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公开(公告)号：CN111293083B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201911219424.6
申请日：2019-12-03
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78 , H01L21/683
Abstract: 提供被加工物的加工方法、器件芯片的制造方法，形成抗弯强度高的芯片。将被加工物沿着分割预定线分割而形成芯片的被加工物的加工方法具有如下步骤：框架单元准备步骤，准备如下框架单元：该框架单元具有带、环状的框架以及被加工物，带粘贴在被加工物的背面上，具有延伸性，带的外周部粘贴于环状的框架；保护膜形成步骤，对被加工物的正面涂布液态树脂而形成保护膜；切断步骤，沿着分割预定线对被加工物照射激光束从而沿着分割预定线将被加工物切断；间隔扩展步骤，将粘贴于被加工物的带向径向外侧扩展，将切断被加工物而形成的各芯片间的间隔扩展；和蚀刻步骤，通过湿蚀刻将由于切断步骤中的激光束的照射而形成于各芯片的切断面的变质区域去除。
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公开(公告)号：CN108373694A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201611040545.0
申请日：2016-11-10
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: C09D129/04 , C09D7/61 , C03B33/08
CPC classification number: Y02P40/57 , C09D129/04 , C03B33/082 , C08K7/00 , C08K2003/2241
Abstract: 本发明涉及保护膜形成用树脂剂和激光加工方法。在使用激光束的加工中，进一步提高加工性、加工品质和成品率。作为用于激光加工的保护膜形成用树脂剂，使用含有水溶性树脂和分散在树脂水溶液中且具有细长形状的金属氧化物的微粒的保护膜形成用树脂剂，所述细长形状的截面具有长轴和与长轴正交的短轴。具有截面具有长轴和与长轴正交的短轴的细长形状的金属氧化物的微粒分散在树脂水溶液中，因此通过将其涂布在被加工物上形成保护膜来进行激光加工，保护膜中的激光束的吸收率增高，因此加工效率提高，对于对激光束波长的吸收性低的基板，也能够高效地进行激光加工。此外，加工品质也增高，从而能够提高利用加工制造的制品的成品率。
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公开(公告)号：CN106847747A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201610997489.3
申请日：2016-11-11
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: H01L21/78 , B05D1/005 , B05D3/06 , H01L21/268 , H01L21/30604 , H01L21/67092 , B23D19/00 , B23K10/00 , B23K26/032 , B23K26/08 , B23K26/364 , B28D5/022
Abstract: 提供晶片的分割方法，不使含有Cu的碎屑在加工槽内成长并使碎屑不与器件的配线层接触。对晶片(W)进行分割，该晶片在上表面(W2a)具有含有Cu的配线层(W2)，并且在由分割预定线(S)划分出的区域内形成有器件(D)，该晶片的分割方法具有如下工序：激光加工槽形成工序，从配线层侧(W2)照射对于晶片具有吸收性的波长的激光光线而沿着分割预定线将配线层去除并形成加工槽(M)；切削工序，在实施了激光加工槽形成工序之后，使宽度比加工槽(M)的最外侧宽度Mw(Max)窄的切削刀具(60)沿着加工槽切入晶片并将晶片完全切断；以及干蚀刻工序，在实施了激光加工槽形成工序之后，至少对加工槽(M)进行干蚀刻。
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公开(公告)号：CN105977175A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610127183.2
申请日：2016-03-07
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01N21/55 , G01N21/3563 , G01N21/8422 , G01N2021/8427 , G01N2021/8433 , H01L22/12 , H01L22/30
Abstract: 提供保护膜检测方法，高精度地确认保护膜覆盖装置所进行的水溶性保护膜的覆盖状况，是检测被加工物上是否覆盖有水溶性保护膜的方法。保护膜检测方法具有检测前的准备步骤(ST1)和检测步骤(ST2)。准备步骤(ST1)具有：反射强度获取步骤(ST12)，对参照物的覆盖有水溶性保护膜的第1区域和未覆盖水溶性保护膜的第2区域照射红外光并接受反射光，获取第1区域的反射强度和第2区域的反射强度；阈值决定步骤(ST13)，根据波数为3000cm-1～3600cm-1的情况下的第1区域的反射强度和第2区域的反射强度来求解阈值。检测步骤(ST2)对被加工物的表面照射红外光并接受反射光并将获取的反射强度与阈值进行比较。
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公开(公告)号：CN116130381A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211388948.X
申请日：2022-11-08
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/67 , H01L21/56 , B23K26/364
Abstract: 本发明提供晶片的加工方法和封装器件的制造方法，提高晶片的正面与密封树脂的紧贴性。该晶片的加工方法是在由多条分割预定线划分的多个区域内分别形成有器件的晶片的加工方法，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：保护膜包覆工序，在晶片的正面上涂布保护膜剂之后使保护膜剂干燥而形成保护膜，利用保护膜包覆正面；激光加工工序，沿着晶片的正面的各分割预定线照射具有被晶片吸收的波长的激光束，形成多个激光加工槽；保护膜去除工序，进行清洗而去除保护膜；残留有机物去除工序，对晶片的正面照射紫外线，将残留于晶片的正面的源自保护膜的有机物去除；以及包覆工序，利用密封树脂包覆与位于晶片的正面的各器件对应的包覆区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108373694B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201611040545.0
申请日：2016-11-10
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: C09D129/04 , C09D7/61 , C03B33/08
Abstract: 本发明涉及保护膜形成用树脂剂和激光加工方法。在使用激光束的加工中，进一步提高加工性、加工品质和成品率。作为用于激光加工的保护膜形成用树脂剂，使用含有水溶性树脂和分散在树脂水溶液中且具有细长形状的金属氧化物的微粒的保护膜形成用树脂剂，所述细长形状的截面具有长轴和与长轴正交的短轴。具有截面具有长轴和与长轴正交的短轴的细长形状的金属氧化物的微粒分散在树脂水溶液中，因此通过将其涂布在被加工物上形成保护膜来进行激光加工，保护膜中的激光束的吸收率增高，因此加工效率提高，对于对激光束波长的吸收性低的基板，也能够高效地进行激光加工。此外，加工品质也增高，从而能够提高利用加工制造的制品的成品率。
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公开(公告)号：CN105572075B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201510677364.8
申请日：2015-10-19
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: G01N21/47
Abstract: 提供保护膜检测装置和保护膜检测方法，当在被加工物的加工面上覆盖保护膜的情况下，能够高精度地确认是否在一整面上覆盖了保护膜。对覆盖了保护膜的被加工物W的上表面供给雾，对被加工物的上表面照射光(110)并拍摄供给雾后的被加工物W的上表面，根据通过拍摄取得的图像，使用覆盖有保护膜的区域(830)与由于未覆盖保护膜而形成有微细的液滴的凹凸且产生照射光的米氏散射的区域(831)之间的拍摄图像中的反射光的强度差，检测未覆盖保护膜的区域，从而高精度地确认是否在一整面上覆盖了保护膜。
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公开(公告)号：CN111454635A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010035445.9
申请日：2020-01-14
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: C09D139/08 , C09D5/32 , C09D7/63 , C09D5/20 , H01L21/302
Abstract: 提供激光切割用保护膜剂及其制造方法和被加工物的加工方法。包含紫外线吸收剂的保护膜剂在长时间保管时，紫外线吸收剂的紫外线的吸收特性、发光特性等功能会随着时间的经过而降低。例如存在在曝光条件下、高温条件下或碱性条件下，紫外线吸收剂的功能在比较短的期间内降低的问题。因此，本发明的目的在于提供激光切割用保护膜剂，与以往的保护膜剂相比，包含紫外线吸收剂的保护膜剂的功能不容易随着时间经过而降低。根据本发明的一个方式，提供激光切割用保护膜剂，其由至少混合水溶性树脂、有机溶剂以及紫外线吸收剂而得的溶液构成，溶液的Na的含量以重量比计为100ppb以下。
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公开(公告)号：CN107068581B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201611159546.7
申请日：2016-12-15
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/66 , H01L21/683
Abstract: 提供保护膜检测方法，简单地对形成在工件正面上的保护膜的覆盖状态进行高精度地检测。对形成在工件的正面上的保护膜的覆盖状态进行检测的保护膜检测方法包含如下步骤：荧光强度测量步骤，在多个工件的正面上分别形成厚度不同的多个测量用保护膜，对各个测量用保护膜照射由吸收剂吸收的光而通过光的吸收对吸收剂所发出的荧光的强度进行测量；以及阈值确定步骤，根据荧光强度来求出与希望的厚度的保护膜对应的荧光强度的阈值。在对形成在工件的正面上的保护膜是否形成为希望的厚度进行判定时，对形成在工件的正面上的保护膜照射光而通过光的吸收对吸收剂所发出的荧光的强度和所述阈值进行比较，从而对保护膜是否形成为希望的厚度进行判定。
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公开(公告)号：CN111293083A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201911219424.6
申请日：2019-12-03
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78 , H01L21/683
Abstract: 提供被加工物的加工方法、器件芯片的制造方法，形成抗弯强度高的芯片。将被加工物沿着分割预定线分割而形成芯片的被加工物的加工方法具有如下步骤：框架单元准备步骤，准备如下框架单元：该框架单元具有带、环状的框架以及被加工物，带粘贴在被加工物的背面上，具有延伸性，带的外周部粘贴于环状的框架；保护膜形成步骤，对被加工物的正面涂布液态树脂而形成保护膜；切断步骤，沿着分割预定线对被加工物照射激光束从而沿着分割预定线将被加工物切断；间隔扩展步骤，将粘贴于被加工物的带向径向外侧扩展，将切断被加工物而形成的各芯片间的间隔扩展；和蚀刻步骤，通过湿蚀刻将由于切断步骤中的激光束的照射而形成于各芯片的切断面的变质区域去除。
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