公开(公告)号：CN102265397B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN200880132493.7

申请日：2008-12-23

Applicant: 惠普开发有限公司

Inventor： R.S.威廉斯 ,  D.B.斯特鲁科夫 ,  A.布拉特科夫斯基

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L27/2463 ,  G11C13/02 ,  G11C2213/11 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/14 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/165 ,  H01L45/1658

Abstract: 此处公开了一种忆阻设备。该设备包括：第一电极，第二电极，以及设置在所述第一和第二电极之间的有源区。在所述有源区中存在至少两个移动物种。所述至少两个移动物种中的每一个被配置成限定所述忆阻设备的单独状态变量。

公开(公告)号：CN102318057B

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201080007404.3

申请日：2010-01-12

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 刘峻

IPC: H01L21/8239

CPC classification number: G11C13/0009 ,  G11C11/5614 ,  G11C13/0011 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/24 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/145 ,  H01L45/148 ,  H01L45/149 ,  H01L45/16

Abstract: 一些实施例包括具有存储器单元的设备及方法，所述存储器单元具有第一电极、第二电极及位于所述第一与第二电极之间的电介质。所述电介质可经配置以允许所述存储器单元由所述第一电极的材料的一部分在所述电介质中形成导电路径以表示存储于所述存储器单元中的第一信息值。所述电介质还可经配置以允许所述存储器单元中断所述导电路径以表示存储于所述存储器单元中的第二信息值。

公开(公告)号：CN101803025B

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN200880107834.5

申请日：2008-09-18

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 刘峻 ,  迈克尔·P·瓦奥莱特

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/1608 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/101 ,  H01L27/24 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144

Abstract: 本发明涉及可变电阻材料存储器，其包括安置于二极管下面的掩埋式自对准多晶硅化物字线。可变电阻材料存储器包括被间隔开且紧接所述二极管的金属间隔件。方法包括形成所述掩埋式自对准多晶硅化物字线及所述金属间隔件中的一者。装置包括所述可变电阻材料存储器及所述掩埋式经自对准多晶硅化的字线与所述间隔件字线中的一者。

公开(公告)号：CN103811494A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310547253.6

申请日：2013-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宰圭 ,  金昌圭

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/105

CPC classification number: G11C5/063 ,  G11C7/18 ,  G11C13/0002 ,  G11C2213/82 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2436 ,  H01L43/08 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

Abstract: 半导体存储器件包括在一个单元阵列块中沿行和列二维地布置的单位单元。单位单元被分为多个单元子组，每个单元子组包括组成多个行的单位单元。每个单位单元包括选择元件和数据存储部。字线连接到组成每列的单位单元的选择元件的栅电极。位线连接到组成所述行的单位单元的数据存储部。在每个单元子组中源极线电连接到单位单元的选择元件的源极端子。源极线平行于位线。源极线与位线中的一条被选位线相邻。源极线和被选位线之间的距离等于彼此相邻的位线之间的距离。

公开(公告)号：CN103633145A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310367400.1

申请日：2013-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南奇亨 ,  P.赵 ,  金容宽

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/10891 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2454 ,  H01L27/2463 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/78 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：基板，包括二维布置的有源部分；器件隔离图案，沿有源部分的侧壁延伸，每个器件隔离图案包括第一和第二器件隔离图案；跨过有源部分和器件隔离图案延伸的栅图案，每个栅图案包括栅绝缘层、栅线和栅覆盖图案；以及分别在有源部分上的欧姆图案。第一器件隔离图案的顶表面可以低于第二器件隔离图案的顶表面，栅绝缘层的顶表面可以低于栅覆盖图案的顶表面，欧姆图案可以包括在第一绝缘层上的延伸部。

公开(公告)号：CN102124565B

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN200980132373.1

申请日：2009-08-18

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 刘峻

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明揭示具有多个存储器单元的存储器装置，其中每一存储器单元包含具有其横向收缩的部分的相变材料。邻近存储器单元的所述横向收缩的部分垂直地偏移且定位于所述存储器装置的相对侧上。还揭示具有多个存储器单元的存储器装置，其中每一存储器单元包含具有不同宽度的第一及第二电极。邻近存储器单元具有在所述存储器装置的垂直相对侧上偏移的第一及第二电极。还揭示形成所述存储器装置的方法。

公开(公告)号：CN103069603A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201180039400.8

申请日：2011-07-11

Applicant: 国际商业机器公司 ,  旺宏电子股份有限公司

Inventor： M·J·布赖特韦什 ,  C·H·拉姆 ,  H-L·隆 ,  E·A·约瑟夫

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683 ,  H01L45/1691

Abstract: 本发明的一个实例实施例示出了一种制造相变存储器单元的方法。所述方法包括在绝缘衬底内形成非亚光刻过孔。所述绝缘衬底嵌在与半导体晶片的第一金属化层（金属1）相同的层上，并包括底部和侧壁。亚光刻孔穿过所述非亚光刻过孔的所述底部形成并延伸至掩埋导电材料。用导电非相变材料填充所述亚光刻孔。此外，在所述非亚光刻过孔内沉积相变材料。

公开(公告)号：CN101533849B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN200910127436.6

申请日：2009-03-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳庚昶 ,  吴在熙 ,  朴正勋 ,  金亨俊 ,  林东源

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144

Abstract: 提供了一种可以高集成度集成的电阻式存储器器件及其形成方法。在实施例中，使用大马士革技术由铜形成位线，并且在形成铜位线时，可以在铜位线周围形成铜接线柱。

公开(公告)号：CN102779827A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201110246891.5

申请日：2011-08-26

Applicant: 旺宏电子股份有限公司

Inventor： 龙翔澜

IPC: H01L27/24 ,  G11C13/00

CPC classification number: H01L27/2481 ,  G11C13/0004 ,  G11C17/16 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148

Abstract: 本发明公开了一种基于没有隔离装置的存储单元的集成电路存储器。该存储单元被动地耦接至位线及字线。该存储单元包含串连的一反熔丝元件及一相变材料元件。穿过反熔丝层的一破裂细丝针对该相变元件作为一电极。控制电路是配置以施加偏压配置以用于该存储单元的操作，该偏压配置包含一第一写入偏压，配置以诱发相变材料中较高电阻相的一本体，以为所选择存储单元建立低于一读取门限的第一门限，该偏压配置还包含一第二写入偏压配置，配置以诱发相变材料中较高电阻相的较大本体，以为所选择存储单元建立高于该读取门限一第二门限，该偏压配置更包含一读取偏压配置，以施加该读取门限至该所选择存储单元。

公开(公告)号：CN101333421B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN200810085569.7

申请日：2008-03-19

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 李泰永 ,  李仁庆 ,  崔炳镐 ,  朴容淳

IPC: H01L21/304 ,  C09G1/18 ,  B24B29/00

CPC classification number: C09G1/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明提供了一种用于对相变存储设备进行化学机械抛光的浆料组合物，该浆料组合物含有去离子水、和铁或铁化合物。该浆料组合物可以实现对相变存储设备的高抛光速率，并提高在相变存储材料和抛光阻挡层(如氧化硅膜)间的抛光选择性，能够使加工瑕疵(如凹陷和侵蚀)的出现最小化，而且能够降低相变存储材料的蚀刻速率，从而提供高质量的抛光表面。本发明还提供了一种使用该浆料组合物对相变存储设备进行抛光的方法。