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公开(公告)号：CN110147029A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910348874.9
申请日：2013-10-12
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 山口昇
IPC: G03F1/76 , G03F1/54 , H01L21/027
Abstract: 光掩模和光掩模的制造方法。光掩模在透明基板上具有用于形成第1薄膜图案的第1转印用图案，该光掩模的制造方法具有以下工序：准备光掩模坯体的工序，该光掩模坯体是在透明基板上依次形成了半透光膜和遮光膜而得到的；以及第1转印用图案形成工序，使用光刻工序，根据半透光膜和遮光膜形成第1转印用图案，其中，第1转印用图案具有如下形状，该形状用于通过曝光形成电子器件中的第1薄膜图案，并且包含曝光时使用的曝光装置无法分辨的线宽的标记图案，所述形状是为了形成电子器件中的第2薄膜图案而能够通过追加加工去除由标记图案划定的第1转印用图案的一部分的形状。
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公开(公告)号：CN106933026A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201611178018.6
申请日：2016-12-19
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 山口昇
Abstract: 本发明提供光掩模和光掩模基板及其制造方法、光掩模坯体、显示装置制造方法，能够尽量减小清洗工序中产生异物的可能性，抑制光掩模坯体、光掩模制造工序中产生瑕疵的风险。一种用于形成转印用图案而成为光掩模的由透明材料构成的光掩模基板，具有用于形成转印用图案的第1主表面、位于反面侧的第2主表面、以及垂直于这些主表面的端面。在第1主表面的端部附近设有倾斜区域，该倾斜区域具有第1倒角面和设在第1主表面与第1倒角面之间的第1曲面。第1倒角面相对于第1主表面的倾斜角为50度以下且具有平面。第1曲面的曲率半径r1(mm)满足0.3
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公开(公告)号：CN103676468A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310439264.2
申请日：2013-09-24
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/80
Abstract: 光掩模及其制造方法、转印方法及平板显示器的制造方法。其中多色调光掩模包含透光部、遮光部、第1半透光部和第2半透光部，第1半透光部是在透明基板上形成第1半透光膜而成，第2半透光部是在透明基板上形成第2半透光膜而成，所述制造方法具有：在透明基板上层叠第1半透光膜、遮光膜和第1抗蚀剂膜；对第1抗蚀剂膜实施第1描绘来形成第1抗蚀剂图案；蚀刻遮光膜和第1半透光膜；形成第2半透光膜和第2抗蚀剂膜；对第2抗蚀剂膜实施第2描绘来形成第2抗蚀剂图案；蚀刻第2半透光膜，以在第1半透光部与第2半透光部的边界处，第1半透光膜和第2半透光膜的周缘部具有预定范围的重叠量的重叠的方式形成第1描绘或第2描绘的描绘数据。
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公开(公告)号：CN110967924B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN201910910496.9
申请日：2019-09-25
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 山口昇
Abstract: 本发明涉及光掩模基板、其修正方法、制造方法和处理方法、光掩模的制造方法以及基板处理装置，能够不需要时间和工时对光掩模的缺陷修正，由此提高光掩模制造的生产效率和品质。该光掩模基板的修正方法具有：准备光掩模基板(10)的工序，该光掩模基板(10)在透明基板(100)的一个主表面上形成有用于形成转印用图案的光学膜(200)；和针对在光学膜(200)中产生的缺失缺陷形成修正膜的修正工序。修正工序中，将原料气体供给至光掩模基板(10)的形成有光学膜(200)的第1主表面中的缺失缺陷的位置附近，同时从光掩模基板(10)的第2主表面侧照射激光，利用透过了缺失缺陷的激光使原料气体发生反应，使修正膜堆积在第1主表面的缺失缺陷的位置。
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公开(公告)号：CN103728832B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201310475805.7
申请日：2013-10-12
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 山口昇
Abstract: 本发明提供电子器件和显示装置的制造方法、光掩模及其制造方法，能够减小不同层彼此之间的对准误差。电子器件的制造方法的特征在于，具有以下工序：第1薄膜图案形成工序，在基板上实施使用了第1光掩模的第1光刻工序；以及第2薄膜图案形成工序，实施使用了第2光掩模的第2光刻工序，所述第1光掩模和所述第2光掩模具有包含透光部、遮光部和半透光部的第1转印用图案，并且所述第2光掩模与所述第1光掩模是同一光掩模，或者所述第2光掩模是具有对所述第1光掩模具有的所述第1转印用图案实施追加加工而形成的第2转印用图案的光掩模。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104950569A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510135040.1
申请日：2015-03-26
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 山口昇
IPC: G03F1/44
Abstract: 本发明获得一种能够形成尺寸精度较高的转印用图案的光掩模的制造方法、光掩模以及显示装置的制造方法。该方法是在透明基板上具备对光学膜进行图案化所得到的转印用图案的光掩模的制造方法，具有准备光掩模基板的工序、描绘工序、抗蚀剂图案形成工序、和光学膜图案化工序，在上述描绘工序中使用包括用于形成上述转印用图案的转印用图案数据、和用于形成监测图案的监测图案数据的图案数据来进行描绘，上述光学膜图案化工序包括对上述光学膜实施规定时间的蚀刻的第1蚀刻、以及基于上述监测图案的尺寸测量、和通过上述尺寸测量所得到的上述监测图案的尺寸对上述光学膜实施追加的蚀刻的第2蚀刻。
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公开(公告)号：CN103034044B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201210370046.3
申请日：2012-09-28
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 山口昇
IPC: G03F1/32 , G03F7/20 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供多灰度光掩模、其制造方法及图案转印方法。在为产生相位移动效果而使遮光部具有规定的透光性的多灰度光掩模中，抑制因遮光部内的离开与透光部、半透光部的边界的区域使被加工体上的抗蚀剂膜感光。在具备包含透光部、遮光部、半透光部的转印用图案，在被加工体上形成具有多个不同的残膜值的抗蚀剂图案的多灰度光掩模中，光学膜具有使多灰度光掩模的曝光用光所包含的代表波长的相位移动大致180度的作用，并对代表波长的光具有3%～50%的透过率，在透光部与半透光部中，透明基板表面的一部分露出，遮光部具有形成了在多灰度光掩模的曝光条件下无法分辨的线宽度的微细透过图案的光学膜。
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公开(公告)号：CN103728832A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310475805.7
申请日：2013-10-12
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 山口昇
Abstract: 本发明提供电子器件和显示装置的制造方法、光掩模及其制造方法，能够减小不同层彼此之间的对准误差。电子器件的制造方法的特征在于，具有以下工序：第1薄膜图案形成工序，在基板上实施使用了第1光掩模的第1光刻工序；以及第2薄膜图案形成工序，实施使用了第2光掩模的第2光刻工序，所述第1光掩模和所述第2光掩模具有包含透光部、遮光部和半透光部的第1转印用图案，并且所述第2光掩模与所述第1光掩模是同一光掩模，或者所述第2光掩模是具有对所述第1光掩模具有的所述第1转印用图案实施追加加工而形成的第2转印用图案的光掩模。
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公开(公告)号：CN103513505A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310238262.7
申请日：2013-06-17
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 山口昇
Abstract: 本发明提供光掩模及其制造方法、转印方法及平板显示器的制造方法，在需要多次描绘的光掩模中准确地进行各区域的对准，能够抑制光刻工序的实施次数。所述制造方法具有以下工序：准备光掩模坯体，该光掩模坯体是在透明基板上层叠曝光光透过率彼此不同且由彼此具有蚀刻选择性的材料构成的下层膜与上层膜，进而形成第1抗蚀剂膜而得到的；对第1抗蚀剂膜进行第1描绘，形成用于形成上层膜图案和划定下层膜图案的区域的暂定图案的第1抗蚀剂图案；对上层膜进行蚀刻的第1蚀刻工序；在整面上形成第2抗蚀剂膜；对第2抗蚀剂膜进行第2描绘，形成用于形成下层膜图案的第2抗蚀剂图案；对下层膜进行蚀刻的第2蚀刻工序；蚀刻去除暂定图案的第3蚀刻工序。
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公开(公告)号：CN101937169B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201010221202.0
申请日：2010-06-30
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供能够通过良好的浸湿来形成均匀抗蚀膜的光掩模坯料的制造方法、光掩模的制造方法以及涂布装置。本发明所述的光掩模坯料的制造方法包括：利用涂布装置所具备的喷嘴(22)的毛细管现象使抗蚀液(21)上升，使上升后的抗蚀液(21)浸湿基板(10)的朝向下方的被涂布面(10a)，并使喷嘴(22)和基板(10)相对移动而在被涂布面(10a)形成抗蚀膜，其中，当进行浸湿时，使喷嘴的一端比另一端更接近被涂布面，由此使所述喷嘴内的所述涂布液在所述喷嘴的一端最初浸湿被涂布面，并以所述最初浸湿的点作为浸湿起点，遍及一定长度的喷嘴的全长进行浸湿作业。
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