公开(公告)号：CN113495233B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202110247384.7

申请日：2021-03-02

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 小林尚史 ,  太田宪和 ,  牧野健三

IPC: G01R33/09 ,  G01R15/20

Abstract: 本发明的一种实施方式的磁场检测装置具备：磁阻效应元件和线圈。线圈包含第一阶层部分和第二阶层部分，并且通过供给电流可以对磁阻效应元件形成沿着第二轴向施加的感应磁场，该第一阶层部分和第二阶层部分在第一轴向上以夹着磁阻效应元件的方式相对。第一阶层部分具有多个第一导体，该多个第一导体各自沿着第三轴向延伸且在第二轴向上排列成互相并联。第二阶层部分具有1个第二导体或多个第二导体，该1个第二导体在第三轴向上延伸，该多个第二导体各自沿着第三轴向延伸且在第二轴向上排列成互相并联。第一导体的宽度比第二导体的宽度窄。

公开(公告)号：CN112858964B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202011346355.8

申请日：2020-11-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 牧野健三 ,  太田宪和

IPC: G01R33/09

Abstract: 磁传感器具有至少一个MR元件和线圈。线圈包含至少一个导体部分。至少一个导体部分各自处于由该导体部分产生的部分磁场能够施加于至少一个MR元件中的与该导体部分对应的MR元件的位置，并且沿着以在远离对应的MR元件的方向上成为凸部的方式弯曲的虚拟曲线延伸。

公开(公告)号：CN115840177A

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202211154982.0

申请日：2022-09-21

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 太田宪和 ,  望月慎一郎 ,  渡部司也 ,  平林启

IPC: G01R33/09

Abstract: 磁传感器装置具备第一检测电路、第二检测电路以及处理器。处理器构成为执行生成第一初始检测值的第一生成处理、生成第二初始检测值的第二生成处理、第一修正处理、第二修正处理、以及确定处理。第一修正处理是修正第一初始检测值并更新第一初始检测值的处理。第二修正处理是修正第二初始检测值并更新第二初始检测值的处理。处理器在交替执行第一修正处理和第二修正处理之后执行确定处理。

公开(公告)号：CN112946543A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202011348315.7

申请日：2020-11-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 太田宪和 ,  牧野健三 ,  平林启

IPC: G01R33/06 ,  G01R19/00

Abstract: 本发明的一种实施方式的磁场检测装置具备磁阻效应元件和螺旋线圈。磁阻效应元件包含在第一轴向上延伸的磁阻效应膜。螺旋线圈具有并联部，并且设置为沿着第三轴向行进同时旋绕于磁阻效应元件的周围，并联部包含第一部分和第二部分，第一部分和第二部分各自在第二轴向上延伸同时在第三轴向上相邻且并联，第二轴向对第一轴向倾斜，第三轴向与第一轴向和第二轴向的双方不同。磁阻效应膜配置为在第四轴向上与第一部分和第二部分的双方互相重叠，第四轴向与第二轴向和第三轴向的双方正交。螺旋线圈通过供给电流，可以对磁阻效应膜形成沿着第三轴向施加的感应磁场。

公开(公告)号：CN100347745C

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN200510078085.6

申请日：2005-06-14

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 梅原刚 ,  太田宪和 ,  田上胜通 ,  松隈裕树 ,  大山信也 ,  小出宗司 ,  沟口义之 ,  山田和秀

IPC: G11B5/31 ,  G11B5/60 ,  G11B5/02 ,  G11B21/21

CPC classification number: G11B5/6064 ,  G11B5/3133

Abstract: 本发明涉及一种具有加热器的薄膜磁头。该薄膜磁头包括：衬底；读磁头部件，具有屏蔽区域，蔽长度方向，分离屏蔽区域，由导热率比屏蔽区域的导热率低形成在该衬底上；写磁头部件，具有磁极区域，相对于读磁头部件，形成在该衬底的相对侧；覆盖涂层，用于覆盖读磁头部件和写磁头部件，形成在该衬底上；加热器，至少在该读磁头部件或者写磁头部件的操作期间加热，形成在覆盖涂层内；以及隙缝区域，用于在屏的低导热率材料构成。

公开(公告)号：CN1542741A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN200410006965.8

申请日：2004-03-01

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 太田宪和 ,  上釜健宏 ,  大山信也 ,  小出宗司 ,  佐佐木徹郎

IPC: G11B5/31 ,  G11B5/60 ,  B24B19/26

CPC classification number: B24B37/048 ,  B24B37/042 ,  G11B5/6064

Abstract: 本发明涉及一种薄膜磁头中的介质相对表面的抛光方法。一种薄膜磁头1形成在支架2上，该薄膜磁头1包括再现磁头部11、记录磁头部12和通过激励而适于产生热量的加热器17。在激励加热器17或记录磁头部12的同时对薄膜磁头1的介质相对表面S进行抛光。

公开(公告)号：CN1455930A

公开(公告)日：2003-11-12

申请号：CN02800016.1

申请日：2002-01-29

Applicant: TDK株式会社 ,  新科实业有限公司

Inventor： 和田健 ,  太田宪和 ,  本田隆 ,  白石一雅

IPC: G11B21/21

CPC classification number: G11B5/486

Abstract: 一种HGA包括一个带有至少一个薄膜磁头元件的磁头滑块，一个支撑该磁头滑块的由不锈钢制成的弹性弯曲件，一个支撑该弯曲件并用以对该磁头滑块施加预定载荷的由不锈钢制成的加载梁，一个带有用于该至少一个薄膜磁头元件的电路的驱动IC芯片，一个在其上安装着该驱动IC芯片的引线导体部件，以及一个高导热率部件，该部件由具有高于不锈钢的导热率的材料制成，并在包括至少一个在其上安装着该驱动IC芯片的段的区域中插入该引线导体部件与该加载梁之间。

公开(公告)号：CN118191691A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202311709694.1

申请日：2023-12-13

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 太田宪和 ,  平林启

IPC: G01R33/09 ,  G01R19/00 ,  G01R15/20

Abstract: 磁传感器具备具有第一倾斜面的绝缘层、配置于第一倾斜面之上的多个第一MR元件、以及配置于第一倾斜面之上并且产生对多个第一MR元件施加的磁场的多个第一磁场产生体。多个第一磁场产生体分别包含铁磁性体部和反铁磁性体部。铁磁性体部和反铁磁性体部沿与第一倾斜面交叉的方向层叠。

公开(公告)号：CN115598571A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210801122.5

申请日：2022-07-08

Applicant: TDK株式会社(JP)

Inventor： 太田宪和 ,  平林启 ,  山胁和真 ,  宫崎州平 ,  渡部司也

IPC: G01R33/09

Abstract: 本发明的磁传感器装置具备至少1个磁传感器和支承体。至少1个磁传感器的元件配置区域的重心从支承体的基准平面的重心偏离。至少1个磁传感器包含由多个磁阻效应元件构成的4个电阻部。2个电阻部各自的自由层的磁化包含第三磁化方向的分量。另外2个电阻部各自的自由层的磁化包含与第三磁化方向为相反的第四磁化方向的分量。

公开(公告)号：CN113495233A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202110247384.7

申请日：2021-03-02

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 小林尚史 ,  太田宪和 ,  牧野健三

IPC: G01R33/09 ,  G01R15/20

Abstract: 本发明的一种实施方式的磁场检测装置具备：磁阻效应元件和线圈。线圈包含第一阶层部分和第二阶层部分，并且通过供给电流可以对磁阻效应元件形成沿着第二轴向施加的感应磁场，该第一阶层部分和第二阶层部分在第一轴向上以夹着磁阻效应元件的方式相对。第一阶层部分具有多个第一导体，该多个第一导体各自沿着第三轴向延伸且在第二轴向上排列成互相并联。第二阶层部分具有1个第二导体或多个第二导体，该1个第二导体在第三轴向上延伸，该多个第二导体各自沿着第三轴向延伸且在第二轴向上排列成互相并联。第一导体的宽度比第二导体的宽度窄。