公开(公告)号：CN113447866B

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202110324244.5

申请日：2021-03-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 牧野健三 ,  小林尚史

IPC: H10N50/80 ,  H10N50/10 ,  H10N50/01

Abstract: 本发明提供一种磁传感器及其制造方法。该磁传感器包括MR元件和支承部件。支承部件的上表面包含倾斜部。MR元件包含MR元件主体、下部电极和上部电极。下部电极具有离倾斜部的下端部最近的第一端部和离倾斜部的上端部最近的第二端部。MR元件主体配置在与第一端部相比离第二端部更近的位置。

公开(公告)号：CN115902722A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211157092.5

申请日：2022-09-22

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高杉圭祐 ,  牧野健三

IPC: G01R33/09

Abstract: 本发明的磁场检测装置具备基板、第一凸部、第二凸部、第一磁阻效应膜、第二磁阻效应膜、第一布线、第二布线和1个以上的图案。基板包括平坦面。第一凸部和第二凸部各自包括第一斜面和第二斜面，并且各自设置在平坦面上。第一磁阻效应膜和第二磁阻效应膜分别设置在第一斜面和第二斜面上。第一布线连接分别设置在第一凸部和第二凸部的第一斜面上的第一磁阻效应膜，第二布线连接分别设置在第一凸部和第二凸部的第二斜面上的第二磁阻效应膜。第一凸部与第二凸部以使第一凸部的第一斜面与第二凸部的第二斜面在第一方向上对向的方式，相邻配置在第一方向上。1个以上的图案设置在互相对向的第一凸部的第一斜面和第二凸部的第二斜面的至少一方上。

公开(公告)号：CN112858964A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202011346355.8

申请日：2020-11-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 牧野健三 ,  太田宪和

IPC: G01R33/09

Abstract: 磁传感器具有至少一个MR元件和线圈。线圈包含至少一个导体部分。至少一个导体部分各自处于由该导体部分产生的部分磁场能够施加于至少一个MR元件中的与该导体部分对应的MR元件的位置，并且沿着以在远离对应的MR元件的方向上成为凸部的方式弯曲的虚拟曲线延伸。

公开(公告)号：CN109407017B

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN201810940674.8

申请日：2018-08-17

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 内田圭祐 ,  牧野健三

IPC: G01R33/02

Abstract: 本发明提供一种磁传感器，其具备：磁场转换部、磁场检测部、磁性膜。磁场转换部包含磁轭，所述磁轭接受包含平行于Z向的方向的输入磁场成分的输入磁场，产生包含平行于X向的方向的输出磁场成分的输出磁场。磁场检测部包含磁检测元件，所述磁检测元件接受输出磁场，生成对应于输出磁场成分的检测值。磁性膜吸收输出磁场成分以外的磁检测元件具有灵敏度的方向的磁场即噪声磁场的磁通的一部分。

公开(公告)号：CN115840174A

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202211152548.9

申请日：2022-09-21

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 小嶋秀和 ,  牧野健三 ,  平林启

IPC: G01R33/09

Abstract: 本发明提供一种磁传感器，其具备：基板，其具有上表面；绝缘层，其配置于基板之上，且具有分别相对于基板的上表面倾斜的第一及第二倾斜面；以及MR元件。MR元件配置于第一倾斜面或第二倾斜面之上。MR元件具有包含相对于第一倾斜面或第二倾斜面所成的角度相互不同的第一部分及第二部分的第一侧面。

公开(公告)号：CN115840169A

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202211143044.0

申请日：2022-09-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 梅原弘道 ,  牧野健三 ,  桥野将亲

IPC: G01R33/09

Abstract: 磁传感器包含具有凸面的绝缘层、第一MR元件、以及第二MR元件。第一MR元件配置在凸面的第一倾斜面之上。第二MR元件配置在凸面的第二倾斜面之上。凸面包含第一～第三曲面部分。第二及第3曲面部分分别是向接近基板的上表面的方向上凸出的曲面。

公开(公告)号：CN114791578A

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202210085333.3

申请日：2022-01-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高桥宏和 ,  牧野健三

IPC: G01R33/09

Abstract: 本发明的磁传感器具备MR元件和支撑构件。支撑构件具有包含第1倾斜部分的相对面和下表面。在任意的截面中，第1倾斜部分在第1位置以第1角度倾斜，并且第1倾斜部分在第2位置以比第1角度小的第2角度倾斜。第1位置处的第1倾斜部分的曲率的绝对值，小于第2位置处的第1倾斜部分的曲率的绝对值。MR元件以在任意的截面中第1端部位于第1位置的上方的方式，配置在第1倾斜部分之上。

公开(公告)号：CN110299447A

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201910221333.X

申请日：2019-03-22

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 牧野健三

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11C11/15

Abstract: 本发明提供一种磁阻效应器件，其包括MR元件和偏置磁场发生部。MR元件包括一个方向上较长的形状的自由层。偏置磁场发生部包括产生偏置磁场的铁磁性层。铁磁性层包括以包围自由层的外周的方式配置的两个主要部分、第一侧方部分和第二侧方部分。在与自由层的长度方向垂直的任意截面中，第一侧方部分与自由层之间的最短距离、和第二侧方部分与自由层之间的最短距离均为35nm以下。

公开(公告)号：CN110260770A

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201811456750.4

申请日：2018-11-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 牧野健三 ,  梅原刚

IPC: G01B7/00 ,  G01R33/09 ,  H01L43/08 ,  H01L43/06

Abstract: 本发明提供一种磁传感器，该磁传感器产生检测信号，该检测信号根据基准平面内的检测位置处的对象磁场的强度而变化。磁传感器包括磁阻效应元件。磁阻效应元件包括：具有第一方向上的磁化的磁化固定层；具有能够根据作用磁场的方向而变化方向的磁化的自由层，该作用磁场是合成作用于其上的所有磁场而得到的磁场。自由层具有单轴磁各向异性，其中易磁化轴朝向平行于第二方向的方向。在基准平面内与第二方向正交的两个方向都不同于目标磁场的方向。

公开(公告)号：CN108627782A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810166434.7

申请日：2018-02-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 内田圭祐 ,  牧野健三 ,  平林启

IPC: G01R33/09 ,  G01R33/10 ,  G01R33/07 ,  G01R33/06

Abstract: 本发明提供一种磁传感器，具备磁场转换部和磁场检测部。磁场转换部接受包含与Z方向平行的方向的输入磁场成分的输入磁场，产生包含与X方向平行的方向的输出磁场成分的输出磁场。磁场检测部接受输出磁场，生成与输入磁场成分对应的输出信号。磁场检测部包含第一磁检测元件和第二磁检测元件。当产生磁场转换部与磁场检测部的错位时，第一磁检测元件接受的输出磁场成分的部分的强度和第二磁检测元件接受的输出磁场成分的部分的强度的一方增加且另一方减少。