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公开(公告)号：CN101960627A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200980108016.1
申请日：2009-08-31
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: H01L35/16 , C09K11/881 , C09K11/885 , H01B1/08 , H01B1/10 , H01L31/0272 , H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/0725 , H01L35/18 , H01L35/22 , Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种由下面的化学式表示的新型热电转换材料：Bi1-xCu1-yO1-zTe。在上面的化学式1中：0≤x＜1，0≤y＜1，0≤z＜1且x+y+z＞0。使用该热电转换材料的热电转换器件具有优异的能量转换效率。
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公开(公告)号：CN108751203A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810415143.7
申请日：2013-10-15
Applicant: LG 化学株式会社
IPC: C01B33/113 , H01M4/48 , H01M4/485 , H01M10/05 , H01M10/0525
CPC classification number: H01B1/08 , C01B33/113 , C01B33/181 , H01M4/131 , H01M4/48 , H01M4/483 , H01M4/485 , H01M10/05 , H01M10/052
Abstract: 本发明提供氧化硅的制备方法、包含所述氧化硅的负极活性材料、负极和二次电池。所述氧化硅的制备方法包括：将硅和二氧化硅混合并放入反应室内；降低反应室的压力以获得高真空度，同时将所述反应室内的温度升高到反应温度；以及在还原气氛下使硅和二氧化硅的混合物反应；其中所述高真空度在10‑4托到10‑1托的范围内，以及维持所述高真空度直到硅和二氧化硅的反应结束。通过所述方法可以控制氧化硅中氧的量，所以可以提高二次电池的首次效率。并且由于SiOx和锂原子之间可以进行反应同时维持SiOx结构，所以可以改善寿命特性。
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公开(公告)号：CN105283925B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201480023940.0
申请日：2014-04-17
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: H05K3/105 , C08K3/22 , C08K2003/2227 , C08K2003/2248 , C23C18/1608 , C23C18/161 , C23C18/1612 , C23C18/1641 , C23C18/1658 , C23C18/204 , C23C18/405 , H01B1/22 , H05K1/0296 , H05K1/0373 , H05K1/09 , H05K3/0014 , H05K3/185 , H05K2201/0236 , H05K2201/09118 , H05K2203/107 , C08L69/00
Abstract: 本发明涉及一种用于形成导电图案的组合物，该组合物能够通过非常简单的工艺在各种聚合物树脂产品或树脂层上形成精细导电图案，使用该组合物形成导电图案的方法，以及具有该导电图案的树脂结构。所述用于形成导电图案的组合物包含：聚合物树脂，以及含有第一金属和第二金属的非导电金属化合物，其中，所述非导电金属化合物具有如下三维结构，该三维结构包括多个第一层，该第一层含有第一金属和第二金属中的至少一种金属并且具有互相二维连接的共边八面体，以及含有与第一层的金属不同的金属并且位于相邻的第一层之间的第二层；并且由非导电金属化合物通过电磁照射形成含有第一金属或第二金属或其离子的金属核。
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公开(公告)号：CN105493200A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201480043857.X
申请日：2014-12-17
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: H01B1/22 , C08K3/32 , C08K2003/321 , H05K1/095 , Y10T428/24802 , Y10T428/24909 , C08L69/00
Abstract: 本发明涉及一种用于形成导电图案的组合物，以及具有导电图案的树脂结构，所述组合物能够通过简化工艺在各种聚合物树脂产品或树脂层上形成精细导电图案，并且更有效地满足艺术要求例如实现各种颜色等。用于形成导电图案的组合物包含：聚合物树脂；以及非导电金属化合物，该非导电金属化合物包含第一金属和第二金属，并且是具有预定化学结构的三维NASICON结构。所述用于形成导电图案的组合物可以是通过电磁波照射形成导电图案的组合物，其中通过电磁波照射由所述非导电金属化合物形成包含所述第一金属或其离子的金属核。
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公开(公告)号：CN105190781A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480023758.5
申请日：2014-04-17
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: H05K1/036 , C08J7/123 , C08J2300/22 , C08J2300/24 , C23C18/1608 , C23C18/161 , C23C18/1612 , C23C18/1641 , C23C18/1658 , C23C18/204 , C23C18/405 , H01B1/22 , H05K1/0373 , H05K3/027 , H05K3/185 , H05K2201/0236 , H05K2201/09118 , H05K2203/107 , C08K3/22 , C08L69/00
Abstract: 本发明涉及一种用于形成导电图案的组合物，使用该组合物形成导电图案的方法以及具有该导电图案的树脂结构，所述组合物能够通过非常简单的工艺在各种聚合物树脂产品或树脂层上形成精美导电图案。所述用于形成导电图案的组合物包含聚合物树脂，以及包含第一金属和第二金属的非导电金属化合物，其中，所述非导电金属化合物具有三维结构，该三维结构包括多个包含第一金属和第二金属中的至少一种金属并且具有互相二维连接的共边八面体的第一层，和包含与第一层的金属不同的金属并且排列在相邻的第一层之间的第二层；以及通过电磁照射由非导电金属化合物形成包含第一金属或第二金属或其离子的金属核。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103987660A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201380004099.6
申请日：2013-11-29
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C01B33/113 , H01M10/05
CPC classification number: H01M4/48 , C01B33/113 , H01M4/0471 , H01M4/049 , H01M4/485 , H01M10/052 , Y02P70/54
Abstract: 本发明涉及一种氧化硅的制备方法、由该法制备的氧化硅以及包括该氧化硅的二次电池，在所述制备方法中，通过从含有较大量氧的氧化硅中减少氧的量来适当地控制硅和氧的量。根据所述氧化硅的制备方法，在还原性气氛下对含较大量氧的氧化硅(第一氧化硅)进行热处理来减少氧化硅(第一氧化硅)中氧的量，并制备包含合适量的硅和氧的氧化硅(第二氧化硅)(Si：SiO2＝1:0.7～0.98)，从而提高所述二次电池的容量特性和初始效率并确保其稳定性和循环特性(寿命特征)。
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公开(公告)号：CN103974905A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201380004036.0
申请日：2013-10-15
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C01B33/149 , H01M4/48 , H01M10/05 , C01B33/113
CPC classification number: H01M4/366 , C01B32/05 , C01B33/113 , C01B33/181 , H01M4/0421 , H01M4/0471 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/386 , H01M4/483 , H01M4/485 , H01M4/587 , H01M4/625 , H01M10/052
Abstract: 本发明提供一种氧化硅-碳复合物及其制备方法。更具体地，本发明提供一种氧化硅-碳复合物的制备方法以及由该方法制备的氧化硅-碳复合物，所述方法包括：将硅和二氧化硅混合并加入反应室内、降低反应室的压力以获得高真空度同时将反应室内的温度升高到反应温度、在还原气氛下使硅和二氧化硅的混合物反应、以及在通过所述反应制备的氧化硅的表面覆盖碳。
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公开(公告)号：CN103562128A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201280023832.4
申请日：2012-05-11
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C01B19/00 , C01G15/00 , C01G51/00 , C01G30/00 , H01L31/032
CPC classification number: C01G53/006 , C01B19/002 , C01G51/006 , C01G55/002 , C01P2002/50 , C01P2002/88 , C01P2004/20 , C01P2006/32 , C01P2006/40 , H01L31/032 , H01L35/18
Abstract: 本发明公开了可用于太阳能电池或用作热电材料的新型化合物半导体及其用途。本发明的化合物半导体可以由如下化学式1表示：[化学式1]InxMyCo4-mAmSb12-n-z-pXnQ'pTez，其中M为选自Ca、Sr、Ba、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ag、Cd、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种；A为选自Fe、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir和Pt中的至少一种；X为选自Si、Ga、Ge和Sn中的至少一种；Q'为选自O、S和Se中的至少一种；0
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公开(公告)号：CN103534200A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201280023009.3
申请日：2012-05-11
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: C01G53/006 , C01B19/002 , C01G51/006 , C01G55/002 , C01P2002/50 , C01P2002/88 , C01P2004/20 , C01P2006/32 , C01P2006/40 , H01L31/032 , H01L31/072 , H01L35/18 , Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了可用于太阳能电池或用作热电材料的新型化合物半导体及其用途。根据本发明的化合物半导体可以由以下化学式1表示：InxMyCo4-m-aAmSb12-n-z-bXnTez，其中，在化学式1中，M是选自Ca、Sr、Ba、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ag、Cd、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种；A是选自Fe、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir和Pt中的至少一种；X是选自Si、Ga、Ge和Sn中的至少一种；0
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公开(公告)号：CN103534199A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201280021382.5
申请日：2012-05-11
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C01B19/00 , C01G15/00 , C01G51/00 , C01G30/00 , H01L31/032
CPC classification number: C01G51/006 , C01B19/002 , C01G53/006 , C01G55/002 , C01P2002/52 , C01P2002/88 , C01P2004/20 , C01P2006/32 , C01P2006/40 , H01L35/18
Abstract: 本发明公开了可用于太阳能电池或用作热电材料的新型化合物半导体及其用途。本发明的化合物半导体可以由如下化学式1表示：[化学式1]InxMyCo4-m-aAmSb12-n-z-bXnQ′z，其中M为选自Ca、Sr、Ba、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ag、Cd、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种；A为选自Fe、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir和Pt中的至少一种；X为选自Si、Ga、Ge和Sn中的至少一种；Q′为选自O、S和Se中的至少一种；0
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