低阻值耐磨导电碳浆及其制备方法

    公开(公告)号:CN114974660A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202210671074.2

    申请日:2022-06-14

    Abstract: 本发明公开一种低阻值耐磨导电碳浆及其制备方法,所述低阻值耐磨导电碳浆包括以下质量分数的组分:20~35%的有机溶剂、0.1~0.5%的消泡剂、0.1~0.5%的流平剂、0.1~0.5%的分散剂、40~50%的粘结剂以及20~30%的碳材料;其中,所述碳材料包括膨胀石墨和纳米碳粉,且所述膨胀石墨和所述纳米碳粉的质量比为(1~3):1。本发明提供的低阻值耐磨导电碳浆,能够降低用该碳浆制得的碳电极的方阻值,且能够提高用该碳浆制得的碳电极的耐磨寿命。

    荧光磷光双发射的三齿铱配合物及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN111961086B

    公开(公告)日:2022-06-03

    申请号:CN202010840102.X

    申请日:2020-08-19

    Abstract: 本发明公开一种荧光磷光双发射的三齿铱配合物及其制备方法和应用,所述荧光磷光双发射的三齿铱配合物具有如结构式(Ⅰ)或(Ⅱ)所示的结构。本发明提供的荧光磷光双发射的三齿铱配合物,以苯基亚磷酸酯构建三齿结构,将现有的多齿铱配合物的柔性基团替换成刚性桥联基团,减少了铱配合物的自淬灭,并且提高了铱配合物的稳定性;同时在苯基亚磷酸酯的苯基上引入叔丁基,提高了铱配合物的溶解性,使本发明得到的荧光磷光双发射的三齿铱配合物在保证稳定性好的同时,溶解性也较好,提高了其实际使用价值。

    一种高频超低损耗锰锌软磁铁氧体材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN110304913B

    公开(公告)日:2021-11-26

    申请号:CN201910597233.7

    申请日:2019-07-04

    Abstract: 本发明涉及一种高频超低损耗锰锌软磁铁氧体材料及其制备方法,该高频超低损耗锰锌软磁铁氧体材料组成为以质量份数为140份‑146份的Fe2O3,39份‑48份的Mn3O4,8份‑15份ZnO为主成分,第一次添加微量的的CaCO3、CoO、Cr2O3;第二次添加微量的Y2O3、Sm2O3、SiO2和V2O5;采用固相法,通过配料、砂磨、掺杂、造粒、成型和气氛烧结,制备获得高频超低损耗的磁芯材料。该材料在100℃、1MHz、30mT条件下,测试功率损耗低于90 kW/m3。此发明制作能耗小、绿色环保且综合性能良好,可以应用在激光器电源、车载电子数子模块、航空航天大功率电源等领域。

    太阳能电池用二维/一维/零维复合SnO2纳米晶电子传输层的制备方法

    公开(公告)号:CN111740014A

    公开(公告)日:2020-10-02

    申请号:CN202010548250.4

    申请日:2020-06-16

    Abstract: 本发明涉及纳米材料制备的技术领域,具体涉及一种太阳能电池用二维/一维/零维复合SnO2纳米晶电子传输层的制备方法,首先在导电基底上沉积二维SnO2晶种层薄膜,接着在二维SnO2晶种层薄膜表面水热生长一维有序SnO2纳米棒阵列,之后在一维SnO2纳米棒阵列的间隙底部蒸镀沉积零维SnO2纳米颗粒,制备得到二维/一维/零维复合SnO2纳米晶电子传输层。本发明的制备方法,制备的电子传输层在厚度方向上高度取向,并具有较少的晶界,这能够加速电荷的传输;通过在一维SnO2纳米棒阵列的间隙底部沉积零维的SnO2纳米晶,能够有效减少因导电基底裸露而产生的漏电流,制备的电池的电荷收集效率高。

    一种高Tc高频超低损耗软磁铁氧体材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN110330327A

    公开(公告)日:2019-10-15

    申请号:CN201910597249.8

    申请日:2019-07-04

    Abstract: 本发明涉及一种高Tc高频超低损耗软磁铁氧体材料及其制备方法,该高Tc高频超低损耗软磁铁氧体材料组成为140份-146份的Fe2O3,39份-48份的Mn3O4,8份-15份ZnO为主成分,第一次添加微量的CaCO3、CoO、Cr2O3;第二次添加微量的Y2O3、Nd2O3、SiO2和V2O5;采用固相法,通过配料、砂磨、掺杂、造粒、成型和气氛烧结,制备获得高居里点、高频、超低损耗的磁芯材料。该材料Tc高达310℃,在100℃、1MHz、30mT条件下,测试功率损耗低于100 kW/m3。此发明制作能耗小、绿色环保且综合性能良好,能满足逆变焊机、通讯电源、航空航天大功率电源等大功率开关电源的核心技术需要。

    快速制备不同物相NaYF4上转换材料的方法及上转换材料

    公开(公告)号:CN108467734A

    公开(公告)日:2018-08-31

    申请号:CN201810411158.6

    申请日:2018-05-02

    Abstract: 快速制备不同物相NaYF4上转换材料的方法及上转换材料,属于上转换材料技术领域。方法包括:向溶有Y3+、Yb3+及Er3+的初始溶液中混入柠檬酸钠,得络合溶液。向络合溶液中混入乙醇胺,得前驱体溶液。向前驱体溶液中混入含F-的盐,调节pH值为1-10,得胶状溶液。将胶状溶液置于高压反应釜中,于160-180℃条件下加热40-60min。工艺简单、晶相可控、重复性强、周期短,制得的NaYF4上转换材料形貌均一、发光强度高。NaYF4上转换材料根据上述方法制得,形貌均一,且具备高发光强度。

    荧光共振能量转移光阳极及其制备方法

    公开(公告)号:CN107359050A

    公开(公告)日:2017-11-17

    申请号:CN201710569389.5

    申请日:2017-07-13

    CPC classification number: H01G9/2059

    Abstract: 一种荧光共振能量转移光阳极及其制备方法,属于光阳极技术领域。光阳极含导电基片、吸附于该基片的n型半导体膜及吸附于该半导体膜的光电传输层,光电传输层含连接于该半导体膜的方酸染料、连接于方酸染料的卤代硫醇及连接于卤代硫醇的Ⅰ型核壳结构量子点,该量子点的壳层导带位置高于方酸染料的LUMO能级。光谱响应范围宽、吸光效率高、荧光共振能量转移效率及光电转化效率高。方法包括将沉积于导电基片的n型半导体膜于方酸染料醇溶液中敏化、于卤代硫代乙酸酯的甲苯溶液中回流卤代后水解,得连接有功能桥链分子的半导体光阳极;将含ZnS壳层的Ⅰ型核壳结构量子点分散于甲苯浸泡该半导体光阳极2~12h。操作简单、可控性好、成本低。

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