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公开(公告)号：CN119427201A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411023365.6
申请日：2024-07-29
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供一种研磨装置，能够防止研磨液的磨粒、工件的研磨屑附着于光学传感器头，提高工件的膜厚的测定精度。研磨装置具备：研磨台(3)，该研磨台支承形成有通孔(4)的研磨垫(2)；光学膜厚测定系统(20)，该光学膜厚测定系统具有安装于研磨台(3)的光学传感器头(25)；透明液流入路(50)，该透明液流入路向通孔(4)供给透明液；以及与通孔(4)连通的投光侧透明液流出路(51)及受光侧透明液流出路(52)。光学传感器头(25)具有向斜上方发出光的投光面(71)和接收来自工件(W)的反射光的受光面(72)，投光面(71)面向投光侧透明液流出路(51)，受光面(72)面向受光侧透明液流出路(52)。
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公开(公告)号：CN118254100A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311807253.5
申请日：2023-12-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/005 , B24B37/34 , B24B49/12
Abstract: 本发明提供一种基板研磨装置。在光学式表面监视系统中，除去或者缓和由基板与研磨台之间的相对速度的差异导致的测定精度的影响。基板研磨装置具有：研磨台；用于使所述研磨台旋转的电机；构成为保持基板的基板保持头；光源；以及配置于研磨台的内部的光学头。光学头具备投光口和受光口，该投光口被配置为将来自所述光源的光朝向保持于基板保持头的基板投射，该受光口被配置为接受从保持于所述基板保持头的基板反射的光。基板研磨装置还具有：用于检测由所述受光口接受到的光的光检测器；用于控制光被取入所述光检测器的曝光时间的快门；以及用于基于基板的研磨条件来控制所述快门的动作以变更所述曝光时间的控制装置。
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公开(公告)号：CN118254095A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311794227.3
申请日：2023-12-25
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/005 , B24B37/04 , B24B37/20 , B24B37/34
Abstract: 提供一种研磨装置及研磨方法，即使传感头的数量增加，研磨装置的尺寸的增加量也较之以往有所改善。研磨基板(W)的研磨装置(110)具有用于保持研磨垫的研磨台和相对于所述研磨垫按压基板(W)的表面的研磨头。多个第一光学头(131～134)一边横穿基板(W)地移动一边检测与基板(W)的膜厚有关的信号。一个分光器(14)接收并处理多个第一传感头(131～134)中的至少两个第一传感头所输出的信号。光开关(40)将传感头(131～134)选择性地与分光器(14)连接。在多个传感头(131～134)同时与基板相对的时刻，处理部(15)控制光开关(40)，以将与分光器(14)的连接从一个传感头切换至另一个传感头。
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公开(公告)号：CN116352597A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211673903.7
申请日：2022-12-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供一种研磨装置及研磨方法，能够防止设置于研磨垫的透明窗的内表面上的结露，并能够测定准确的膜厚。研磨装置具备：研磨垫(2)，该研磨垫具有研磨面(2a)；研磨头(1)，该研磨头用于将工件(W)按压于研磨面(2a)；透明窗(33)，该透明窗配置在研磨垫(2)内；研磨台(3)，该研磨台支承研磨垫(2)；光学式传感器头(32)，该光学式传感器头配置在透明窗(33)的下方，用于通过透明窗(33)而将光引导至工件(W)，并通过透明窗(33)来接收来自工件(W)的反射光；以及冷却装置(63)，该冷却装置用于对透明窗(33)与光学式传感器头(32)之间的空间(60)进行冷却。
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公开(公告)号：CN116100458A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211398659.8
申请日：2022-11-09
Applicant: 株式会社荏原制作所
Inventor： 木下将毅
IPC: B24B37/005 , B24B37/013 , B24B37/10 , B24B37/34 , B24B57/02
Abstract: 本发明提供一种能够在工件的研磨过程中正确地测定在半导体器件的制造中使用的工件的膜厚的研磨装置及研磨方法。处理系统构成为基于通过以下的计算公式计算出的相对反射率数据来确定工件的膜厚。相对反射率数据＝MD1/[BD1·k]。其中，MD1是表示由第一分光器(27)测定出的来自工件(W)的反射光的强度的第一强度测定数据，BD1是第一基准强度数据，k是第二强度测定数据相对于第二基准强度数据的变化率，该第二强度测定数据表示在工件(W)的研磨过程中由第二分光器(28)测定出的光源的光的强度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110052961A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910043492.5
申请日：2019-01-17
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B49/12 , B24B37/005 , B24B37/34
Abstract: 提供一种研磨装置，能够通过对照射到晶片的光量进行调整而进行正确的膜厚测定。研磨装置具备：光源(30)；投光光纤(34)，该投光光纤具有配置于研磨台(3)内的不同位置的多个顶端(34a、34b)；以及受光光纤(50)，该受光光纤(50)具有配置于研磨台(3)内的不同位置的多个顶端(50a、50b)。投光光纤(34)具有第一投光光纤(36)和第二投光光纤(37)，第一减光器(70)安装于第一投光光纤(36)和第二投光光纤(37)，第二减光器(72)安装于第一投光光纤(36)和第二投光光纤(37)中的至少一个。
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公开(公告)号：CN108818295A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810707673.9
申请日：2014-07-11
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/04 , B24B49/12 , H01L21/304
Abstract: 一种研磨装置，具有：对处于静止状态的基板的膜厚进行测量的在线型膜厚测量器(80)；以及具有配置在研磨台(30A)内的膜厚传感器(40)的原位分光式膜厚监视器(39)。原位分光式膜厚监视器(39)，从研磨基板前由在线型膜厚测量器(80)取得的初期膜厚中，减去研磨基板前由原位分光式膜厚监视器(39)取得的初期膜厚，由此确定补正值，对研磨基板中取得的膜厚加上补正值，由此取得监视膜厚，基于监视膜厚而监视基板的研磨进度。采用本发明，研磨装置能实现高精度的精加工性能。
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公开(公告)号：CN106457507A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580020769.2
申请日：2015-04-10
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/013 , B24B37/34 , B24B49/02 , B24B49/12 , H01L21/304
CPC classification number: B24B49/05 , B24B37/013 , B24B37/105 , B24B37/32 , B24B37/34 , B24B49/02 , B24B49/03 , B24B49/04 , B24B49/12 , H01L21/67 , H01L22/12 , H01L22/26
Abstract: 本发明关于一种依据来自晶片等基板的反射光所含的光学信息测定膜厚，并研磨该基板的研磨方法及研磨装置。研磨方法准备分别包含对应于不同膜厚的多个参考光谱的多个光谱群，在基板上照射光，并接收来自该基板的反射光，根据反射光生成抽样光谱，选择包含形状与抽样光谱最接近的参考光谱的光谱群，研磨基板，并生成测定光谱，并从选出的光谱群选择形状与研磨基板时所生成的测定光谱最接近的参考光谱，取得对应于选出的参考光谱的膜厚。
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公开(公告)号：CN303134218S
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201430116366.6
申请日：2014-04-28
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 1.本外观设计产品的名称为研磨垫。2.本外观设计产品安装在化学机械抛光装置的研磨台上，用于研磨半导体晶圆等。3.本外观设计为针对同一产品的2项相似外观设计，其中指定设计1为基本设计。4.本外观设计产品的设计要点在于产品的形状。5.指定设计1俯视图为最能表明设计要点的视图。6.设计1和设计2中的各后视图因与各自的主视图相同而被省略，各左视图因与各自的右视图相同而被省略。
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