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公开(公告)号：CN1610942A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN03801799.7
申请日：2003-09-25
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11B7/261 , Y10S425/81 , Y10T428/24802
Abstract: 一种光盘用原盘的制造方法和一种光盘的制造方法，该方法通过使用现有曝光系统，能够实现光盘的较高存储容量。制造光盘的方法的特征在于：使用形成有特定非均匀图案的原盘，所述图案是通过下列步骤形成的：在基片上形成抗蚀层，该抗蚀层由包含诸如W和Mo的过渡金属的不完全氧化物的抗蚀材料组成，不完全氧化物具有小于根据能够为过渡金属所拥有的化合价的理论配比成分的氧含量的氧含量，然后根据记录信号图案，使用激光束选择性曝光和显影抗蚀层，然后将非均匀图案传递到光盘上。
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公开(公告)号：CN1321306A
公开(公告)日：2001-11-07
申请号：CN00801781.6
申请日：2000-07-19
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11B7/24 , G11B7/0045 , G11B7/005
CPC classification number: G11B23/281 , G11B7/00455 , G11B7/007 , G11B7/24 , G11B7/258 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B7/2595 , G11B20/00086 , G11B20/00123 , G11B20/00173 , G11B20/0021 , G11B20/00594 , G11B20/00601 , G11B20/00884
Abstract: 一种光记录媒体,具有备有反射膜的信息层,该反射膜在基板上形成了承载信息的至少沿厚度方向或光轨道宽度方向两方向中的某一方向改变物理形状而构成的信息记录部,该反射膜3采用热记录方法,构成为当再生光的未记录状态的反射率为R0、记录状态的反射率为R1时,0.5[%]≤(|R0－R1|/R0)×100[%]≤17[%]。该光记录媒体能廉价地制造而且能进行追加记录。
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公开(公告)号：CN1144373A
公开(公告)日：1997-03-05
申请号：CN96107289.X
申请日：1996-04-11
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/242 , G11B7/005 , G11B7/08511 , G11B7/127 , G11B7/24 , G11B7/24038 , G11B7/244 , G11B7/2531 , G11B7/2534 , G11B7/2542 , G11B7/257 , G11B7/2578 , G11B7/258 , G11B7/2585 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , Y10S428/913 , Y10S430/146 , Y10T428/21 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明为一种多层光盘，具有一个使用通用重放装置，如CD唱机也能被重放的信息存储层并且使用一个专用重放装置能从其他信息存储层读取信息。根据本发明具有多个信息存储层的多层光盘包括多个信息存储层，其中多个信息存储层的其中之一对于重放光束的第一波长770nm至830nm的反射因数为70％或更高，而其他的信息存储层由具有与重放光束的第一波长不同的第二波长的重放光束重放。
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公开(公告)号：CN100533595C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200510069728.0
申请日：2005-01-28
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C13/0009 , G11C13/0004 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/009 , G11C2213/11 , G11C2213/15 , G11C2213/34 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 一种存储器件，其中可以进行稳定的信息记录且可以缩短记录信息需要的时间。该存储器件包括由具有其中当向存储元件Amn两端之间施加等于或大于阈值电压的电压时电阻值变化的特性的存储元件Amn构成的存储单元C，和作为负载串联连接到存储元件Amn的电路元件Tmn；且当从高阻值状态向低阻值状态改变存储元件Amn的操作被定义为写入时，和当施加到存储元件Amn和电路元件Tmn两端之间的电压等于或大于某一大于阈值电压的电压值时，存储器件具有其中存储单元C中的存储元件Amn和电路元件Tmn的组合电阻值变成几乎无关于施加电压的幅度的常数值。
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公开(公告)号：CN100409335C
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200380100324.2
申请日：2003-12-24
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11B7/26
CPC classification number: G11B7/261 , Y10S425/81
Abstract: 制造生产光盘的母盘的方法包括：曝光过程，其中以记录激光辐射形成在衬底100上的无机抗蚀剂层101，通过对应于光盘上信息凹形和凸形图形的信息信号的信息信号调制该记录激光；以及之后的显影过程，其中在无机抗蚀剂层上执行显影处理以形成对应于无机抗蚀剂层的信息凹形和凸形图形的凹形和凸形图形；在曝光过程中，在抗蚀剂层的非记录区上执行试验曝光后，使评估激光辐射曝光部分，从反射光中评估抗蚀剂层的记录信号特征以基于评估结果确定记录激光的最佳焦点位置；因此从在抗蚀剂上的曝光部分的记录特征中预测并评估光盘的记录信号的特征(跳动值)以基于评估结果调节曝光聚焦位置，由此可制造具有适当凹形和凸形图形的母盘以及具有良好特征的光盘。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100385541C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200510068926.5
申请日：2005-04-27
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/025 , C23C14/0652 , C23C14/20 , G11B7/243 , G11B7/257 , G11B2007/24312 , G11B2007/2432 , Y10T428/21
Abstract: 一次写入光记录介质包括基底，其上形成组成无机记录膜的氧化物膜3，该氧化物膜3由锗(Ge)的氧化物Ge1Ox(x为原子数量比)的记录物质制成，且特定化氧化物膜的Ge1Ox的组成以满足1.0＜x＜2.0。一次写入光记录介质的记录和复制特性可被改善且该一次写入光记录介质的排列可简化。
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公开(公告)号：CN1692417A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200380100300.7
申请日：2003-11-20
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11B7/261 , G11B7/1267
Abstract: 一种制作用于制造光盘的压模的方法包括：曝光步骤，用以与光盘上/中形成的信息凹出/凸入图案的信息信号对应的信息信号调制的记录激光束照射衬底(100)上形成的有机抗蚀层(101)，以形成与光盘上的信息凹出/凸入图案对应的曝光图案，和显影步骤，显影有机抗蚀层以形成与该有机抗蚀层的凹出/凸入图案对应的曝光图案。在曝光步骤中，将估计激光束施加到该有机抗蚀层上预定区域，利用该估计激光束的反射光来估计该有机抗蚀层的曝光图案的记录信号特性，并根据估计结果来控制该记录激光束的功率。从而将信息可靠地记录在目标光盘上。
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公开(公告)号：CN1655358A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200410103790.2
申请日：2004-12-03
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/10
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C13/0009 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/34 , G11C2213/51 , G11C2213/56 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/1266 , H01L45/144 , H01L45/146
Abstract: 一种存储器件包括第一电极、面向该第一电极的第二电极、位于第一电极和第二电极之间的电极间材料层和电压施加单元，该电压施加单元将一预定电压施加到第一和第二电极上。此外，通过对第一和第二电极上施加电压，可变成电极反应阻止层的氧化－还原活性材料包含在电场覆盖的区域中，当施加电压时产生该电场，并且取决于施加到第一和第二电极的电压状况，该电极反应阻止层或者沿着第二电极和电极间材料层之间的界面形成、或者改变其面积、或者消失。
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公开(公告)号：CN1201311C
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN02107145.4
申请日：1996-04-11
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11B7/242 , G11B7/005 , G11B7/08511 , G11B7/127 , G11B7/24 , G11B7/24038 , G11B7/244 , G11B7/2531 , G11B7/2534 , G11B7/2542 , G11B7/257 , G11B7/2578 , G11B7/258 , G11B7/2585 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , Y10S428/913 , Y10S430/146 , Y10T428/21 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明为一种多层光盘，具有一个使用通用重放装置，如CD唱机也能被重放的信息存储层并且使用一个专用重放装置能从其他信息存储层读取信息。根据本发明具有多个信息存储层的多层光盘包括多个信息存储层，其中多个信息存储层的其中之一对于重放光束的第一波长770nm至830nm的反射因数为70%或更高，而其他的信息存储层由具有与重放光束的第一波长不同的第二波长的重放光束重放。
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公开(公告)号：CN1574094A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410068403.6
申请日：2004-05-27
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C16/3459 , G11C2013/009
Abstract: 一种存储设备，包括一存储器元件，和一用于向所述存储器元件施加电压的施加装置，其中，随着所述施加装置向所述存储器元件施加电压，所述存储器元件改变其特性来在其上记录信息，当向存储器元件连续记录相同信息时，所述存储器元件进一步改变它的特性。所述存储设备具有一记录方法，包括步骤：当记录所述信息时，检测已经记录在所述存储器元件上的信息内容；将已经记录在存储器元件上的信息和要记录在存储器元件上的信息进行比较；如果所述两信息彼此不同，就向存储器元件上施加电压，来执行一般的信息记录处理；以及当所述两信息彼此相同时，就禁止执行一般的信息记录处理。因而，根据本发明的所述存储设备即使在连续记录信息时，也可以令人满意的执行记录操作。
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