公开(公告)号：CN1530964A

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN200410008685.0

申请日：2004-03-16

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 宫内泰治 ,  岚友宏

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/46 ,  C04B35/16 ,  H01P7/10

CPC classification number: H01P7/10 ,  C04B35/20 ,  C04B35/465 ,  C04B35/6262 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  H01B3/12

Abstract: 本发明提供可控制相对介电系数εr和温度系数τf的、具有例如适合于准毫米波以及毫米波频带的相对介电系数εr以及接近零的温度系数τf的电介质瓷器组合物。通过在MgTiO3中加入Mg2SiO4，控制相对介电系数εr。例如，当MgTiO3的摩尔比为a，Mg2SiO4的摩尔比为b时，通过a+b＝1、0.5≤b≤1，实现小于等于12的相对介电系数εr。另一方面，通过在MgTiO3中加入CaTiO3，控制温度系数τf。例如，当MgTiO3的摩尔比为a，CaTiO3的摩尔比为c时，通过a+c＝1、0≤c≤0.15，实现±55ppm/K的温度系数τf，通过0.03≤c≤0.08，实现±30ppm/K的温度系数τf。而且，温度系数τf控制在零附近。

公开(公告)号：CN1357898A

公开(公告)日：2002-07-10

申请号：CN01123098.3

申请日：1995-10-17

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐藤阳 ,  川野直树 ,  野村武史 ,  中野幸惠 ,  岚友宏 ,  山松纯子

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/008 ,  H01G4/30

CPC classification number: B32B18/00 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/63424 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/785 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/40 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706 ,  H01G4/1227

Abstract: 一种多层瓷介片状电容器,满足X7R性质或其电容量的温度响应并表现出在直流电场下电容量随时间的变化最小,绝缘电阻(IR)的加速寿命很长及良好的直流偏置性能,并提供一种耐介质击穿的多层瓷片状电容器。在第一种形式中,介电层包含作为主要组分BaTiO3并包含作为次要组分按特定比例的MgO、Y2O3、BaO与CaO中至少一种及SiO2。在第二种形式中,介电层还包含作为次要组分按特定比例的MnO、V2O5与MoO3中至少一种。

公开(公告)号：CN1137326A

公开(公告)日：1996-12-04

申请号：CN95191054.X

申请日：1995-10-17

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐藤阳 ,  川野直树 ,  野村武史 ,  中野幸惠 ,  岚友宏 ,  山松纯子

IPC: H01G4/12

CPC classification number: B32B18/00 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/63424 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/785 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/40 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706 ,  H01G4/1227

Abstract: 一种多层瓷介片状电容器，满足X7R性质或其电容量的温度响应并表现出在直流电场下电容量随时间的变化最小，绝缘电阻(IR)的加速寿命很长及良好的直流偏置性能，并提供一种耐介质击穿的多层瓷片状电容器。在第一种形式中，介电层包含作为主要组分BaTiO3并包含作为次要组分按特定比例的MgO、Y2O3、BaO与CaO中至少一种、及SiO2。在第二种形式中，介电层还包含作为次要组分按特定比例的MnO、V2O5与MoO3中至少一种。