公开(公告)号：CN110993743A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201911353348.8

申请日：2019-12-25

Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司

Inventor： 马立云 ,  姚婷婷 ,  李刚 ,  沈洪雪 ,  彭赛奥 ,  金克武 ,  王天齐 ,  杨扬 ,  王东 ,  汤永康 ,  甘治平 ,  时君 ,  黄海青 ,  程国送

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/074

Abstract: 本发明公开一种异质结光伏器件的制备方法，包括以下步骤：S1、取p型晶硅作为衬底，采用离子束刻蚀工艺或臭氧氧化刻蚀工艺在衬底顶面制作绒面结构；S2、采用磁控溅射工艺或蒸镀工艺在衬底的底面沉积背电极；S3、采用磁控溅射工艺在衬底的顶面沉积n型发射膜层；S4、采用磁控溅射工艺在n型发射膜层顶面沉积透明导电层；S5、采用磁控溅射工艺在透明导电层顶面沉积前电极，得到异质结光伏器件；方法得到的异质结光伏器件具有晶格匹配好、界面态密度低的优点，增强异质结光伏器件的整体性能。

公开(公告)号：CN110911511A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201911123040.4

申请日：2019-11-16

Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司

Inventor： 马立云 ,  姚婷婷 ,  李刚 ,  沈洪雪 ,  彭赛奥 ,  金克武 ,  王天齐 ,  杨扬 ,  甘治平 ,  彭寿

IPC: H01L31/0392 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216

Abstract: 本发明公开一种高利用率的柔性薄膜太阳能电池，包括柔性基底，柔性基底顶面由下至上依次层叠有前电极、缓冲层、吸收层、背接触层与保护层，吸收层为CdTe薄膜；前电极包含由下至上依次层叠的下阻隔层、透明导电层与上阻隔层；透明导电层的顶面呈凹凸的绒面结构；下阻隔层的厚度为20～80nm、透明导电层的厚度为600～1000nm、上阻隔层的厚度为15～60nm；缓冲层的厚度为40～120nm；吸收层的厚度为1500～2500nm；背接触层的厚度为5～30nm；保护层的厚度为10～40nm；该薄膜太阳能电池能够提高对太阳能的吸收率，增强薄膜太阳能电池的整体性能。

公开(公告)号：CN110323292A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201910372254.9

申请日：2019-05-06

Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司

Inventor： 彭寿 ,  马立云 ,  李刚 ,  姚婷婷 ,  王天齐 ,  彭塞奥 ,  金克武

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层，包括m组相层叠的基础吸收层，每组基础吸收层均包含由下至上层叠的铜铟镓膜层与硒膜层，2≤m≤5；在制备时按以下步骤：S1、采用磁控溅射工艺，在薄膜太阳能电池背电极上沉积铜铟镓膜层；S2、采用真空蒸镀或者磁控溅射工艺在铜铟镓膜层上沉积硒膜层，得到由铜铟镓膜层与硒膜层构成的基础吸收层；S3、重复步骤S1与S2的沉积过程，层叠m组基础吸收层，得到铜铟镓硒前驱体，2≤m≤5；S4、将铜铟镓硒前驱体置于真空硒化炉中进行RTP退火，得到铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层；该吸收层解决了现有产品中存在的Ga偏析的问题，提高薄膜太阳能电池的开路电压及光电转换效率，且制备方法简单。

公开(公告)号：CN109308952A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201811441773.8

申请日：2018-11-29

Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司

Inventor： 彭寿 ,  马立云 ,  姚婷婷 ,  李刚 ,  沈洪雪 ,  金克武 ,  王天齐 ,  彭塞奥 ,  杨扬 ,  汤永康 ,  甘治平

IPC: H01B5/14

Abstract: 本发明公开一种高透低阻可弯曲透明导电薄膜，包括柔性基底，柔性基底顶面依次层叠有预制导电层、第一透明导电膜层、高透减反层、超导层以及第二透明导电膜层；预制导电层为铝膜、银膜、金膜、铜膜或钛膜；第一透明导电膜层为铝掺杂氧化锌薄膜、加镓掺杂氧化锌薄膜、铟镓掺杂氧化锌薄膜或硼掺杂氧化锌薄膜；高透减反层为单分散SiO2小球薄膜；超导层为铝膜、银膜、金膜、铜膜或钛膜；第二透明导电膜层为铝掺杂氧化锌薄膜、加镓掺杂氧化锌薄膜、铟镓掺杂氧化锌薄膜或硼掺杂氧化锌薄膜；该薄膜具有附着力强、成本低、透过率高、电阻低且性能稳定的特点。

公开(公告)号：CN108767020A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810560528.2

申请日：2018-06-04

Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司

Inventor： 彭寿 ,  姚婷婷 ,  杨勇 ,  李刚 ,  金克武 ,  汤永康 ,  王天齐 ,  彭塞奥 ,  沈洪雪 ,  甘治平 ,  马立云

IPC: H01L31/02 ,  H01L31/054 ,  C03C17/36

Abstract: 本发明公开一种硅基薄膜太阳能电池用陷光透明导电玻璃，包括玻璃基底，玻璃基底表面由下至上依次层叠有第一AZO薄膜、第二AZO薄膜、Ag薄膜与第三AZO薄膜；第一AZO薄膜的厚度为100～120nm，第一AZO薄膜中Al2O3的含量为0.36～1.21 at%；第二AZO薄膜的厚度为100～120nm，第二AZO薄膜中Al2O3的含量为1.20～2.16at%；Ag薄膜的厚度为20nm；第三AZO薄膜的厚度为400～450nm，第三AZO薄膜中Al2O3的含量为2.16～3.01at%；本发明的导电玻璃透过率高、具有较高的雾度及电学性能，同时具有陷光功能。

公开(公告)号：CN108149195A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201711415344.9

申请日：2017-12-25

Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司

Inventor： 彭塞奥 ,  杨扬 ,  金克武 ,  王天齐 ,  甘治平

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/35

CPC classification number: C23C14/083 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开一种超耐磨高透过率氧化锆薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、清洗衬底，去除衬底表面污渍并吹干；S2、将清洗后的衬底置入磁控溅射镀膜设备，当溅射腔体真空度符合要求时，对溅射腔体进行烘烤，排出溅射腔体内的杂质分子；S3、烘烤结束后，以锆为靶材，采用射频电源，氩气与氧气为溅射气体，通过磁控溅射在衬底沉积氧化锆薄膜；在过氧的情况下，采用大功率射频溅射，保证锆原子在沉积过程中能与反应气体充分反应得到氧化锆；大功率溅射可以保证锆原子初始能量较高，沉积在衬底时可以使氧化锆薄膜更致密，耐磨性好，且可以保证膜基结合力更好；工艺过程可以精确控制，保证氧化锆薄膜的厚度可控，满足透过率要求。

公开(公告)号：CN108085642A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201711456568.4

申请日：2017-12-28

Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司

Inventor： 彭寿 ,  沈洪雪 ,  姚婷婷 ,  杨勇 ,  金克武

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/0605 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明涉及一种制备W和N共掺杂类金刚石薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、对衬底材料进行超声波清洗；步骤二、把样品置于样品台上；步骤三、抽真空，真空度达到2.5*10-4-3.5*10-4时，通入氩气，使W、C两靶同时起辉，并进行8-12分钟的预溅射；步骤四、通过氩气轰击W、C两靶材；步骤五、通入氮气，启动旋转样品台，制备W、N共掺杂类金刚石薄膜。本发明的优点：类金刚石薄膜通过W、N的共掺杂，在制备得到高电阻率、高透过率N掺杂类金刚石薄膜的同时，W的掺入既可与薄膜中多余的C反应生成WC，又进一步提高了薄膜的润滑性能，同时对薄膜的高透、高阻性能也有进一步的提升作用。

公开(公告)号：CN106784060B

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201611188429.3

申请日：2016-12-21

Applicant: 蚌埠玻璃工业设计研究院 ,  中国建材国际工程集团有限公司

Inventor： 马立云 ,  姚婷婷 ,  甘治平 ,  李刚 ,  汤永康 ,  杨勇 ,  金克武 ,  曹欣 ,  徐根保

IPC: H01L31/0236

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 本发明公开一种具有自陷光功能的ZnO基透明导电玻璃，包括玻璃基底，玻璃基底顶面由下至上依次设有下ZnO基薄膜、微结构增透膜系与上ZnO基薄膜；所述微结构增透膜系为单层离散分布的SiO2小球，所述上ZnO基薄膜的厚度小于SiO2小球的直径，在微结构增透膜系上形成凹凸的织构化结构；采用离散分布的SiO2小球作为微结构增透膜系，其上方的上ZnO基薄膜以微结构增透膜系为模板，自然地形成凹凸的织构化结构；在制备时，SiO2小球表面微结构可根据需要进行调整，使得上ZnO基薄膜的表面微结构容易控制，形成均匀性优良的表面微结构，实现高透过率、低电阻，制备工艺简单，降低成本，利于产业化推广应用。

公开(公告)号：CN105546857B

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201510876489.3

申请日：2015-12-03

Applicant: 凯盛光伏材料有限公司 ,  蚌埠玻璃工业设计研究院

Inventor： 彭寿 ,  杨勇 ,  王芸 ,  徐根保 ,  曹欣 ,  姚婷婷 ,  金克武 ,  李刚 ,  蒋继文 ,  张宽翔

IPC: F24S70/225 ,  C23C14/06 ,  C23C14/10 ,  C23C14/35 ,  C23C14/02

CPC classification number: Y02E10/40

Abstract: 本发明公开一种太阳能选择性吸收膜系及其制备方法，包括金属基底，所述金属基底的顶面呈凹凸不平的微结构，金属基底的顶面沉积有TiAlN吸收阻隔层，TiAlN吸收阻隔层上沉积有TiNxOy吸收层，TiNxOy吸收层上沉积有SiO2减反层，SiO2减反层上沉积有AlN减反保护层；采用反应离子束技术对金属基底的顶面进行刻蚀形成微结构，增大了金属基底与膜层之间的附着力，使膜层不易脱落，延长膜系的使用寿命；利用磁控溅射沉积各膜层，TiAlN吸收阻隔层能够阻止金属基底和TiNxOy吸收层之间的扩散，增大整个膜系对太阳光的吸收；利用折射率不同的AlN和SiO2组成的双层减反膜系能够提升减反效果；AlN减反保护层具有优良的耐蚀耐磨性能，在高温大气环境下，膜层寿命持久，提高使用寿命。

公开(公告)号：CN107601921A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201710795836.9

申请日：2017-09-06

Applicant: 蚌埠玻璃工业设计研究院

Inventor： 彭寿 ,  马立云 ,  姚婷婷 ,  李刚 ,  彭赛奥 ,  杨勇 ,  金克武 ,  王天齐 ,  沈洪雪 ,  杨扬 ,  甘治平

IPC: C03C17/36 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/049

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 本发明公开一种薄膜太阳能电池用光伏背板玻璃的制备方法，包括以下步骤：选取高应变点玻璃作为玻璃基底，高应变点玻璃的应变点≥575℃、软化点≥800℃；通过磁控溅射，在玻璃基底顶面由下至上依次溅射生长80～120nm厚度的SiN膜层、50～90nm厚度的CuZn膜层、30～60nm厚度的ZnAl膜层、15～35nm厚度的降阻膜层、20～50nm厚度的防腐蚀膜层及35～65nm厚度的Mo膜层，得到所述光伏背板玻璃；降阻膜层为Ti膜层或Cu膜层；防腐蚀膜层为MoN、MoO、TiN或TiON膜层；通过该方法制备得到的背板玻璃具有高应变点、后期高温硒化不变形、抗腐蚀、低电阻率、薄膜应力小等优点，且多层膜结构与玻璃基底附着强度高，能够阻挡玻璃基底中Na+向吸收层的扩散且与CIGS有良好的欧姆接触。