公开(公告)号：CN111812939B

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202010194656.7

申请日：2020-03-19

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 能丸圭司 ,  伊藤优作

IPC: G03B39/00 ,  G03B15/02 ,  G02B27/10 ,  G02B27/42 ,  H04N5/76 ,  H04N7/18 ,  B23K26/38 ,  B23K26/70 ,  H04N23/54 ,  H04N23/55 ,  H04N23/56 ,  H04N23/57

Abstract: 提供超高速拍摄装置，其能够以更高的分辨率进行拍摄。超高速拍摄装置的拍摄单元包含：物镜，其与卡盘工作台所支承的被加工物对置；分束器，其配设于从物镜延伸的第一光路上；图像处理单元，其配设于从分束器延伸的第二光路上；以及照明单元，其配设于从分束器延伸的第三光路上。照明单元包含：宽频带脉冲光源；以及分光器，其将从宽频带脉冲光源射出的1脉冲的光分光成多个波长并且产生时间差。图像处理单元包含：衍射光栅，其将以时间差照射至卡盘工作台所支承的被加工物的返回光按照每个波长改变角度而进行分光；以及图像传感器，其在与波长对应的每个角度的区域如分解照片那样拍摄通过衍射光栅而分光的返回光。

公开(公告)号：CN111812939A

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN202010194656.7

申请日：2020-03-19

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 能丸圭司 ,  伊藤优作

IPC: G03B39/00 ,  G03B15/02 ,  G02B27/10 ,  G02B27/42 ,  H04N5/225 ,  H04N5/76 ,  H04N7/18 ,  B23K26/38 ,  B23K26/70

Abstract: 提供超高速拍摄装置，其能够以更高的分辨率进行拍摄。超高速拍摄装置的拍摄单元包含：物镜，其与卡盘工作台所支承的被加工物对置；分束器，其配设于从物镜延伸的第一光路上；图像处理单元，其配设于从分束器延伸的第二光路上；以及照明单元，其配设于从分束器延伸的第三光路上。照明单元包含：宽频带脉冲光源；以及分光器，其将从宽频带脉冲光源射出的1脉冲的光分光成多个波长并且产生时间差。图像处理单元包含：衍射光栅，其将以时间差照射至卡盘工作台所支承的被加工物的返回光按照每个波长改变角度而进行分光；以及图像传感器，其在与波长对应的每个角度的区域如分解照片那样拍摄通过衍射光栅而分光的返回光。

公开(公告)号：CN111162017A

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN201911079478.7

申请日：2019-11-07

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 伊藤优作 ,  村泽尚树 ,  平田和也

IPC: H01L21/66 ,  B23K26/53

Abstract: 本发明提供小面区域的检测方法和检测装置以及晶片的生成方法和激光加工装置。该小面区域的检测方法是能够检测出小面区域和非小面区域的SiC晶锭的小面区域的检测方法。该小面区域的检测方法包括下述工序：荧光亮度检测工序，从SiC晶锭(84)的上表面对SiC晶锭(84)照射规定波长的激发光(EL)，检测SiC固有的荧光亮度；以及坐标设定工序，将荧光亮度检测工序中荧光亮度为规定值以上的区域设为非小面区域(100)，荧光亮度低于规定值的区域设为小面区域(98)，设定小面区域(98)与非小面区域(100)的边界的坐标。

公开(公告)号：CN105397281B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201510563755.7

申请日：2015-09-07

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 九鬼润一 ,  伊藤优作

IPC: B23K26/00

CPC classification number: B23K26/032 ,  B23K26/364 ,  B23K2103/56

Abstract: 本发明提供激光加工装置。激光加工装置具有：控制单元，其控制激光光线照射单元和移动单元，该激光光线照射单元对保持于被加工物保持单元的被加工物照射激光光线并具有聚光器，该移动单元使被加工物保持单元与激光光线照射单元相对移动；输入单元，其输入期望的加工结果；以及3维图像摄像单元，其对保持于被加工物保持单元的被加工物的加工状态进行摄像而生成3维图像，控制单元实施加工条件调整工序，根据通过输入单元输入的期望的加工结果和通过3维图像摄像单元生成的加工状态的3维图像，调整加工条件以获得期望的加工结果，该控制单元根据在加工条件调整工序中调整后的加工条件控制激光光线照射单元和移动单元。

公开(公告)号：CN105364302B

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201510494227.0

申请日：2015-08-12

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 浅野健司 ,  能丸圭司 ,  约耳·科维尔 ,  桐原直俊 ,  畑雄大 ,  伊藤优作

IPC: B23K26/073 ,  B23K26/70 ,  B23K26/364 ,  B23K26/402

Abstract: 激光光线的光点形状检测方法。包括：凹面镜保持工序，在被加工物保持单元上保持反射面为球面的凹面镜；分支单元定位工序，将分支单元定位于作用位置处，该分支单元使激光光线从激光光线振荡单元向聚光器通过，并且将由聚光器会聚且被保持于被加工物保持单元的凹面镜的反射面反射的反射光引导至反射光检测路径；焦点定位工序，将聚光器的焦点定位于包括形成保持于被加工物保持单元的凹面镜的反射面的球面中心的附近处；激光光线照射工序，使激光光线振荡单元进行工作，将由聚光器会聚的激光光线照射到保持于被加工物保持单元的凹面镜上；以及摄像工序，通过摄像单元对被凹面镜的反射面反射且由分支单元引导至检测路径的反射光进行摄像而取得图像。

公开(公告)号：CN107037058A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611166886.2

申请日：2016-12-16

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 伊藤优作 ,  矢野紘英 ,  谷本宙一 ,  久木田瑠璃子

IPC: G01N21/89 ,  G01N21/892 ,  G01B11/06

CPC classification number: G01N21/8914 ,  G01B11/0691 ,  G01N21/892 ,  G01N2021/8925

Abstract: 提供检查装置，缩短被检查物检查所需的时间。检查装置(2)对板状的被检查物(11)进行检查，其具有：保持工作台(6)，其对被检查物进行保持；旋转机构(8)，其使保持工作台旋转；和检查单元(10)，其对保持在保持工作台上的被检查物进行检查，检查单元包含取得检查信息的第1检测单元(24)和第2检测单元(26)，该检查信息被用于检测被检查物的缺损、被检查物的表面的伤痕、附着于被检查物的附着物以及被检查物的厚度中的任意情况，一边使保持着被检查物的状态的保持工作台旋转，一边使检查单元按照包含被检查物的中心(11d)在内的直线状的区域(13)直线移动，从而利用第1检测单元和第2检测单元取得检查信息。

公开(公告)号：CN105977175A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610127183.2

申请日：2016-03-07

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 梁仙一 ,  伊藤优作 ,  远藤智章 ,  大浦幸伸 ,  小田中健太郎

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01N21/55 ,  G01N21/3563 ,  G01N21/8422 ,  G01N2021/8427 ,  G01N2021/8433 ,  H01L22/12 ,  H01L22/30

Abstract: 提供保护膜检测方法，高精度地确认保护膜覆盖装置所进行的水溶性保护膜的覆盖状况，是检测被加工物上是否覆盖有水溶性保护膜的方法。保护膜检测方法具有检测前的准备步骤(ST1)和检测步骤(ST2)。准备步骤(ST1)具有：反射强度获取步骤(ST12)，对参照物的覆盖有水溶性保护膜的第1区域和未覆盖水溶性保护膜的第2区域照射红外光并接受反射光，获取第1区域的反射强度和第2区域的反射强度；阈值决定步骤(ST13)，根据波数为3000cm-1～3600cm-1的情况下的第1区域的反射强度和第2区域的反射强度来求解阈值。检测步骤(ST2)对被加工物的表面照射红外光并接受反射光并将获取的反射强度与阈值进行比较。

公开(公告)号：CN105489523A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201510622968.2

申请日：2015-09-25

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 伊藤优作 ,  矢野紘英 ,  谷口智之

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/687

Abstract: 提供一种晶片检查方法和晶片检查装置，能够短时间且高精度地检查晶片的加工面的研磨不良。晶片检查方法具有如下工序：对拍摄晶片(W)的加工面进行拍摄；将拍摄数据的规定的像素中的像素值比周边像素高的像素提取为特征点而制作第1图像；以及将拍摄数据的规定的像素中的像素值比周边像素低的像素提取为特征点而制作第2图像，根据第1、第2图像检查晶片的加工面。

公开(公告)号：CN104416449A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410406398.9

申请日：2014-08-18

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 伊藤优作

IPC: B24B37/00 ,  B28D5/00 ,  B23K26/38 ,  B23K26/70

CPC classification number: G01N27/82 ,  G01B11/0608 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/681 ,  H04N13/204 ,  B24B7/228 ,  B23K26/38 ,  B24B47/20 ,  B24B49/12 ,  B28D5/0005 ,  B28D7/00

Abstract: 本发明提供一种加工装置，其能够以三维方式验证对被加工物实施了加工后的加工状态。加工装置具有：被加工物保持单元，其保持被加工物；加工单元，其对保持在被加工物保持单元的被加工物实施加工；加工进给单元，其使被加工物保持单元和加工单元在加工进给方向(X轴方向)上进行加工进给；三维摄像机构，其在X轴方向、与X轴方向正交的Y轴方向、与X轴方向和Y轴方向正交的Z轴方向上以三维方式对保持在被加工物保持单元上的被加工物进行拍摄，并输出拍摄到的图像信号；处理单元，其根据从三维摄像机构输出的图像信号生成三维图像；以及输出单元，其输出由处理单元生成的三维图像。