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公开(公告)号：CN103253988B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201210035014.8
申请日：2012-02-16
Applicant: 比亚迪股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种陶瓷表面选择性金属化方法，包括以下步骤：A．将陶瓷组合物成型、烧制得到陶瓷基材；所述陶瓷组合物包括陶瓷粉体和分散于陶瓷粉体中的功能粉体；所述功能粉体选自M的氧化物或M单质中的一种或多种；陶瓷粉体选自E的氧化物、氮化物、氧氮化物、碳化物中的一种或多种；B、将陶瓷基材在还原氛围中进行还原，在陶瓷基材表面形成金属单质活性中心；所述还原氛围为H2气氛、CO气氛或单质碳氛围；C、将经过步骤B的陶瓷基材放入化学镀液中进行化学镀，在陶瓷基材表面形成金属层；D、对经过步骤C的陶瓷基材表面的金属层的选定区域进行蚀刻。本发明提供的陶瓷表面选择性金属化方法，金属层与陶瓷基材的附着力较高，成本较低。
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公开(公告)号：CN103880478A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201210559428.0
申请日：2012-12-21
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: C04B41/88
Abstract: 本发明提供了一种陶瓷表面选择性金属化方法，该方法包括以下步骤：S1、在陶瓷基体表面形成一金属薄膜层；S2、用激光在金属薄膜层表面选定区域进行辐射；S3、除去未选定区域的金属薄膜层；S4、对辐射的区域进行化学镀；其中，所述金属薄膜层的金属为Cu、Ni、Zn和Ti中的至少一种。本发明还提供了用该方法制备的陶瓷。本发明由于激光的局部高温作用，使得金属向陶瓷扩散，和陶瓷进行反应和熔焊，提高了结合力。同时，本发明处理过的激光辐射区域中金属单质多，表面均匀，容易诱导化学镀液中的金属沉积到其上，故沉积速度快。
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公开(公告)号：CN103508759A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201210212467.3
申请日：2012-06-26
Applicant: 比亚迪股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种大功率LED底座的制备方法，包括以下步骤：S1、对氮化铝陶瓷基板的表面进行改性，然后在改性层表面镀氧化亚铜层和铜层，得到表面覆铜陶瓷；S2、将表面覆铜陶瓷在惰性气氛中进行1064-1080℃下热处理，曝光显影蚀刻后得到表面具有金属化线路的陶瓷电路板；S3、将铜基座表面进行氧化；S4、使陶瓷电路板与铜基座贴合，然后在惰性气氛中进行1064-1080℃下热处理，冷却后在金属化线路表面继续金属化，得到大功率LED底座。本发明还提供了采用该制备方法制备得到的大功率LED底座。本发明提供的制备方法制备得到的大功率LED底座，散热性能好，陶瓷电路板的金属层与氮化铝陶瓷基板具有良好的结合力，同时陶瓷电路板整体与铜基座也具有良好的结合力。
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公开(公告)号：CN103304276A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201210065962.6
申请日：2012-03-14
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: C04B41/88 , F21V21/00 , F21V29/00 , F21Y101/02
Abstract: 本发明提供了一种陶瓷基板表面选择性金属化的方法及由该方法制成的大功率LED底座，在陶瓷基板中添加功能助剂，所述功能助剂为选自A的氧化物中的两种或多种组成的玻璃态粉末，A为铝、镁、硅、钡、钙、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、铌、钼、锝、钌、铑、钯、银、镉、钽、钨、铼、锇、铱、铂、金、铟、锡、锑、铅或铋。玻璃态功能助剂的添加使陶瓷基板的致密度和导热性能得到很大提升，同时还增强了陶瓷基板对能量束的吸收，直接通过功率较低能量束对陶瓷基板表面活化后即可进行化学镀形成金属层，并且金属层与陶瓷基板结合力强。
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公开(公告)号：CN103298268A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201210047066.7
申请日：2012-02-28
Applicant: 比亚迪股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED封装用陶瓷散热基座的制备方法，包括以下步骤：S1在陶瓷基片的至少一表面依次涂覆油墨A和B，所述油墨A和油墨B在不同的溶液中具有不同的溶解性；S2用激光器在步骤S1得到的陶瓷基片涂覆有油墨A和油墨B的表面进行绘制电路图；S3将已经绘制电路图的陶瓷基片浸入活化液中进行活化；S4去除活化后的陶瓷基片表面的油墨B；S5将步骤S4得到的陶瓷基片进行金属化；S6去除油墨A。本发明的方法更为简便，涉及的技术容易掌握，所用设备更为常规，线路精度高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117362066A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202210779079.7
申请日：2022-07-01
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: C04B37/02
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷覆铜基板及其制备方法，陶瓷覆铜基板包括陶瓷基层和铜金属层，以及位于陶瓷基层和铜金属层之间的反应层、固溶层和金属间化合物层，反应层与陶瓷基层相邻，由Ti与陶瓷反应形成；固溶层由Sn固溶于Cu形成；金属间化合物层含有Cu、Ti和P。根据本发明，陶瓷覆铜基板的陶瓷基层与铜金属层之间具有较高的接合能力，而且由于采用成本较低的Cu‑P‑Sn钎料，使得基板的材料成本较低。
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公开(公告)号：CN114230359B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202010940503.2
申请日：2020-09-09
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: C04B37/00
Abstract: 本申请提供了一种陶瓷覆铜板的制备方法，包括：对铜箔进行湿法氧化，在铜箔的两侧表面形成铜氧化物层；将湿法氧化后的铜箔与陶瓷基板进行高温覆接，以在陶瓷覆铜板的至少一侧表面形成铜层，得到陶瓷覆铜基材；铜层的非覆接面具有高度大于0.1mm的铜氧共晶凸点；将陶瓷覆铜基材在氧分压不超过50ppm的气氛中进行热处理以消除铜氧共晶凸点，得到陶瓷覆铜板；其中，热处理的保温温度高于高温覆接的保温温度，热处理时的升温时长大于高温覆接时的升温时长。该制备方法得到的陶瓷覆铜板上的铜层的非覆接面趋于平整，不存在凸点，便于后续焊接。本申请还提供了采用该方法制得的陶瓷覆铜板。
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公开(公告)号：CN113939095A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202010605357.8
申请日：2020-06-29
Applicant: 比亚迪股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种陶瓷覆铜板的制备方法，包括以下步骤：提供铜材；对所述铜材进行化学氧化处理，以在所述铜材表面形成铜氧化物层；对所述化学氧化处理后的铜材进行热处理，以使所述铜材内扩散有氧原子；去除所述热处理后的铜材上的铜氧化物层；将去除铜氧化物层后的铜材与陶瓷基板进行焊接，得到陶瓷覆铜板。该制备方法得到的陶瓷覆铜板的铜晶粒尺寸合适，具有较高的CCD识别率。
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公开(公告)号：CN110937912B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN201811115949.0
申请日：2018-09-25
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: C04B37/02
Abstract: 本公开涉及一种氮化硅陶瓷覆铜基板及其制备方法，该氮化硅陶瓷覆铜基板包括氮化硅陶瓷基板和覆接于所述氮化硅陶瓷基板至少一个表面上的铜箔，所述氮化硅陶瓷基板和所述铜箔之间形成有界面结合层；所述界面结合层中含有选自CuAlO2、Al2Si3O9、ZrSiO4、Cu2ZrO3、Cu2SiO3、Al2Zr3O9、CuCrO2和Cu2TiO3中的一种或多种。本公开氮化硅陶瓷覆铜基板减少了陶瓷基板和铜箔间气体和鼓泡，陶瓷基板和铜箔之间的结合强度进一步得到显著提升。
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公开(公告)号：CN110620088B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN201810639812.9
申请日：2018-06-20
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/14
Abstract: 本公开涉及一种散热元件及IGBT模组。该散热元件包括散热底板和覆铜陶瓷基板，散热底板包括铝碳化硅板和散热柱，至少部分第一主表面上覆盖有第一喷铜层，散热柱焊接于第一喷铜层表面，散热柱为含铜散热柱；铝碳化硅板的表面包括位于第一主表面的散热柱焊接区和焊接区以外的非散热柱焊接区，至少非散热柱焊接区上包覆有第一金属镍层，散热柱焊接区上包覆或不包覆有第一金属镍层；覆铜陶瓷基板包括陶瓷绝缘板，陶瓷绝缘板具有相对设置的第一表面和第二表面，陶瓷绝缘板的第一表面和第二表面分别设有厚度不同的第一铜层和第二铜层，第一铜层贴合地焊接于散热底板的第二主表面。该散热元件热导率匹配性好、散热快且封装使用稳定性高。
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