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公开(公告)号：CN106206942B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201610620373.8
申请日：2016-07-30
Applicant: 江苏理工学院
Abstract: 本发明提供了一种稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜及其制备方法，所述稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜的组分表达式为Erx(GeiSbj)y，x、y都为原子百分比，其中0＜x≤0.10，0.90＜y≤1，x+y＝1.00，i＝10，j＝90。本发明具有相变速度快、热稳定性好、数据保持力好、低功耗的特点，可以应用于相变存储器和相变显示器等。
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公开(公告)号：CN104900807B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201510317313.4
申请日：2015-06-10
Applicant: 江苏理工学院
Abstract: 本发明公开了一种用于高速低功耗相变存储器的Ga40Sb60/Sb类超晶格相变薄膜材料，为多层复合膜结构，由Ga40Sb60层和Sb层交替沉积复合而成，将Ga40Sb60层和一层Sb层作为一个交替周期，后一个交替周期的Ga40Sb60层沉积在前一个交替周期的Sb层上方。本发明的Ga40Sb60/Sb类超晶格相变薄膜材料利用超晶格结构中多层界面的夹持效应，减小晶粒尺寸，从而缩短结晶时间，抑制晶化，使材料在提高热稳定性的同时加快相变速度；并且Ga40Sb60/Sb类超晶格相变薄膜材料在相变过程中体积改变小，这就保证了相变层与电极材料之间良好的接触，最终提高相变存储器件的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN111276605A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010175123.4
申请日：2020-03-13
Applicant: 江苏理工学院
Abstract: 本发明公开一种高速类超晶格锌锑-锑相变存储介质及其制备方法，该存储介质的总厚度为40-60 nm，结构通式为[Zn50Sb50(a)/Sb(b)]n，其中a和b分别表示单个周期中Zn50Sb50薄膜和Sb薄膜的厚度，且1
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公开(公告)号：CN104795494B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201510205799.2
申请日：2015-04-27
Applicant: 江苏理工学院
Abstract: 本发明公开了一种用于高速相变存储器的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料，为多层复合膜结构，由GeTe层和Sb层交替沉积复合而成，将一层GeTe层和一层Sb层作为一个交替周期，后一个交替周期的GeTe层沉积在前一个交替周期的Sb层上方。经试验证实，本发明的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料反射率发生突变的时间约为5.3ns，而单层Ge2Sb2Te5传统相变薄膜材料反射率发生突变的时间约为39ns；说明与传统单层Ge2Sb2Te5相变薄膜材料相比，本发明的相变薄膜材料具有更快的相变速度，从而使得用其制备的相变存储器具有更快的操作速度，有利于提高PCRAM信息读写的速度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107093667A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710193047.8
申请日：2017-03-28
Applicant: 江苏理工学院
CPC classification number: H01L45/144 , B82Y30/00 , H01L45/1625
Abstract: 本发明涉及一种微电子技术领域的材料，具体涉及一种用于高稳定性相变存储器的Ge‑Cu‑Te纳米相变薄膜材料及制备方法，所述Ge‑Cu‑Te纳米相变薄膜材料的原子百分比组成为GexCu100‑2xTex，所述Ge‑Cu‑Te纳米相变薄膜材料是以GeTe靶和圆形纯Cu片构成的复合靶材通过高真空磁控溅射的方法沉积而成。本发明纳米相变薄膜材料具有较高的晶化温度，能够大大提高PCRAM的非晶热稳定性；具有较高的晶态电阻，能够减少PCRAM的功耗。
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公开(公告)号：CN106410025A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610911966.X
申请日：2016-10-19
Applicant: 江苏理工学院
CPC classification number: H01L45/146 , B82Y30/00 , H01L45/1625
Abstract: 本发明属于半导体材料领域，公开了一种掺氧的Sb纳米相变薄膜材料，其化学组成通式为SbOx表示，其中Sb代表锑元素，O代表氮原子，x代表不同的掺氧量标记，x＝1、2、3或4；本发明采用磁控溅射方法制备，衬底采用SiO2/Si(100)基片，溅射靶材为Sb靶材，溅射气体为高纯Ar气和高纯O2气，在溅射过程中保持氩气和氧气的总流量为30sccm。本发明的掺氧的Sb材料较好的解决了纯Sb材料的缺点和不足。通过掺入不同的氧原子，使Sb的晶化温度有了明显的提高，数据保持能力得到加强，因而提高了其稳定性。同时通过晶态电阻的提高，使得其RESET功耗降低了。
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公开(公告)号：CN105514271A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201511030291.X
申请日：2015-12-31
Applicant: 江苏理工学院
CPC classification number: H01L45/14 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L45/06 , H01L45/148 , H01L45/1608
Abstract: 本发明公开了一种用于相变存储器的铒掺杂Sn15Sb85基相变薄膜材料，它的化学分子式为(Sn15Sb85)xEry；其中0
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公开(公告)号：CN108598256B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201810257259.2
申请日：2015-04-27
Applicant: 江苏理工学院
Abstract: 本发明公开了一种用于相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法，Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料为多层膜结构，由Ge层和Sb层交替沉积复合而成，将一层Ge层和一层Sb层作为一个交替周期，后一个交替周期的Ge层沉积在前一个交替周期的Sb层上方。本发明的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料利用类超晶格结构中多层界面的夹持效应，减小晶粒尺寸，从而缩短结晶时间、抑制晶化，在提高材料热稳定性的同时加快相变速度。本发明的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料的RESET电压比相同电压脉冲下的Ge2Sb2Te5薄膜的RESET电压低30%以上，说明本发明的GeSb类超晶格相变薄膜材料具有更低的功耗。
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公开(公告)号：CN108539013B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201810257171.0
申请日：2015-04-27
Applicant: 江苏理工学院
Abstract: 本发明公开了一种用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料，Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料为多层膜结构，由Ge层和Sb层交替沉积复合而成，将一层Ge层和一层Sb层作为一个交替周期，后一个交替周期的Ge层沉积在前一个交替周期的Sb层上方。本发明的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料利用类超晶格结构中多层界面的夹持效应，减小晶粒尺寸，从而缩短结晶时间、抑制晶化，在提高材料热稳定性的同时加快相变速度。本发明的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料的RESET电压比相同电压脉冲下的Ge2Sb2Te5薄膜的RESET电压低30%以上，说明本发明的GeSb类超晶格相变薄膜材料具有更低的功耗。
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