公开(公告)号：CN1388990A

公开(公告)日：2003-01-01

申请号：CN01802501.3

申请日：2001-08-21

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 名取荣治 ,  长谷川和正 ,  小口幸一 ,  西川尚男 ,  下田达也

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L28/55 ,  G11C11/22 ,  H01L27/101

Abstract: 本发明涉及构成强电介质电容器的强电介质层具有特定的图形,能够减小信号电极的杂散电容的存储单元阵列及其制造方法,以及强电介质存储装置。存储单元阵列(100A)中,以矩阵状排列了由强电介质电容器(20)构成的存储单元。强电介质电容器(20)具有:第1信号电极(12);在与第1信号电极(12)交叉的方向上排列的第2信号电极(16);以及沿着第1信号电极(12)或者第2信号电极(16)以直线状配置了的强电介质层(14)。另外,也可以仅在第1信号电极(12)与第2信号电极(16)的交叉区域中以块状配置强电介质层(14)。

公开(公告)号：CN100449688C

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200610172525.9

申请日：2003-10-23

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  滨田泰彰 ,  名取荣治 ,  大桥幸司

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/82 ,  H01L41/22

Abstract: 一种强电介质电容器的制造方法，包括：在所定的基体上形成下部电极的工序；在所述下部电极上形成由含有Pb、Zr、Ti和Nb作为构成元素的PZTN复合氧化物构成的强电介质膜的工序；在所述强电介质膜上形成上部电极的工序；形成保护膜，以覆盖所述下部电极、强电介质膜和上部电极的工序；和至少在形成所述保护膜之后，进行用于使所述PZTN复合氧化物结晶的热处理的工序。

公开(公告)号：CN100352039C

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200510052587.1

申请日：2001-08-21

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 长谷川和正 ,  名取荣治 ,  西川尚男 ,  小口幸一 ,  下田达也

IPC: H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L27/11502 ,  G11C11/22 ,  H01L27/11585 ,  H01L27/1159

Abstract: 一种单矩阵型强电介质存储装置的制造方法，其特征在于，包括：在纯缘性基体上形成多个槽的工序，在上述绝缘性基体上形成金属层以便填充上述槽的工序，通过对上述金属层进行研磨使上述绝缘性基体和上述金属层表面平坦化，在上述槽内形成第1信号电极的上述平坦化工序，在上述绝缘性基体和上述第1信号电极上形成强电介质层的工序，以及在上述强电介质层上与上述第1信号电极交叉的方向上形成第2信号电极的工序。

公开(公告)号：CN1311542C

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200410030183.8

申请日：2004-03-19

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  大桥幸司 ,  名取荣治

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/10 ,  H01L41/08

CPC classification number: H01L27/11502 ,  C01G33/006 ,  C01P2004/80 ,  C01P2006/40 ,  H01B1/08 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/57 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318

Abstract: 一种强电介质电容器的制造方法，首先，在基体上形成下部电极。然后，在下部电极上，形成由含有Pb、Zr、Ti及Nb的PZTN复合氧化物构成的强电介质膜，在强电介质膜上形成上部电极。然后，以覆盖下部电极、强电介质膜及上部电极的方式，形成保护膜，至少在形成保护膜后，进行使PZTN复合氧化物结晶化的热处理。

公开(公告)号：CN1269215C

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN02803498.8

申请日：2002-09-05

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 名取荣治 ,  木岛健

IPC: H01L27/105

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

Abstract: 铁电存储装置包括第1电极102、在与第1电极(102)交叉的方向排列的第2电极(103)、至少配置于第1电极(102)和第2电极(103)的交叉区域的铁电体膜(101)。采用第1电极(102)、铁电体膜(101)及第2电极(103)构成的电容器呈矩阵状配置。铁电体膜(101)是铁电相和顺电相混合存在而构成的。

公开(公告)号：CN1269194C

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN03800301.5

申请日：2003-03-27

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 黑川贤一 ,  名取荣治

IPC: H01L21/316 ,  H01L27/105 ,  H01L41/09 ,  H01L41/24 ,  C01G1/00

CPC classification number: H01L21/02282 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/317

Abstract: 本发明提供一种强电介体薄膜的制造方法。由两种以上的原料溶液构成的强电介体薄膜在基板的某一平面内在膜厚方向中使之均匀地混合。或者在一平面内在膜厚方向中使之具有原料溶液分布地混合。由具有两个以上的喷墨头的喷墨装置将两种原料溶液(105、106)由各自的喷墨头以一定的喷出量喷出，因此可以制作在一平面内均匀混合的强电介体薄膜，通过反复进行这个作业，在薄膜的膜厚方向也可以制作均匀混合的强电介体薄膜。而且，通过改变膜厚方向或面内方向的喷出量，可以制作具有原料溶液分布混合的强电介体薄膜。

公开(公告)号：CN1266746C

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN200410028749.3

申请日：2004-03-15

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  滨田泰彰 ,  名取荣治

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/469 ,  C23C16/00 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L21/02197 ,  C23C16/409 ,  C30B25/02 ,  C30B29/32 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

Abstract: 一种强电介质膜的形成方法，利用有机金属气相生长法，用来在由Pt构成的金属膜上形成由PZT系复合氧化物构成的强电介质膜，其中，首先开始供给Pb原料，在上述金属膜上形成Pb与Pt的合金膜；接着开始供给Ti原料，在上述合金膜上形成由PbTiO3构成的复合氧化物的初期结晶核；然后开始供给Zr原料，在上述初期结晶核的上部形成PZT系复合氧化物的结晶生长层。

公开(公告)号：CN1706007A

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN200380101906.2

申请日：2003-10-23

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  滨田泰彰 ,  名取荣治 ,  大桥幸司

IPC: H01B3/12 ,  C01G25/00 ,  C01G33/00 ,  H01L27/10 ,  H01L41/18

Abstract: 一种由AB1－XNbXO3的通式表示的氧化物形成的强电介质膜。A元素至少由Pb构成，B元素由Zr、Ti、V、W、Hf、和Ta中至少一中以上构成。并且，该强电介质膜在0.05≤x＜1的范围内含有Nb。该强电介质膜也可用于1T1C、2T2C和单纯矩阵型强电介质存储器任一中。

公开(公告)号：CN1535935A

公开(公告)日：2004-10-13

申请号：CN200410033075.6

申请日：2004-03-19

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  名取荣治

IPC: C04B35/628 ,  C04B35/462 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L21/02282 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65 ,  Y10T428/24926

Abstract: 一种陶瓷材料的涂覆方法，通过旋转涂覆在基体上涂覆含有复合氧化物的陶瓷材料而形成涂覆膜，其中包含在规定转数下，使前述的基体旋转的第1旋转工序、在小于前述第1旋转工序的转数下，使前述基体旋转的第2旋转工序以及在大于前述第2旋转工序的转数下，使前述基体旋转的第3旋转工序。

公开(公告)号：CN1535934A

公开(公告)日：2004-10-13

申请号：CN200410033074.1

申请日：2004-03-19

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  名取荣治

IPC: C04B35/628 ,  C04B35/462 ,  H01L27/10

CPC classification number: C23C18/1208 ,  C04B35/01 ,  C04B35/16 ,  C04B35/491 ,  C04B35/624 ,  C04B35/63 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/408 ,  C23C18/1254

Abstract: 一种涂覆用陶瓷材料的制备方法，其中，包括在铂族元素催化剂的存在下，搅拌含有复合氧化物的原材料的工序。原材料是含有选自复合氧化物的水解物和缩聚物中至少一种的溶胶·凝胶原料。