公开(公告)号：CN113366628A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202080011282.9

申请日：2020-03-12

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 金性振 ,  卢荣镐 ,  金镇哲 ,  张炳圭

IPC: H01L23/15 ,  H01L23/13 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L23/485 ,  H01L23/525 ,  H01L23/367 ,  H01L23/50 ,  H01L23/538

Abstract: 本实施方式涉及封装基板和半导体装置，上述半导体装置包括：元件部包括半导体元件，及封装基板，与上述元件部电连接；通过将玻璃基板作为芯适用于上述封装基板，使半导体元件和母板更紧密地连接，从而以尽可能短的距离传输电信号。由此，提供显著改善信号传输速度等电特性，实质上防止寄生元件的产生，从而能够进一步简化绝缘膜处理工序，且提供可适用于高速电路的封装基板。

公开(公告)号：CN113261093A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202080007185.2

申请日：2020-03-12

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 金性振 ,  卢荣镐 ,  金镇哲 ,  张炳圭

IPC: H01L23/15 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L23/485 ,  H01L23/528 ,  H01L23/525 ,  H01L23/50 ,  H01L23/538

Abstract: 本实施方式涉及封装基板和半导体装置，上述半导体装置包括具有半导体元件的元件部，及与上述元件部电连接的封装基板；通过将玻璃基板适用为上述封装基板的芯，以使半导体元件和母板更紧密地连接，从而以尽可能短的距离传输电信号。由此，提供一种封装基板，显著改善信号传输速度等电特性，实质上防止寄生元件的产生，从而能够进一步简化绝缘膜处理工序，且可适用于高速电路。

公开(公告)号：CN113122930A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202010294353.2

申请日：2020-04-15

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 张炳圭 ,  朴钟辉 ,  梁殷寿 ,  崔正宇 ,  高上基 ,  具甲烈 ,  金政圭

IPC: C30B35/00 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明实例的坩埚可扩大内部直径，从而，当进行碳化硅粉末的热处理时，不会发生因膨胀及收缩导致的坩埚的损伤。因此，利用上述坩埚来获取碳化硅粉末的烧结体，基于此，可使单晶碳化硅锭生长，由此可提高工序的有效性。

公开(公告)号：CN112210824A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN202010531612.9

申请日：2020-06-11

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 朴钟辉 ,  甄明玉 ,  高上基 ,  具甲烈 ,  金政圭 ,  沈钟珉 ,  张炳圭 ,  崔正宇

IPC: C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  C23C14/06 ,  C23C14/24

Abstract: 本发明涉及用于生长碳化硅晶锭的粉末以及碳化硅晶锭的制备方法。所述碳化硅晶锭的制备方法包括准备步骤，将包含碳化硅颗粒的粉末装入反应容器中，并将籽晶放置在所述反应容器的一个表面，及生长步骤，使所述粉末升华以从所述籽晶生长碳化硅晶锭，所述粉末的流动指数为5到35。本发明的用于生长锭的粉末、使用其的晶锭的制备方法等可以提供抑制异质多型体的混入，以提供缺陷很少或基本上没有缺陷的优质碳化硅晶锭、及由其制成的晶片等。