公开(公告)号：CN103576974B

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201310047283.0

申请日：2013-02-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安承彦 ,  宋利宪

IPC: G06F3/041

CPC classification number: G06F3/044 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/0416

Abstract: 一种根据第一电极和第二电极之间的电压差来驱动液晶的触摸板，所述触摸板包括：显示单元，所述显示单元响应于显示栅极线的激活而生成与将要显示的图像数据相对应的图像电压，并且将所述图像电压施加到第一电极；以及感测单元，所述感测单元响应于传感器栅极线的激活从第二电极的电压变化中感测是否通过在触摸板上的物理触摸而生成了手指电容。

公开(公告)号：CN103311358B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201210557016.3

申请日：2012-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  宋利宪 ,  安承彦

IPC: H01L31/113 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  G06F3/042

CPC classification number: H01L31/1136 ,  G01J1/42 ,  G01J2001/4473 ,  G06F3/0421 ,  G06F2203/04103 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明提供了感光晶体管、使用感光晶体管的显示面板、及感光晶体管的制造方法。感光晶体管包括：栅极层；栅绝缘层，在栅极层上；沟道层，在栅绝缘层上；蚀刻停止层，在沟道层的部分区域上；源极和漏极，在沟道层上并彼此分离开，其中蚀刻停止层插置在源极和漏极之间；以及钝化层，覆盖源极、漏极和蚀刻停止层，其中源极与蚀刻停止层分离开。

公开(公告)号：CN103311358A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201210557016.3

申请日：2012-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  宋利宪 ,  安承彦

IPC: H01L31/113 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  G06F3/042

CPC classification number: H01L31/1136 ,  G01J1/42 ,  G01J2001/4473 ,  G06F3/0421 ,  G06F2203/04103 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明提供了感光晶体管、使用感光晶体管的显示面板、及感光晶体管的制造方法。感光晶体管包括：栅极层；栅绝缘层，在栅极层上；沟道层，在栅绝缘层上；蚀刻停止层，在沟道层的部分区域上；源极和漏极，在沟道层上并彼此分离开，其中蚀刻停止层插置在源极和漏极之间；以及钝化层，覆盖源极、漏极和蚀刻停止层，其中源极与蚀刻停止层分离开。

公开(公告)号：CN103247693A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201310047408.X

申请日：2013-02-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  宋利宪 ,  金昌桢 ,  安承彦

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1333 ,  G06F3/042

CPC classification number: H01L29/45 ,  G02F1/13338 ,  G02F1/1368 ,  G06F3/0421 ,  G06F2203/04103 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管以及使用其的显示面板。该晶体管包括∶栅极；第一钝化层，覆盖栅极；沟道层，设置在第一钝化层上；源极和漏极，设置在第一钝化层上并接触沟道层的两侧；第二钝化层，覆盖沟道层、源极和漏极；第一和第二透明电极层，设置在第二钝化层上并彼此间隔开；第一透明导电通道，穿透第二钝化层并连接源极和第一透明电极层；以及第二透明导电通道，穿透第二钝化层并连接漏极和第二透明电极层。栅极的横截面区域大于沟道层、源极和漏极组合的横截面区域。

公开(公告)号：CN102997993A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210186006.3

申请日：2012-06-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安承彦 ,  宋利宪 ,  田尚勋 ,  金暎 ,  全镕宇 ,  金昌桢

IPC: G01J1/44 ,  G06F3/042 ,  G09G3/32

CPC classification number: H01L27/14609 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/0421 ,  G06F2203/04103

Abstract: 一种光感测装置、驱动光感测装置的方法以及包含光感测装置的光学触摸屏装置，其中，光感测像素中的光传感器晶体管由光敏氧化物半导体晶体管形成。光感测装置包括：光感测像素阵列，具有按照行和列排列的多个光感测像素；以及多条栅极线，按照行方向排列并且分别向光感测像素提供栅极电压，其中，光感测像素的每一个包括用于感测光的光传感器晶体管以及用于输出来自光传感器晶体管的光感测信号的开关晶体管。栅极线被连接到在光感测像素阵列中的每一行中的开关晶体管的栅极，且复位线被连接到在光感测像素阵列中的每一行中的光传感器晶体管的栅极。复位线经由相位反转器被连接到栅极线。因而，当栅极电压被施加于栅极线时，具有与栅极电压反转相位的复位信号可以被施加于复位线。

公开(公告)号：CN102904560A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210201495.5

申请日：2012-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金暎 ,  宋利宪 ,  田尚勋 ,  安承彦

IPC: H03K17/78 ,  H01L27/146 ,  G06F3/042 ,  H04N5/369

CPC classification number: H01L27/14616 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/042 ,  H01L29/7869 ,  H01L31/1136

Abstract: 本发明涉及光感测电路、装置及方法、图像获取装置及光触摸屏装置。在简化的光感测电路、包括光感测电路的光感测装置、驱动光感测装置的方法、以及包括光感测装置的光触摸屏装置和图像获取装置中，光感测电路包括针对每个像素包括沟道层的氧化物半导体晶体管，该沟道层包含氧化物半导体材料。氧化物半导体晶体管作为感测光的光感测器件和输出光感测数据的开关两者来操作。

公开(公告)号：CN101630692A

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200910140008.7

申请日：2009-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金善日 ,  宋利宪 ,  金昌桢 ,  朴宰彻 ,  金尚昱

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L29/267

Abstract: 本发明公开了一种沟道层和一种包括该沟道层的晶体管。所述沟道层可以包括多层结构。形成所述沟道层的层可以具有不同的迁移率和/或载流子密度。所述沟道层可以具有包括可以由不同的氧化物形成的上层和下层的双层结构。所述晶体管的特性可以根据用于形成下层和上层的材料及其厚度而变化。

公开(公告)号：CN101473444A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200780022377.5

申请日：2007-04-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昌桢 ,  宋利宪 ,  姜东勋 ,  朴永洙

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 半导体器件可以包括由以下化学式(1)表示的作为有源层的复合物，化学式1为x(Ga2O3)·y(In2O3)·z(ZnO)，其中约0.75≤x/z≤约3.15且约0.55≤y/z≤约1.70。通过调整与氧化锌(Zn)混合的氧化镓(Ga)和氧化铟(In)的含量并改善光学灵敏度，可以提高显示器的开关性能和驱动晶体管的驱动性能。

公开(公告)号：CN101202314A

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200710307771.5

申请日：2007-12-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜东勋 ,  宋利宪 ,  金昌桢 ,  朴永洙

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/12 ,  H01L29/43 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/22 ,  H01L29/26 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供了一种ZnO型二极管及其形成方法。该ZnO型二极管可包括彼此分开的第一电极和第二电极、以及位于该第一电极和第二电极之间的由MXIn1－XZnO(所述M为第Ⅲ族金属)形成的有源层。该第一电极的功函数可低于该有源层的功函数。该第二电极的功函数可高于该有源层的功函数。

公开(公告)号：CN1433022A

公开(公告)日：2003-07-30

申请号：CN02145701.8

申请日：2002-09-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴祥珍 ,  朴玩濬 ,  金泰完 ,  宋利宪

IPC: G11C11/14

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 本发明公开了一种高密度磁随机存取存储器及其操作方法。该高密度磁存储器包括：形成在衬底上的垂直晶体管；形成在垂直晶体管上的磁存储元件，该磁存储元件使用磁性材料来存储数据；通过磁性存储元件连接晶体管的位线；在位线之上并跨过位线的用于写入的字线；以及形成在用于写入的字线和用于写入的字线之下的其它元件之间的绝缘层。根据该高密度磁存储器，可以制造具有垂直晶体管的高密度磁存储器。