公开(公告)号：CN104098327B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201410136887.7

申请日：2014-04-04

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 岚友宏 ,  田口修 ,  河田智明

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/495 ,  C04B35/453 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/96 ,  H01G4/1209 ,  Y10T428/2982

Abstract: 本发明提供了一种由通式xBi2O3-yZnO-(z-a)Nb2O5-aV2O5表示的电介质陶瓷组合物。其中，通式中的x、y、z和a分别满足2.90≦x≦3.10、1.90≦y≦2.10、1.90≦z≦2.10、0.0005≦a≦0.020。

公开(公告)号：CN102248723B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201110084040.5

申请日：2011-03-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 樱井俊雄 ,  小更恒 ,  岚友宏 ,  中野贵弘 ,  宫内泰治

IPC: B32B18/00

CPC classification number: H05K1/0306 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/20 ,  H01G4/30 ,  H01G4/33 ,  Y10T29/43

Abstract: 本发明涉及陶瓷电子部件和制造陶瓷电子部件的方法。一种陶瓷电子部件，其包括第一电介质层、第二电介质层和中间层。所述第一电介质层为包含BaO、Nd2O3和TiO2的层，所述第二电介质层为包含与所述第一电介质层材料不同的材料的层，和所述中间层为形成于所述第一电介质层和所述第二电介质层之间并且含有不共同包含于所述第一电介质层和所述第二电介质层中的主组分作为主组分的层。

公开(公告)号：CN102248723A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110084040.5

申请日：2011-03-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 樱井俊雄 ,  小更恒 ,  岚友宏 ,  中野贵弘 ,  宫内泰治

IPC: B32B18/00

CPC classification number: H05K1/0306 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/20 ,  H01G4/30 ,  H01G4/33 ,  Y10T29/43

Abstract: 本发明涉及陶瓷电子部件和制造陶瓷电子部件的方法。一种陶瓷电子部件，其包括第一电介质层、第二电介质层和中间层。所述第一电介质层为包含BaO、Nd2O3和TiO2的层，所述第二电介质层为包含与所述第一电介质层材料不同的材料的层，和所述中间层为形成于所述第一电介质层和所述第二电介质层之间并且含有不共同包含于所述第一电介质层和所述第二电介质层中的主组分作为主组分的层。

公开(公告)号：CN100519472C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200580033116.4

申请日：2005-09-29

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 岚友宏 ,  宫内泰治

IPC: C04B35/46 ,  H01B3/12

Abstract: 通过本发明可提供一种通过以规定的比例含有BaO、Nd2O3、TiO2、MgO及SiO2作为电介质陶瓷组合物的主成分，以规定的比例含有ZnO、B2O3及CuO作为所述电介质陶瓷组合物的副成分，可以得到在低温下的烧结性更为稳定和可靠的产品，实现Ag或以Ag为主成分的合金等导体作为内部导体进行使用的产品。进一步，还可以得到温度变化引起的共振频率数的变化小、具有比BaO-稀土类氧化物-TiO2类电介质陶瓷组合物的比介电常数更低的比介电常数电介质陶瓷组合物，并为形成多层型设备提供适用的电介质陶瓷组合物。

公开(公告)号：CN101844428B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201010147494.8

申请日：2010-03-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 樱井俊雄 ,  岚友宏 ,  小更恒 ,  畑中洁

IPC: B32B18/00 ,  H01P1/20 ,  H01G4/12 ,  C04B35/622

CPC classification number: H01G4/30 ,  B32B18/00 ,  C04B35/20 ,  C04B35/462 ,  C04B35/468 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62685 ,  C04B37/005 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/408 ,  C04B2237/068 ,  C04B2237/341 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/60 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/20 ,  H01G4/40

Abstract: 本发明提供一种陶瓷电子部件，本发明的陶瓷电子部件虽然是层叠不同材质的电介质层而形成，但可以充分防止被层叠的电介质层彼此间的相互剥离。本发明的陶瓷电子部件具有：含有主成分为BaO、Nd2O3、TiO2的第一电介质层；与第一电介质层材质不同的第二电介质层；形成于第一电介质层与第二电介质层之间且含有Zn以及Ti的边界层。

公开(公告)号：CN102248719A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110056287.6

申请日：2011-03-09

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 樱井俊雄 ,  小更恒 ,  岚友宏 ,  畑中洁 ,  宫内泰治

IPC: B32B15/04 ,  B32B9/04 ,  C04B35/622

CPC classification number: H01G4/1227 ,  B32B18/00 ,  C04B35/20 ,  C04B35/462 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/407 ,  C04B2235/408 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2237/341 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/58 ,  C04B2237/60 ,  H01G4/20 ,  H01G4/30 ,  Y10T428/12729 ,  Y10T428/12806

Abstract: 一种陶瓷电子部件，其包括第一电介质层、第二电介质层和边界反应层。所述第一电介质层为包含BaO、Nd2O3和TiO2的层，所述第二电介质层为包含与所述第一电介质层不同的材料的层，所述边界反应层为形成于所述第一电介质层和所述第二电介质层之间并包含Zn、Ti、Cu和Mg的至少一种的层。

公开(公告)号：CN1266720C

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN01123098.3

申请日：1995-10-17

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐藤阳 ,  川野直树 ,  野村武史 ,  中野幸惠 ,  岚友宏 ,  山松纯子

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/008 ,  H01G4/30 ,  C04B35/468

CPC classification number: B32B18/00 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/63424 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/785 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/40 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706 ,  H01G4/1227

Abstract: 一种多层瓷片状电容器，满足X7R性质或其电容量的温度响应并表现出在直流电场下电容量随时间的变化最小，绝缘电阻(IR)的加速寿命很长及良好的直流偏置性能，并提供一种耐介质击穿的多层瓷片状电容器，所述介电层具有最大为0.45μm的平均粒度。在第一种形式中，介电层包含作为主要组分BaTiO3并包含作为次要组分按特定比例的MgO、Y2O3、BaO与CaO中至少一种、及SiO2。在第二种形式中，介电层还包含作为次要组分按特定比例的MnO、V2O5与MoO3中至少一种。

公开(公告)号：CN1092391C

公开(公告)日：2002-10-09

申请号：CN95191054.X

申请日：1995-10-17

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐藤阳 ,  川野直树 ,  野村武史 ,  中野幸惠 ,  岚友宏 ,  山松纯子

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  C04B35/468

CPC classification number: B32B18/00 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/63424 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/785 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/40 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706 ,  H01G4/1227

Abstract: 一种多层瓷介片状电容器，满足X7R性质或其电容量的温度响应并表现出在直流电场下电容量随时间的变化最小，绝缘电阻(IR)的加速寿命很长及良好的直流偏置性能，并提供一种耐介质击穿的多层瓷片状电容器。在第一种形式中，介电层包含作为主要组分BaTiO3并包含作为次要组分按特定比例的MgO、Y2O3、BaO与CaO中至少一种、及SiO2。在第二种形式中，介电层还包含作为次要组分按特定比例的MnO、V2O5与MoO3中至少一种。

公开(公告)号：CN102248719B

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201110056287.6

申请日：2011-03-09

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 樱井俊雄 ,  小更恒 ,  岚友宏 ,  畑中洁 ,  宫内泰治

IPC: B32B15/04 ,  B32B9/04 ,  C04B35/622

CPC classification number: H01G4/1227 ,  B32B18/00 ,  C04B35/20 ,  C04B35/462 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/407 ,  C04B2235/408 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2237/341 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/58 ,  C04B2237/60 ,  H01G4/20 ,  H01G4/30 ,  Y10T428/12729 ,  Y10T428/12806

Abstract: 一种陶瓷电子部件，其包括第一电介质层、第二电介质层和边界反应层。所述第一电介质层为包含BaO、Nd2O3和TiO2的层，所述第二电介质层为包含与所述第一电介质层不同的材料的层，所述边界反应层为形成于所述第一电介质层和所述第二电介质层之间并包含Zn、Ti、Cu和Mg的至少一种的层。

公开(公告)号：CN102367211A

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN201110185021.1

申请日：2011-06-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 樱井俊雄 ,  岚友宏 ,  小更恒 ,  中野贵弘 ,  中村知子 ,  宫内泰治

IPC: C04B35/16 ,  C04B35/622 ,  H01G4/12

CPC classification number: C04B35/20 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  H05K1/0306

Abstract: 本发明涉及电介质陶瓷、电介质陶瓷的生产方法和电子部件。提供包括含有Mg2SiO4的主组分以及含有氧化锌和玻璃组分的添加剂的电介质陶瓷，其中在X射线衍射中，对于保持未反应的氧化锌的2θ为在31.0°至32.0°之间和在33.0°至34.0°之间的X射线衍射峰强度IB相对于对于作为主相的Mg2SiO4的2θ为在36.0°至37.0°之间的峰强度IA的峰强度比IB/IA为10％以下。所述电介质陶瓷具有96％以上的相对密度。