散热元件及IGBT模组
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110620088B

    公开(公告)日:2021-11-12

    申请号:CN201810639812.9

    申请日:2018-06-20

    Abstract: 本公开涉及一种散热元件及IGBT模组。该散热元件包括散热底板和覆铜陶瓷基板,散热底板包括铝碳化硅板和散热柱,至少部分第一主表面上覆盖有第一喷铜层,散热柱焊接于第一喷铜层表面,散热柱为含铜散热柱;铝碳化硅板的表面包括位于第一主表面的散热柱焊接区和焊接区以外的非散热柱焊接区,至少非散热柱焊接区上包覆有第一金属镍层,散热柱焊接区上包覆或不包覆有第一金属镍层;覆铜陶瓷基板包括陶瓷绝缘板,陶瓷绝缘板具有相对设置的第一表面和第二表面,陶瓷绝缘板的第一表面和第二表面分别设有厚度不同的第一铜层和第二铜层,第一铜层贴合地焊接于散热底板的第二主表面。该散热元件热导率匹配性好、散热快且封装使用稳定性高。

    一种覆铜陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN108147832B

    公开(公告)日:2020-07-10

    申请号:CN201611095518.3

    申请日:2016-12-02

    Abstract: 为克服现有氮化铝陶瓷覆铜技术中存在陶瓷层和铜层结合不致密,界面处存在小气泡,容易鼓包,结合强度比较低的问题,本发明提供了一种覆铜陶瓷及其制备方法覆铜陶瓷制备方法,包括以下操作步骤:在氮化铝陶瓷表面形成氧化铝膜;在所述氧化铝膜表面形成改性层;其中,所述改性层中包括改性颗粒,所述改性颗粒包括玻璃粉;在所述改性层表面形成铜层,通过热处理使铜层、改性层与氮化铝陶瓷结合一体。本发明还提供了由上述方法制备得到的覆铜陶瓷。本发明在氮化铝陶瓷表面形成一层含有玻璃粉的表面改性层,使其在DBC工艺过程中抑制小气泡及鼓包等现象产生,增加铜层和氮化铝陶瓷之间的界面结合力。

    一种陶瓷覆铝铜板及其制备方法、散热元件和IGBT模组

    公开(公告)号:CN109309066A

    公开(公告)日:2019-02-05

    申请号:CN201710624661.5

    申请日:2017-07-27

    Abstract: 本公开涉及一种陶瓷覆铝铜板及其制备方法、散热元件和IGBT模组;所述陶瓷覆铝铜板包括陶瓷绝缘板、第一铝层、第二铝层、第一铜层和第二铜层;所述第一铝层和所述第二铝层通过渗铝一体成型地结合在所述陶瓷绝缘板相对的两个表面上,所述陶瓷绝缘板将所述第二铝层与所述第一铝层隔离,并且所述第一铜层通过渗铝一体成型的所述第一铝层连接在所述陶瓷绝缘板上;所述第二铜层通过渗铝一体成型的所述第二铝层连接在所述陶瓷绝缘板上;本公开所述的陶瓷覆铝铜板与焊接得到的陶瓷覆铜板相比具有更少的空洞,该陶瓷覆铝铜板具有更薄的铝层,提高了散热元件的导热效率,并且对称的结构可以使陶瓷片两面应力均匀,不易弯曲毁坏。

    一种散热元件及其制备方法和IGBT模组

    公开(公告)号:CN109309065A

    公开(公告)日:2019-02-05

    申请号:CN201710624655.X

    申请日:2017-07-27

    Abstract: 本公开涉及一种散热元件及其制备方法和IGBT模组;所述散热元件包括导热体和散热本体,所述导热体为陶瓷覆铝铜导热体;所述散热本体为铝硅碳散热本体;所述陶瓷覆铝铜导热体包括陶瓷绝缘板、铜层和位于所述陶瓷绝缘板的相对的两个表面上的第一铝层和第二铝层,所述陶瓷绝缘板将所述第二铝层与所述第一铝层隔离,所述铜层通过渗铝一体成型的第二铝层结合在所述陶瓷绝缘板上;所述陶瓷绝缘板通过渗铝一体成型的所述第一铝层结合在所述铝硅碳散热本体上;所述IGBT模组含有上述散热元件。本公开中所述散热元件的铜层与铝相比具有更高的导热效率,并提高了导热体对于电器元件的支撑,提高了导热体的结构强度,延长了使用寿命。

    一种散热元件及其制备方法和IGBT模组

    公开(公告)号:CN109309062A

    公开(公告)日:2019-02-05

    申请号:CN201710626326.9

    申请日:2017-07-27

    Abstract: 本公开涉及一种散热元件及其制备方法和IGBT模组;所述散热元件包括散热本体和散热柱,所述散热柱为铜柱;所述散热本体上通过渗铝一体成型的第一铝层结合有一个或多个铜柱;本公开还提供了上述散热元件的制备方法和含有上述散热元件的IGBT模组。本公开所述的散热元件将铜柱与散热本体通过渗铝层连接,避免了焊接铜柱与散热本体的步骤,渗铝层连接取代该步骤可以节约成本,提高良品率,缩短生产周期;另一方面通过渗铝层连接铜柱与散热本体可以避免空洞的产生从而提高连接强度、延长使用寿命;并且通过渗铝一体成型的第一铝层更薄,能够及时将热量传递给散热柱,可以提高散热元件的导热效率。

    一种金属基氮化铝复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN108251678A

    公开(公告)日:2018-07-06

    申请号:CN201611248588.8

    申请日:2016-12-29

    Abstract: 本发明涉及陶瓷领域,公开了一种金属基氮化铝复合材料,该复合材料包括氮化铝陶瓷骨架以及填充于至少部分氮化铝陶瓷骨架孔隙内的金属,所述氮化铝陶瓷骨架含有氮化铝和CuAlO2,所述氮化铝陶瓷骨架的孔隙率为20‑40%。还涉及制备金属基氮化铝复合材料的方法,以及该方法制得的金属基氮化铝复合材料。本发明制得的氮化铝陶瓷骨架中形成了CuAlO2物质。由于CuAlO2与金属铜、铝的润湿性较好,从而减少了后续氮化铝陶瓷骨架与金属复合时界面层的构建,有利于其后续与金属进行复合来制备金属基氮化铝复合材料。另外,CuAlO2可能在氮化铝颗粒表面形成了膜层,从而能够进一步提高氮化铝陶瓷骨架与金属的结合力。

    散热底板、散热元件及其制备方法和IGBT模组

    公开(公告)号:CN110620092B

    公开(公告)日:2021-12-07

    申请号:CN201810639794.4

    申请日:2018-06-20

    Abstract: 本公开涉及一种散热底板、散热元件及其制备方法和IGBT模组,该散热底板包括铝碳化硅板和散热柱,所述铝碳化硅板具有相对设置的第一主表面和第二主表面,至少部分所述第一主表面上覆盖有第一喷铜层,至少部分所述第二主表面上覆盖有第二喷铜层,所述散热柱焊接于所述第一喷铜层,所述散热柱为含铜散热柱。本公开的散热底板具有与陶瓷线路基板更匹配的线膨胀系数,能够提高模块封装性能稳定性,延长使用寿命;散热底板中具有的高热导率的含铜散热柱进一步提升了散热性能;同时,含铜散热柱与铝碳化硅板之间的焊接处具有喷铜层,提供了一个熔点和热膨胀系数适宜且机械强度高的接合层,能够进一步提高含铜散热柱与铝碳化硅板之间的结合力。

    一种陶瓷覆铝铜板及其制备方法、散热元件和IGBT模组

    公开(公告)号:CN109309066B

    公开(公告)日:2020-10-20

    申请号:CN201710624661.5

    申请日:2017-07-27

    Abstract: 本公开涉及一种陶瓷覆铝铜板及其制备方法、散热元件和IGBT模组;所述陶瓷覆铝铜板包括陶瓷绝缘板、第一铝层、第二铝层、第一铜层和第二铜层;所述第一铝层和所述第二铝层通过渗铝一体成型地结合在所述陶瓷绝缘板相对的两个表面上,所述陶瓷绝缘板将所述第二铝层与所述第一铝层隔离,并且所述第一铜层通过渗铝一体成型的所述第一铝层连接在所述陶瓷绝缘板上;所述第二铜层通过渗铝一体成型的所述第二铝层连接在所述陶瓷绝缘板上;本公开所述的陶瓷覆铝铜板与焊接得到的陶瓷覆铜板相比具有更少的空洞,该陶瓷覆铝铜板具有更薄的铝层,提高了散热元件的导热效率,并且对称的结构可以使陶瓷片两面应力均匀,不易弯曲毁坏。

    一种金属基氮化铝复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN108251678B

    公开(公告)日:2020-03-31

    申请号:CN201611248588.8

    申请日:2016-12-29

    Abstract: 本发明涉及陶瓷领域,公开了一种金属基氮化铝复合材料,该复合材料包括氮化铝陶瓷骨架以及填充于至少部分氮化铝陶瓷骨架孔隙内的金属,所述氮化铝陶瓷骨架含有氮化铝和CuAlO2,所述氮化铝陶瓷骨架的孔隙率为20‑40%。还涉及制备金属基氮化铝复合材料的方法,以及该方法制得的金属基氮化铝复合材料。本发明制得的氮化铝陶瓷骨架中形成了CuAlO2物质。由于CuAlO2与金属铜、铝的润湿性较好,从而减少了后续氮化铝陶瓷骨架与金属复合时界面层的构建,有利于其后续与金属进行复合来制备金属基氮化铝复合材料。另外,CuAlO2可能在氮化铝颗粒表面形成了膜层,从而能够进一步提高氮化铝陶瓷骨架与金属的结合力。

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