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公开(公告)号:CN1144294C
公开(公告)日:2004-03-31
申请号:CN99101611.4
申请日:1999-01-28
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立器件工程株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/02 , G11C11/34 , G11C16/00
CPC classification number: B82Y10/00 , G11C11/5621 , G11C11/5628 , G11C11/5635 , G11C11/5642 , G11C11/5671 , G11C16/0416 , G11C16/10 , G11C16/16 , G11C16/26 , G11C2216/08 , H01L21/28273 , H01L27/115 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L29/42324 , H01L29/66825 , H01L29/7883 , H01L29/7888 , H01L29/7889
Abstract: 表面面积小的存储器单元,分别选择每个存储器单元的局部数据线,连接于全局数据线,以时间复用方式执行读出和写入。存储器单元能够置于字线和数据线的所有交点处。借助于建立完全相同的模拟单元的标准阈值电压,获得了改善的噪声裕度。在写入过程中将写入数据暂时保存在存储器单元中的寄存器,被用作在写入验证过程中保存表示写入已经终止的标志的寄存器。由一个nMOS晶体管组成的电路被用作改变写入终止标志上的数值的装置。
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公开(公告)号:CN110033113A
公开(公告)日:2019-07-19
申请号:CN201811530463.3
申请日:2018-12-14
Applicant: 株式会社日立制作所
Inventor: 矢野和男
Abstract: 一种信息处理系统及信息处理系统的学习方法。在以往的机器学习中,关于数据较少的事件,存在预测精度降低的问题。在本发明的优选的一个方式中,在输入原始数据并输出预测结果的信息处理系统中,根据原始数据至少生成第1数据和第2数据。使用第1数据进行预测的第1预测式具有至少一个参数,具有使用第1预测式的第1预测结果来调整该参数的第1学习器。使用第2数据进行预测的第2预测式具有至少一个参数,具有使用第2预测式的第2预测结果来调整该参数的第2学习器。并且,在由第1学习器调整的参数和由第2学习器调整的参数中具有至少一个共同的参数。
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公开(公告)号:CN102369545A
公开(公告)日:2012-03-07
申请号:CN201080014461.4
申请日:2010-03-04
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G06Q10/00
CPC classification number: G06Q10/10 , G06Q10/063
Abstract: 本发明提供沟通支持装置、沟通支持系统、及沟通支持方法。高效地提高组织内的沟通的密度、增加网络上的三角形构造。根据表示多个人物间的沟通的数据构建多个人物的网络构造。然后,根据表示沟通的数据确定改善沟通的第1人物,确定网络构造中的用来增加第1人物周围的三角形构造的第2人物及第3人物。并且,输出用来敦促第2人物与第3人物之间的沟通的显示数据。
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公开(公告)号:CN100361304C
公开(公告)日:2008-01-09
申请号:CN03158004.1
申请日:1999-01-28
Applicant: 株式会社日立制作所 , 株式会社日立显示器件
IPC: H01L27/105 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/8247
CPC classification number: B82Y10/00 , G11C11/5621 , G11C11/5628 , G11C11/5635 , G11C11/5642 , G11C11/5671 , G11C16/0416 , G11C16/10 , G11C16/16 , G11C16/26 , G11C2216/08 , H01L21/28273 , H01L27/115 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L29/42324 , H01L29/66825 , H01L29/7883 , H01L29/7888 , H01L29/7889
Abstract: 表面面积小的存储器单元,分别选择每个存储器单元的局部数据线,连接于全局数据线,以时间复用方式执行读出和写入。存储器单元能够置于字线和数据线的所有交点处。借助于建立完全相同的模拟单元的标准阈值电压,获得了改善的噪声裕度。在写入过程中将写入数据暂时保存在存储器单元中的寄存器,被用作在写入验证过程中保存表示写入已经终止的标志的寄存器。由一个nMOS晶体管组成的电路被用作改变写入终止标志上的数值的装置。
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公开(公告)号:CN1725871A
公开(公告)日:2006-01-25
申请号:CN200410010467.0
申请日:2004-08-31
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H04W52/287 , H04W52/0235 , Y02D70/142
Abstract: 本发明提供一种通信方法及用于该方法的基站,在通过无线终端装置利用电源的起动/切断来重复操作状态和休止状态的间歇操作来谋求实现减少电力消耗的系统中,从基站向无线终端装置可靠地传送信息。具有进行计测的传感器,在重复操作状态和休止状态的间歇操作的无线终端装置(NOD10a)和基站(BAS20a)之间进行的通信方法。在基站中保存给予无线终端装置的命令或数据等基站信息(s130),将无线终端装置从休止状态向操作状态切换(s150)后,向基站发送来自传感器的信息(s161),在位于用于发送传感器信息的操作状态的无线终端装置中,将在基站中保存的基站信息结合到应答信号并发送(s181),基站信息和传感器信息的发送结束后,将无线终端装置返回到休止状态(s220)。
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公开(公告)号:CN1204627C
公开(公告)日:2005-06-01
申请号:CN02122083.2
申请日:1994-08-19
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/105 , H01L29/772
CPC classification number: B82Y10/00 , G11C11/22 , G11C11/404 , G11C16/02 , G11C16/0466 , G11C16/10 , G11C16/28 , G11C2216/06 , G11C2216/08 , H01L21/28273 , H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L27/11526 , H01L27/11546 , H01L27/11551 , H01L27/1203 , H01L29/42328 , H01L29/513 , H01L29/66825 , H01L29/7613 , H01L29/785 , H01L29/7888
Abstract: 一种场效应半导体元件,它是用少数元件实现的并具有较小的面积且能够在不需要进行低温冷却的情况下通过其存储数据,及利用其的数据处理设备。栅极—沟道电容被设定得如此地小,以致能根据该半导体场效应晶体管元件电流的改变明确而清楚地检测出捕获区是否俘获到了一个电子或空穴。通过检测该半导体元件的阈值电压由于在捕获区中捕获电子或空穴而产生的改变,就能在室温下实现数据存储。
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公开(公告)号:CN1086842C
公开(公告)日:2002-06-26
申请号:CN97110215.5
申请日:1994-08-19
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/105 , H01L29/772
CPC classification number: B82Y10/00 , G11C11/22 , G11C11/404 , G11C16/02 , G11C16/0466 , G11C16/10 , G11C16/28 , G11C2216/06 , G11C2216/08 , H01L21/28273 , H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L27/11526 , H01L27/11546 , H01L27/11551 , H01L27/1203 , H01L29/42328 , H01L29/513 , H01L29/66825 , H01L29/7613 , H01L29/785 , H01L29/7888
Abstract: 一种场效应半导体元件,它是用少数元件实现的并具有较小的面积且能够在不需要进行低温冷却的情况下通过其存储数据,及利用其的数据处理设备。栅极-沟道电容被设定得如此地小,以致能根据该半导体场效应晶体管元件电流的改变明确而清楚地检测出捕获区是否俘获到了一个电子或空穴。通过检测该半导体元件的阈值电压由于在捕获区中捕获电子或空穴而产生的改变,就能在室温下实现数据存储。
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公开(公告)号:CN1173044A
公开(公告)日:1998-02-11
申请号:CN97110215.5
申请日:1994-08-19
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/105 , H01L29/772
CPC classification number: B82Y10/00 , G11C11/22 , G11C11/404 , G11C16/02 , G11C16/0466 , G11C16/10 , G11C16/28 , G11C2216/06 , G11C2216/08 , H01L21/28273 , H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L27/11526 , H01L27/11546 , H01L27/11551 , H01L27/1203 , H01L29/42328 , H01L29/513 , H01L29/66825 , H01L29/7613 , H01L29/785 , H01L29/7888
Abstract: 一种场效应半导体元件,它是用少数元件实现的并具有较小的面积且能够在不需要进行低温冷却的情况下通过其存储数据,及利用其的数据处理设备。栅极—沟道电容被设定得如此地小,以致能根据该半导体场效应晶体管元件电流的改变明确而清楚地检测出捕获区是否俘获到了一个电子或空穴。通过检测该半导体元件的阈值电压由于在捕获区中捕获电子或空穴而产生的改变,就能在室温下实现数据存储。
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