公开(公告)号：CN108878645A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810614958.8

申请日：2018-06-14

Applicant: 江苏理工学院

Inventor： 胡益丰 ,  尤海鹏 ,  朱强华 ,  臧千强 ,  张锐 ,  郭璇 ,  朱小芹 ,  邹华

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L45/14 ,  H01L45/143 ,  H01L45/1625

Abstract: 本发明涉及微电子、多层相变薄膜材料的利用技术领域，具体涉及了一种Cu/SnSe多层相变薄膜材料并进一步公开其制备方法，以及Cu/SnSe多层相变薄膜材料用于高速、低功耗相变存储器的应用。本发明所述多层薄膜材料通过磁控溅射交替沉积Cu和SnSe层，在纳米量级复合而成。通过磁控溅射交替沉积Cu和SnSe层制作的多层相变薄膜材料取得了较好的性能优势，从而得到一种在相变前后的电阻率较大，在SET和RESET过程中所需的能量较少，大大降低PCM器件的功耗的Cu/SnSe纳米复合多层。

公开(公告)号：CN105489758B

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201510889657.2

申请日：2015-12-07

Applicant: 江苏理工学院

Inventor： 朱小芹 ,  胡益丰 ,  邹华 ,  袁丽 ,  吴卫华 ,  郑龙 ,  张建豪 ,  吴世臣 ,  眭永兴

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种用于相变存储器的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料，Si/Sb类超晶格相变薄膜材料为多层膜结构，多层膜结构中Si薄膜层和Sb薄膜层交替排列。本发明的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料的RESET电压比相同电压脉冲下的Ge2Sb2Te5薄膜的RESET电压低47%以上，说明本发明的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料具有更低的功耗。

公开(公告)号：CN104795494B

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201510205799.2

申请日：2015-04-27

Applicant: 江苏理工学院

Inventor： 胡益丰 ,  潘佳浩 ,  吴小丽 ,  朱小芹 ,  吴世臣 ,  邹华 ,  袁丽 ,  吴卫华 ,  张建豪 ,  眭永兴

IPC: H01L45/00 ,  C23C14/35 ,  C23C14/18

Abstract: 本发明公开了一种用于高速相变存储器的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料，为多层复合膜结构，由GeTe层和Sb层交替沉积复合而成，将一层GeTe层和一层Sb层作为一个交替周期，后一个交替周期的GeTe层沉积在前一个交替周期的Sb层上方。经试验证实，本发明的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料反射率发生突变的时间约为5.3ns，而单层Ge2Sb2Te5传统相变薄膜材料反射率发生突变的时间约为39ns；说明与传统单层Ge2Sb2Te5相变薄膜材料相比，本发明的相变薄膜材料具有更快的相变速度，从而使得用其制备的相变存储器具有更快的操作速度，有利于提高PCRAM信息读写的速度。

公开(公告)号：CN107093667A

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201710193047.8

申请日：2017-03-28

Applicant: 江苏理工学院

Inventor： 胡益丰 ,  朱小芹 ,  尤海鹏 ,  邹华 ,  袁丽 ,  张剑豪 ,  吴世臣

IPC: H01L45/00 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01L45/144 ,  B82Y30/00 ,  H01L45/1625

Abstract: 本发明涉及一种微电子技术领域的材料，具体涉及一种用于高稳定性相变存储器的Ge‑Cu‑Te纳米相变薄膜材料及制备方法，所述Ge‑Cu‑Te纳米相变薄膜材料的原子百分比组成为GexCu100‑2xTex，所述Ge‑Cu‑Te纳米相变薄膜材料是以GeTe靶和圆形纯Cu片构成的复合靶材通过高真空磁控溅射的方法沉积而成。本发明纳米相变薄膜材料具有较高的晶化温度，能够大大提高PCRAM的非晶热稳定性；具有较高的晶态电阻，能够减少PCRAM的功耗。

公开(公告)号：CN106410025A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610911966.X

申请日：2016-10-19

Applicant: 江苏理工学院

Inventor： 胡益丰 ,  尤海鹏 ,  朱小芹 ,  邹华 ,  薛建忠 ,  张剑豪 ,  孙月梅 ,  吴世臣 ,  袁丽 ,  吴卫华 ,  郑龙 ,  翟良君

IPC: H01L45/00 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01L45/146 ,  B82Y30/00 ,  H01L45/1625

Abstract: 本发明属于半导体材料领域，公开了一种掺氧的Sb纳米相变薄膜材料，其化学组成通式为SbOx表示，其中Sb代表锑元素，O代表氮原子，x代表不同的掺氧量标记，x＝1、2、3或4；本发明采用磁控溅射方法制备，衬底采用SiO2/Si(100)基片，溅射靶材为Sb靶材，溅射气体为高纯Ar气和高纯O2气，在溅射过程中保持氩气和氧气的总流量为30sccm。本发明的掺氧的Sb材料较好的解决了纯Sb材料的缺点和不足。通过掺入不同的氧原子，使Sb的晶化温度有了明显的提高，数据保持能力得到加强，因而提高了其稳定性。同时通过晶态电阻的提高，使得其RESET功耗降低了。

公开(公告)号：CN105514271A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201511030291.X

申请日：2015-12-31

Applicant: 江苏理工学院

Inventor： 邹华 ,  胡益丰 ,  朱小芹 ,  薛建忠 ,  张建豪 ,  郑龙 ,  吴世臣 ,  孙月梅 ,  袁丽 ,  吴卫华 ,  眭永兴

IPC: H01L45/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L45/14 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L45/06 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1608

Abstract: 本发明公开了一种用于相变存储器的铒掺杂Sn15Sb85基相变薄膜材料，它的化学分子式为(Sn15Sb85)xEry；其中0

公开(公告)号：CN110010760B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN201910193766.9

申请日：2019-03-14

Applicant: 江苏理工学院

Inventor： 胡益丰 ,  孙松 ,  邹华 ,  朱小芹

IPC: H10N70/20

Abstract: 本发明涉及微电子材料领域，具体涉及一种In‑Bi‑Sb相变薄膜材料及其制备方法和应用。In‑Bi‑Sb相变薄膜材料中In‑Bi‑Sb的结构通式为InxBiySb100‑x‑y，其中0.1

公开(公告)号：CN109935687B

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN201910146169.0

申请日：2019-02-27

Applicant: 江苏理工学院

Inventor： 胡益丰 ,  徐永康 ,  朱小芹 ,  邹华

IPC: H10N70/20 ,  H10B63/10

Abstract: 本发明涉及一种多级相变V2O5薄膜材料及其制备方法和应用。利用反应沉积法在磁控溅射的过程中发生钒与O2的反应并沉积于衬底，通过控制Ar气与O2气流量及溅射气压，生成V2O5，而不是钒的其他氧化物。所制得的V2O5薄膜在200～300nm厚度下的可逆相变过程中均出现非晶态、中间态和晶态三个不同相，呈现出3个不同电阻值，相较于传统的两态存储，本发明的多级相变V2O5薄膜材料具有更高的存储密度；且本发明的多级相变V2O5薄膜材料具有较快的相变速度，其10年数据保持温度达到200℃，远大于传统Ge2Sb2Te5材料的85℃，具有较好的热稳定性。本发明的多级相变V2O5薄膜材料具有较高的产业应用价值。

公开(公告)号：CN110233203B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201711296970.0

申请日：2018-03-06

Applicant: 江苏理工学院

Inventor： 吴卫华 ,  朱小芹 ,  刘波 ,  张剑豪 ,  胡益丰 ,  邹华

IPC: H10N70/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 一种用于高温工况的类超晶格Zn‑Sb/Ge‑Sb纳米相变存储薄膜，其特征在于，其结构通式为[ZnxSb100‑x(a)/GeySb100‑y(b)]n，其中x和y表示原子百分比，且10

公开(公告)号：CN109817806B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201811600466.X

申请日：2018-12-26

Applicant: 江苏理工学院

Inventor： 胡益丰 ,  张锐 ,  郭璇 ,  徐永康 ,  孙松 ,  朱小芹 ,  邹华

IPC: H10N70/00

Abstract: 本发明公开了一种ZnSb/SiO2复合相变薄膜及其制备方法和应用，该材料通过磁控溅射交替沉积ZnSb和SiO2层，在纳米量级复合而成，其结构符合下列通式：[ZnSb(a)/SiO2(b)]x，本发明的ZnSb/SiO2复合相变薄膜材料利用复合结构的特殊性，减少热量散失，降低薄膜的整体热导率，提高加热效率、降低功耗；利用复合结构中多层界面的夹持效应，可以减小晶粒尺寸，从而缩短结晶时间，抑制晶化，在提高热稳定性的同时加快相变速度，最终使相变存储器具有更快的操作速度以及更低的操作功耗，再次，柔性PET衬底的使用可以改变相变材料的柔性度，获得具有市场前景的柔性相变薄膜。