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公开(公告)号：CN101192613A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200710182351.9
申请日：2007-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L23/522 , H01L21/8247 , H01L21/768
CPC classification number: H01L29/7885 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L27/115 , H01L29/42328 , H01L29/42332 , H01L29/42336 , H01L29/42344 , H01L29/42352 , H01L29/7887 , H01L29/792 , H01L29/7923
Abstract: 本发明提供了非易失性存储器装置的示例实施例及其制造方法。该非易失性存储器装置可包括：控制栅极，布置在半导体基底上；栅极绝缘层，置于半导体基底和控制栅极之间；存储节点层，置于栅极绝缘层和控制栅极之间；阻挡绝缘层，置于存储节点层和控制栅极之间；第一掺杂剂掺杂区，沿着控制栅极的第一边；第二掺杂剂掺杂区，沿着控制栅极的第二边。第一掺杂剂掺杂区可以与第二掺杂剂掺杂区交替地形成。以不同的形式表述为，第二掺杂剂掺杂区中的每个可布置在控制栅极的第二边上的与第一掺杂剂掺杂区中的一个相邻的区域中。
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公开(公告)号：CN101114520A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200610172133.2
申请日：2006-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/04 , G11C16/10 , G11C16/26 , H01L27/115
CPC classification number: G11C16/0433 , G11C16/0491 , G11C16/10 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L27/11568
Abstract: 提供了一种能够同时克服NAND型闪存器件和NOR型闪存器件的缺点的非易失性存储器件。该非易失性存储器件包括与一个串连接并与该串相交第一和第二位线。第一和第二存储晶体管被包括在第一和第二位线之间的串中并分别包括控制栅极和存储节点。第一旁路晶体管被包括在第一位线和第一存储晶体管之间的串中并包括第一旁路栅极。第二旁路晶体管被包括在第二存储晶体管和第二位线之间的串中并包括第二旁路栅极。第三旁路晶体管被包括在第一和第二存储晶体管之间的串中并包括第三旁路栅极。第三位线被连接到第三旁路晶体管的沟道上。以及，字线被共同连接到第一和第二存储晶体管中每一个的控制栅极上。
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公开(公告)号：CN101013694A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200610128596.9
申请日：2006-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/00 , H01L27/04 , H01L21/82 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/11507
Abstract: 本发明提供一种具有三维结构的铁电电容器、具有该铁电电容器的非易失性存储器件及其制造方法。该铁电电容器包括：沟槽型下电极；绝缘中间层，形成在该下电极周围，例如为SiO2层；扩散阻挡层，形成在该绝缘中间层上；铁电层(PZT层)，形成在该下电极和该扩散阻挡层上；以及上电极，形成在该铁电层上。
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公开(公告)号：CN1738052A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510089744.6
申请日：2005-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L27/105 , H01L21/8242 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/65
Abstract: 本发明公开了一种铁电电容器，该铁电电容器包括第一电极，所述第一电极包括含有元素周期表中的第一金属元素和第二金属元素的合金，所述第一金属元素选自Ir和Ru构成的组。在所述第一电极上设置铁电层，其中所述铁电层包括含有所述第二元素的铁电材料。在所述铁电层上设置第二电极。可以将所述铁电电容器设置为铁电存储器的存储单元的一部分。
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