电池极片表面微结构、制备方法及装置

    公开(公告)号:CN118969958B

    公开(公告)日:2025-03-18

    申请号:CN202411441563.4

    申请日:2024-10-16

    Abstract: 本发明涉及一种电池极片表面微结构、制备方法及装置。一种电池极片表面微结构,所述电池极片表面具有槽深与槽宽比为1:3—1:1的沟槽,且具有沟槽的电池极片的润湿接触角小于等于40°,所述槽深为沟槽的最深处与电池极片表面的距离,所述槽宽为沟槽的最宽处的尺寸。本申请通过对激光的能量密度、光斑形状、脉冲持续时间等因素的综合精确控制,在保证电池极片表面开设沟槽具有良好形貌的前提下,加工出较大槽深与槽宽比的沟槽,形成了亲水结构,提升了电池极片的浸润性,生成了锂离子快速通道,使得充放电过程中锂离子在正负极中的嵌入和脱嵌过程更加高效,从而提高电池的充放电速度、能量密度和容量保持率等综合性能。

    数值控制装置以及数值控制程序
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119486834A

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202280097843.0

    申请日:2022-07-27

    Inventor: 吉川大稀

    Abstract: 能够与间隙量的校正一起校正加工面上的激光的照射位置。数值控制装置控制机床。机床进行加工喷嘴(72)与工件(82)的相对移动,并且从加工喷嘴(72)朝向工件(82)的加工面(S)照射激光,由此,对加工面(S)进行激光加工。数值控制装置取得作为从加工喷嘴(72)到加工面(S)的最短距离的间隙量(G)。数值控制装置运算加工面(S)的法线方向(sZ),并且运算用于使加工喷嘴(72)和工件(82)在法线方向(sZ)上相对移动而使间隙量(G)成为期望间隙量(Go)的法线方向移动量(V)。数值控制装置根据运算出的法线方向移动量(V),使加工喷嘴(72)与工件(82)在法线方向(sZ)上相对移动,由此,将间隙量(G)校正为期望间隙量(Go)。

    电池片激光加工系统及加工移载方法

    公开(公告)号:CN119457512A

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202411192305.7

    申请日:2024-08-28

    Abstract: 本发明公开了一种电池片激光加工系统及加工移载方法,涉及光伏电池技术领域,该电池片激光加工系统包括转臂、第一激光器、第二激光器、上料装置和下料装置;转臂设有一个取料端,取料端用于随转臂的转动而将上料工位中待加工的电池片转移至第一加工工位或第二加工工位、将第一加工工位或第二加工工位中加工完毕的电池片转移至下料工位;第一激光器用于对第一加工工位的电池片进行激光加工;第二激光器用于对第二加工工位的电池片进行激光加工;上料装置用于将待加工的电池片输送至上料工位;下料装置用于将下料工位中加工完毕的电池片向外输送。本发明提供的技术方案为加快电池片的激光加工生产节拍、提高电池片的批量生产效率奠定了结构基础。

    太阳能电池及其制备方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119403266A

    公开(公告)日:2025-02-07

    申请号:CN202411506607.7

    申请日:2024-10-25

    Abstract: 本公开实施例涉及光伏技术领域,提供一种太阳能电池及其制备方法,以提高包含分片电池的太阳能电池的光电转换效率,同时大幅降低分片电池的机械损伤,从而大幅降低包括该分片电池的光伏组件出现隐裂的可能性,进而提高产品良率。太阳能电池的制备方法包括:提供整片太阳能电池;采用第一激光装置在待分割区域的两端分别形成定位槽;采用第二激光装置从定位槽开始对待分割区域进行加热,直至另一定位槽结束;采用喷射装置向加热后的待分割区域喷射冷却液体,使得整片太阳能电池在待分割区域沿第一方向裂开,以形成至少两个分片电池;冷却液体包括氧化性物质,断面为表面羟基化后的硅表面;在断面上形成钝化层。

    一种晶圆的激光开槽装置、方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119347141A

    公开(公告)日:2025-01-24

    申请号:CN202411889773.X

    申请日:2024-12-20

    Abstract: 本申请涉及一种晶圆的激光开槽装置、方法。所述装置包括:激光器;第一扩束镜,所述第一扩束镜位于所述激光束的路径上;第一分光晶体,所述第一分光晶体位于所述第一扩束镜背离所述激光器的一侧,用于接收所述第一扩束镜准直扩束后的光束以形成第一光束和第二光束,所述第一光束进入第一光路组件以形成第一处理光束,所述第二光束进入第二光路组件以形成第二处理光束;第二分光晶体,所述第二分光晶体位于所述第一处理光束和所述第二处理光束的路径上,用于形成所述第一处理光束的第一出射光束、所述第二处理光束的第二出射光束,所述第一出射光束和所述第二出射光束的路径相同;渥拉斯顿棱镜;聚焦镜。采用本方法能够提高加工效率。

    微沟槽激光加工装置及方法

    公开(公告)号:CN115647599B

    公开(公告)日:2024-12-10

    申请号:CN202211421374.1

    申请日:2022-11-14

    Abstract: 本申请公开了一种微沟槽激光加工装置及方法,涉及微沟槽加工技术领域,包括:激光光源,激光光源用于发出激光束,激光束包括初始偏振光;光束整形模块,光束整形模块包括半波片、空间光调制器、第一偏振片,空间光调制器设置有二元相位图,半波片用于将初始偏振光调制为倾斜偏振光,空间光调制器用于通过二元相位图,将倾斜偏振光偏转为选定区域和非选定区域相互垂直的偏转偏振光,第一偏振片用于滤除非选定区域的偏转偏振光,以得到选定区域内的偏转偏振光构成的光斑;激光聚焦模块,激光聚焦模块用于控制光斑聚焦于待加工材料的对应位置。本申请能够提高微沟槽加工形状自由度的同时提高加工效率。

    一种直线型交错阵列仿生微织构脑深部刺激套管电极

    公开(公告)号:CN110975137B

    公开(公告)日:2024-11-22

    申请号:CN202010065753.6

    申请日:2020-01-20

    Applicant: 烟台大学

    Abstract: 本发明旨在降低脑深部刺激手术中套管电极圆柱表面与脑组织之间的穿刺摩擦力,并减小套管电极对脑组织的穿刺损伤程度,结合仿生微织构对摩擦表面的减摩思想,提出了一种直线型交错阵列仿生微织构脑深部刺激套管电极,在套管电极圆柱表面上加工一系列直线型阵列沟槽仿生微织构,直线型阵列沟槽在套管电极圆柱表面的圆周方向上等距分布24列,仿生微织构区域总长59.5 mm,其两端的直线型沟槽头部对齐,与穿刺端面的距离为0.5 mm,相邻列直线型沟槽交错分布,可相互协助支撑脑组织在圆柱表面的包裹作用;以上所有直线型沟槽的宽度均为18µm,深度均为10µm,本发明可降低套管电极圆柱表面与脑组织之间的穿刺摩擦力,减小套管电极对脑组织的穿刺损伤程度。

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