一种芯片散热器及其制备方法和DBC基板组件

    公开(公告)号:CN109216303B

    公开(公告)日:2021-05-14

    申请号:CN201710513394.4

    申请日:2017-06-29

    Abstract: 本发明涉及芯片散热器领域,具体涉及一种芯片散热器及其制备方法和DBC基板组件。该芯片散热器包括:依次层压设置的上端盖、共烧层压散热结构和下端盖,所述下端盖上设置有冷却液入口和冷却液出口,所述共烧层压散热结构的材质为无氧铜,所述上端盖和下端盖的材质为无氧铜和/或含铜的合金。还涉及芯片散热器的制备方法和一种DBC基板组件,该基板组件包括上述任意结构的芯片散热器。本发明散热器的抗冷热冲击性能、导热性、以及芯片散热器的密封性均较好,且本发明的芯片散热器的成本较低,制备过程易于操作和实现。

    陶瓷覆铜板及其制备工艺和应用

    公开(公告)号:CN110843272B

    公开(公告)日:2021-04-20

    申请号:CN201810955687.2

    申请日:2018-08-21

    Abstract: 本公开涉及一种陶瓷覆铜板及其制备工艺和应用,该工艺包括:S1、在陶瓷垫板表面形成铜层,然后对所述铜层的表面进行第一热氧化处理,得到氧化垫板;S2、将铜片放置于氧化垫板的经过第一热氧化处理后的铜层上,将氧化垫板与铜片一起进行第二热氧化处理,然后分离二者,得到氧化铜片;所述氧化铜片与氧化垫板分离的表面为第一表面,与第一表面相对的所述氧化铜片的表面为第二表面;S3、将第二表面与陶瓷基片贴合,然后进行覆接处理,得到陶瓷覆铜板。本公开陶瓷覆铜板铜片的表面晶粒小,自动识别率高。

    一种氮化硅陶瓷覆铜基板及其制备方法

    公开(公告)号:CN112552070A

    公开(公告)日:2021-03-26

    申请号:CN201910917332.9

    申请日:2019-09-26

    Abstract: 本发明涉及一种氮化硅陶瓷覆铜基板及其制备方法。该氮化硅陶瓷覆铜基板包括:氮化硅陶瓷基板和覆接于所述氮化硅陶瓷基板至少一个表面上的铜层;所述氮化硅陶瓷基板和所述铜层之间形成有界面结合层;所述界面结合层包括依次叠加的氧化硅层、X1氧化物层、M层;所述氧化硅层与所述氮化硅陶瓷基板接触;所述X1氧化物层含有活性金属氧化物;所述M层含有CuCr2O4、CuMn2O4和CuFe2O4中的一种或多种。该氮化硅陶瓷覆铜基板中的界面结合层能提高铜层和氮化硅陶瓷基板间的结合强度,且氮化硅陶瓷覆铜基板的生产成本低。

    一种金属陶瓷制品及其制备方法

    公开(公告)号:CN108129169B

    公开(公告)日:2021-01-19

    申请号:CN201611094200.3

    申请日:2016-12-01

    Abstract: 本发明涉及外观件制品领域,具体地,涉及一种金属陶瓷制品及其制备方法。该金属陶瓷制品包括多孔陶瓷基材以及依次包覆于所述多孔陶瓷基材表面的金属层和金属氧化层,且所述多孔陶瓷基材的孔隙中填充有金属;其中,所述金属为铝和铝合金中的一种或多种;所述多孔陶瓷基材由含有第一陶瓷粉、第二陶瓷粉和第三陶瓷粉的陶瓷粉组合物形成,且所述第一陶瓷粉的粒度>第二陶瓷粉的粒度>第三陶瓷粉的粒度,所述多孔陶瓷基材中陶瓷粉的含量为50体积%以上。本发明金属陶瓷制品具有较好的刚性且耐冷热冲击性能优良,能够均匀着色,可以制得各方面性能更为优良的外观件产品。

    陶瓷覆铜板及其制备工艺和应用

    公开(公告)号:CN110843272A

    公开(公告)日:2020-02-28

    申请号:CN201810955687.2

    申请日:2018-08-21

    Abstract: 本公开涉及一种陶瓷覆铜板及其制备工艺和应用,该工艺包括:S1、在陶瓷垫板表面形成铜层,然后对所述铜层的表面进行第一热氧化处理,得到氧化垫板;S2、将铜片放置于氧化垫板的经过第一热氧化处理后的铜层上,将氧化垫板与铜片一起进行第二热氧化处理,然后分离二者,得到氧化铜片;所述氧化铜片与氧化垫板分离的表面为第一表面,与第一表面相对的所述氧化铜片的表面为第二表面;S3、将第二表面与陶瓷基片贴合,然后进行覆接处理,得到陶瓷覆铜板。本公开陶瓷覆铜板铜片的表面晶粒小,自动识别率高。

    散热底板、散热元件及IGBT模组

    公开(公告)号:CN110620087A

    公开(公告)日:2019-12-27

    申请号:CN201810639793.X

    申请日:2018-06-20

    Abstract: 本公开涉及一种散热底板、散热元件及IGBT模组,该散热底板包括铝碳化硅板和散热柱,铝碳化硅板具有相对设置的第一主表面和第二主表面,至少部分第一主表面上覆盖有第一喷铜层,散热柱焊接于第一喷铜层,第一喷铜层的厚度为20~250μm;散热柱为含铜散热柱。本公开的散热底板包括铝碳化硅板和焊接于铝碳化硅板上的含铜散热柱,使得散热底板具有与陶瓷线路基板更匹配的线膨胀系数,能够提高模块封装性能稳定性,延长使用寿命;散热底板中具有的高热导率的含铜散热柱进一步提升了散热性能;同时,含铜散热柱与铝碳化硅板之间的焊接处具有喷铜层,提供了一个熔点和热膨胀系数适宜且机械强度高的接合层,能够进一步提高含铜散热柱与铝碳化硅板之间的结合力。

    一种集电靴碳滑板的制备方法及集电靴碳滑板

    公开(公告)号:CN109867522A

    公开(公告)日:2019-06-11

    申请号:CN201711257167.6

    申请日:2017-12-04

    Abstract: 本发明公开了一种集电靴碳滑板的制备方法及集电靴碳滑板,制备集电靴碳滑板所需的造粒粉料,将造粒粉料在室温下模压成型得到压坯,再将压坯焙烧成型,得到集电靴碳滑板,其中:所述造粒粉料包括碳素原料、粘接剂和添加剂;所述添加剂为二甲基硅油、丙三醇、石蜡和正辛酸中的至少一种。本发明所述集电靴碳滑板的制备方法工艺简单,不需要致密化处理,直接可制备出高密度集电靴碳滑板,能够有效降低生产成本。

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