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公开(公告)号：CN1357898A
公开(公告)日：2002-07-10
申请号：CN01123098.3
申请日：1995-10-17
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: B32B18/00 , B32B2311/22 , C04B35/4682 , C04B35/6264 , C04B35/63424 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B2235/3205 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3256 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/765 , C04B2235/768 , C04B2235/785 , C04B2237/12 , C04B2237/346 , C04B2237/40 , C04B2237/405 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , H01G4/1227
Abstract: 一种多层瓷介片状电容器,满足X7R性质或其电容量的温度响应并表现出在直流电场下电容量随时间的变化最小,绝缘电阻(IR)的加速寿命很长及良好的直流偏置性能,并提供一种耐介质击穿的多层瓷片状电容器。在第一种形式中,介电层包含作为主要组分BaTiO3并包含作为次要组分按特定比例的MgO、Y2O3、BaO与CaO中至少一种及SiO2。在第二种形式中,介电层还包含作为次要组分按特定比例的MnO、V2O5与MoO3中至少一种。
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公开(公告)号：CN1137326A
公开(公告)日：1996-12-04
申请号：CN95191054.X
申请日：1995-10-17
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01G4/12
CPC classification number: B32B18/00 , B32B2311/22 , C04B35/4682 , C04B35/6264 , C04B35/63424 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B2235/3205 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3256 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/765 , C04B2235/768 , C04B2235/785 , C04B2237/12 , C04B2237/346 , C04B2237/40 , C04B2237/405 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , H01G4/1227
Abstract: 一种多层瓷介片状电容器，满足X7R性质或其电容量的温度响应并表现出在直流电场下电容量随时间的变化最小，绝缘电阻(IR)的加速寿命很长及良好的直流偏置性能，并提供一种耐介质击穿的多层瓷片状电容器。在第一种形式中，介电层包含作为主要组分BaTiO3并包含作为次要组分按特定比例的MgO、Y2O3、BaO与CaO中至少一种、及SiO2。在第二种形式中，介电层还包含作为次要组分按特定比例的MnO、V2O5与MoO3中至少一种。
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公开(公告)号：CN1266720C
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN01123098.3
申请日：1995-10-17
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01G4/12 , H01G4/008 , H01G4/30 , C04B35/468
CPC classification number: B32B18/00 , B32B2311/22 , C04B35/4682 , C04B35/6264 , C04B35/63424 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B2235/3205 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3256 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/765 , C04B2235/768 , C04B2235/785 , C04B2237/12 , C04B2237/346 , C04B2237/40 , C04B2237/405 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , H01G4/1227
Abstract: 一种多层瓷片状电容器，满足X7R性质或其电容量的温度响应并表现出在直流电场下电容量随时间的变化最小，绝缘电阻(IR)的加速寿命很长及良好的直流偏置性能，并提供一种耐介质击穿的多层瓷片状电容器，所述介电层具有最大为0.45μm的平均粒度。在第一种形式中，介电层包含作为主要组分BaTiO3并包含作为次要组分按特定比例的MgO、Y2O3、BaO与CaO中至少一种、及SiO2。在第二种形式中，介电层还包含作为次要组分按特定比例的MnO、V2O5与MoO3中至少一种。
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公开(公告)号：CN1092391C
公开(公告)日：2002-10-09
申请号：CN95191054.X
申请日：1995-10-17
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01G4/12 , H01G4/30 , C04B35/468
CPC classification number: B32B18/00 , B32B2311/22 , C04B35/4682 , C04B35/6264 , C04B35/63424 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B2235/3205 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3256 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/765 , C04B2235/768 , C04B2235/785 , C04B2237/12 , C04B2237/346 , C04B2237/40 , C04B2237/405 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , H01G4/1227
Abstract: 一种多层瓷介片状电容器，满足X7R性质或其电容量的温度响应并表现出在直流电场下电容量随时间的变化最小，绝缘电阻(IR)的加速寿命很长及良好的直流偏置性能，并提供一种耐介质击穿的多层瓷片状电容器。在第一种形式中，介电层包含作为主要组分BaTiO3并包含作为次要组分按特定比例的MgO、Y2O3、BaO与CaO中至少一种、及SiO2。在第二种形式中，介电层还包含作为次要组分按特定比例的MnO、V2O5与MoO3中至少一种。
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