公开(公告)号：CN108885940A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780021936.4

申请日：2017-04-05

Applicant: 埃普科斯股份有限公司

Inventor： M.科伊尼 ,  J.康拉德 ,  G.屈格尔

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/38 ,  H01G4/40 ,  H01G2/08 ,  H01G4/008 ,  H01G4/12

CPC classification number: H01G4/40 ,  C04B35/493 ,  C04B37/006 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/79 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/348 ,  C04B2237/72 ,  H01G2/08 ,  H01G4/0085 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/30 ,  H01G4/38

Abstract: 本发明涉及一种模块（1），其具有功率半导体器件（2）和陶瓷电容器（3），所述陶瓷电容器被设计用于冷却所述功率半导体器件（2）。

公开(公告)号：CN105934419B

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201580004963.1

申请日：2015-01-21

Applicant: 爱普科斯公司

Inventor： 田内古史 ,  井村智也 ,  广濑政和

IPC: H01L41/187 ,  C04B35/462 ,  C04B35/47 ,  C04B35/475 ,  H01G4/12

CPC classification number: H01G4/1227 ,  C04B35/462 ,  C04B35/47 ,  C04B35/475 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/79 ,  H01G4/005 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/228 ,  H01G4/30

Abstract: 要解决的问题在于提供一种介电组合物，其在施加至少8V/μm的DC偏压时具有800或更大的相对较高的介电常数，并且还在于提供使用所述介电组合物的介电元件、电子部件以及层压电子部件。[解决方案]一种介电组合物，其中，主要成分的组成是根据以下公式(1)：(BiaNabSrc)(MgdTi1‑d)O3(1)[其中，a、b、c和d满足以下：0.10≤a≤0.65、0

公开(公告)号：CN103650323B

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201280033361.5

申请日：2012-06-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 林润平 ,  武田宪一 ,  小山信也 ,  明石健一 ,  古田达雄

IPC: H02N2/16 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H02N2/10 ,  B41J2/14 ,  C04B35/468 ,  G02B7/00

CPC classification number: H01L41/083 ,  B41J2/14201 ,  B41J2/14233 ,  B41J2202/03 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/49 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/63416 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/78 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  H01L41/09 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/1871 ,  H02N2/106 ,  H02N2/163

Abstract: 在宽运行温度范围内稳定运行的无铅压电元件含有无铅压电材料。该压电元件包括第一电极、第二电极和压电材料，该压电材料包括由(Ba1‑xCax)a(Ti1‑yZry)O3(1.00≤a≤1.01，0.02≤x≤0.30，0.020≤y≤0.095，和y≤x)表示的钙钛矿型金属氧化物作为主要成分和在该钙钛矿型金属氧化物中引入的锰。相对于100重量份的该钙钛矿型金属氧化物，锰含量为0.02重量份‑0.40重量份，基于金属。

公开(公告)号：CN106660820A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580041516.3

申请日：2015-07-30

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 江崎亮太 ,  西崎努 ,  田村哲也

IPC: C01G23/00 ,  H01M4/485 ,  H01M10/0562

CPC classification number: H01M4/485 ,  C01G23/005 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/64 ,  C04B35/462 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/763 ,  C04B2235/768 ,  H01M10/0562

Abstract: 提供通过1000℃以下的焙烧而能够防止焙烧中的质量减少且形成固体电解质和负极活性物质的前体。使用钛酸锂系复合产物的前体，该前体的特征在于，其是用于通过焙烧而形成钛酸锂与钛酸锂镧的复合产物的前体，其由包含Li与Ti的复合盐以及La元素源化合物的固体状物质形成。这种钛酸锂系复合产物的前体通过下述制造方法来获得，所述制造方法的特征在于，其包括：将至少包含Ti元素源、Li元素源和溶剂的混合物通过溶剂热处理法进行加热，从而形成固体状物质的工序。

公开(公告)号：CN101903308B

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN200880121198.1

申请日：2008-10-20

Applicant: 陶瓷技术有限责任公司

Inventor： R·宾迪格 ,  H-J·施赖纳

IPC: H01L41/187

CPC classification number: C04B35/491 ,  C04B35/462 ,  C04B35/468 ,  C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/6303 ,  C04B37/001 ,  C04B37/006 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/447 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/727 ,  C04B2235/768 ,  H01L41/0471 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/273 ,  H01L41/43

Abstract: 按现有技术，压电陶瓷多层元件在约1100℃或更高的温度下在空气中经烧结。因此仅可用具有高熔点的贵金属作为内电极。非贵金属会发生氧化。所以通常使用含至多40％钯的银‑钯合金。但这又涉及高的材料成本问题。内电极材料的低熔点也需具有相应低的烧结温度的陶瓷材料。因此本发明建议，在母材中加入非导电的烧结助剂，该内电极含银优选纯银作为主材料成分，并含非导电材料成分和/或金属合金或金属氧化物混合物。

公开(公告)号：CN106380195A

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201610874906.5

申请日：2016-10-08

Applicant: 东北大学

Inventor： 齐西伟 ,  张敏 ,  王海旺 ,  魏新芳 ,  包立 ,  李颖 ,  马知雨 ,  张泽然 ,  彭慧君

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/624 ,  H01G4/12 ,  H01L41/187

CPC classification number: C04B35/4682 ,  C04B35/622 ,  C04B35/624 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/768 ,  H01G4/1227 ,  H01L41/1871

Abstract: 本发明公开了一种钛酸钡陶瓷及其制备方法，该方法包括以下步骤：步骤一：取氢氧化钡、钛酸丁酯、硝酸铁、硝酸铋制作获得凝胶；步骤二：将所述步骤一中获得的所述凝胶进行烘干，并将烘干后的所述凝胶进行研碎、过筛以及预烧处理，获得掺杂Bi3+离子、Fe3+离子的钛酸钡粉料；步骤三：取所述步骤二中获得的掺杂Bi3+离子、Fe3+离子的钛酸钡粉料通过压制成型工艺以及烧结工艺即得所述钛酸钡陶瓷。本申请选取硝酸铁、硝酸铋作为离子固溶剂，在一定条件下,实现Bi3+、Fe3+离子对局部 Ba2+与 Ti4+离子的取代，引起的晶格应变，进而制备出介电性能优异的四方-立方转变相的钛酸钡陶瓷，该钛酸钡陶瓷具有更高的介电常数，在实际应用中具有极高的价值。

公开(公告)号：CN106187181A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610578097.3

申请日：2016-07-21

Applicant: 同济大学

Inventor： 杨同青 ,  王修才 ,  沈杰

IPC: C04B35/491 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/491 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/768

Abstract: 本发明涉及一种基于轧膜工艺的PZT基反铁电材料及其制备方法，所述的材料是以钙钛矿结构PZT体系为基体，将La和Sn分别部分代替Pb和Zr进入基体，化学成分符合化学通式(Pb1-aLa2a/3)(Zr1-x-ySnxTiy)O3，其中，a的取值范围为0＜a≤0.06，x的取值范围为0＜x＜1.0，y的取值范围为0＜y＜1.0；制备方法主要步骤包括粉体和粘结剂制备、配料、混炼、粗轧、精轧和膜切，最后排胶、烧结，根据需要镀或者溅射不同电极或叠层。与现有技术相比，本发明制备的反铁电材料具有很高的击穿场强(≥200kV/cm)和储能密度(2J/cm3-4.2J/cm3)，制备工艺简单，操作简便，成本较低，适合工业生产。

公开(公告)号：CN104744020B

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：CN201310745369.0

申请日：2013-12-30

Applicant: 比亚迪股份有限公司

Inventor： 陈戈 ,  林勇钊 ,  林信平

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/117 ,  C04B35/111 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/634 ,  C04B35/63416 ,  C04B35/6365 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3268 ,  C04B2235/3274 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/74 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9661

Abstract: 本发明涉及一种陶瓷，该陶瓷含有氧化铝和具有钙钛矿结构的锶的氧化物。本发明还涉及一种陶瓷的制备方法，即：（1）将含有基体材料、添加剂、增韧剂、黑色染色剂的陶瓷原料与烧结助剂在有机溶剂中混合均匀，然后加入粘结剂混合均匀，得到混合浆料；（2）将步骤（1）得到的混合浆料干燥除去有机溶剂，得到球形粉体；（3）将步骤（2）得到的球形粉体干压成型，然后烧结，得到陶瓷；其中，所述基体材料为氧化铝，所述添加剂含有碳酸锶，在烧结过程中，所述增韧剂、所述黑色染色剂均能够与所述添加剂形成钙钛矿结构。本发明还涉及如上方法制备的陶瓷。采用该方法能够制得兼具韧性强和黑度高的陶瓷。

公开(公告)号：CN105967679A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610143554.6

申请日：2016-03-14

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 兼子俊彦 ,  藤野辰哉 ,  森崎信人 ,  伊藤康裕

IPC: C04B35/468 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12

CPC classification number: H01G4/1227 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/488 ,  C04B35/49 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3249 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/80 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/68 ,  H01G4/30 ,  H01B3/12

Abstract: 本发明涉及一种介电陶瓷组合物，其特征在于，所述介电陶瓷组合物含有：具有通式ABO3所表示的钙钛矿型结晶结构的主成分、作为稀土元素的氧化物的第1副成分、和作为Si的氧化物的第2副成分，至少含有具有核壳结构的介电体颗粒以及偏析颗粒，上述偏析颗粒中的上述稀土元素的浓度为上述具有核壳结构的介电体颗粒的壳部中的上述稀土元素的平均浓度的2倍以上，在切断上述介电陶瓷组合物的截面中，上述偏析颗粒所占的区域的面积为5.0％以下，各个上述偏析颗粒的截面积的平均为0.075μm2以下。

公开(公告)号：CN105859283A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610299313.0

申请日：2016-05-06

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 朱满康 ,  郭金键 ,  李玲 ,  郑木鹏 ,  侯育冬 ,  刘晶冰 ,  王如志 ,  汪浩 ,  严辉

IPC: C04B35/49 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/49 ,  C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/96

Abstract: K0.5Bi0.5TiO3–BiNi0.5Zr0.5O3电致伸缩陶瓷材料及制备，属于钙钛矿结构铁电陶瓷领域。用通式(1?x)K0.5Bi0.5TiO3?x BiNi0.5Zr0.5O3(0