、包括氧化物半导体的半导体装置。一种半导体装置，包括：氧化物半导体层；与所述氧化物半导体层接触的源电极及漏电极；与所述氧化物半导体层重叠的栅电极；以及设置在所述氧化物半导体层和所述栅电极之间的栅极绝缘层，其中，所述源电极及所述漏电极各包括第一导电层和具有从所述第一导电层的端部向沟道长度方向延伸的区域的第二导电层。