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公开(公告)号：CN110783309B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN201910455124.1
申请日：2019-05-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/535 , H01L23/367 , H01L23/31
Abstract: 提供了一种包括内插件的半导体封装件。半导体封装件包括：封装件基底基板；设置在封装件基底基板上并且包括多个下再分布线图案的下再分布线结构；分别位于多个下再分布线图案的至少一部分上的多个第一连接柱状物；位于下再分布线结构上并且彼此间隔开的至少一个内插件，每个内插件包括多个连接布线图案以及分别位于多个连接布线图案的一部分上的彼此间隔开的多个第二连接柱状物；位于至少一个内插件和多个第一连接柱状物上并且包括分别连接到多个第一连接柱状物和多个第二连接柱状物的多个上再分布线图案的上再分布线结构；以及彼此间隔开地附接到上再分布线结构上的至少两个半导体芯片。
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公开(公告)号：CN110581119B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN201910479544.3
申请日：2019-06-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 可以提供一种半导体封装，包括：封装衬底；半导体芯片，在封装衬底的第一表面上；连接衬底，在封装衬底上，与半导体芯片间隔开并围绕半导体芯片，连接衬底包括穿透连接衬底的多个导电连接结构；多个第一连接元件，在半导体芯片与封装衬底之间，并且将半导体芯片电连接至封装衬底；多个第二连接元件，在连接衬底与封装衬底之间，并且将连接衬底电连接至封装衬底；模具层，包封半导体芯片和连接衬底；以及上部再分布图案，在模具层和半导体芯片上，并且电连接至多个导电连接结构中的相应导电连接结构。
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公开(公告)号：CN109087867B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN201810607736.3
申请日：2018-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/48 , H01L23/498
Abstract: 公开了半导体封装件及其制造方法。制造半导体封装件的方法包括在半导体器件的芯片焊盘上形成覆盖图案。半导体器件包括暴露芯片焊盘的一部分的钝化图案，覆盖图案覆盖芯片焊盘。所述方法还包括在覆盖图案上形成再分布层。形成再分布层的步骤包括：在覆盖图案和钝化图案上形成第一绝缘图案；通过对第一绝缘图案执行曝光工艺和显影工艺来在第一绝缘图案中形成第一开口，其中，所述第一开口暴露覆盖图案的一部分；以及在第一开口中形成再分布图案。
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公开(公告)号：CN110890320B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN201910822609.X
申请日：2019-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 提供了半导体封装件及其制造方法。制造半导体封装件的方法包括：提供半导体芯片；形成再分布基板；以及制造包括设置在所述再分布基板上的所述半导体芯片的封装件。形成所述再分布基板可以包括：在基板上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层中形成有第一开口；在所述第一开口中和所述第一绝缘层上形成一体形成的第一再分布图案；在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层，以覆盖所述第一再分布图案；以及对所述第二绝缘层执行平坦化工艺，以暴露所述第一再分布图案。
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公开(公告)号：CN115692364A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210368101.9
申请日：2022-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/552
Abstract: 提供了一种半导体封装件。半导体封装件包括：第一基板，包括第一凸块下图案、第二凸块下图案和第三凸块下图案；半导体芯片，设置在第一基板上；导电结构，设置在第一基板上；以及第二基板，设置在半导体芯片和导电结构上。第三凸块下图案与第一凸块下图案和第二凸块下图案电隔离。导电结构包括：第一导电结构，耦接到第一凸块下图案；第二导电结构，耦接到第二凸块下图案；以及第三导电结构，耦接到第三凸块下图案并且被设置为与第一导电结构和第二导电结构相邻。第三导电结构设置在第一导电结构与第二导电结构之间，第一凸块下图案比第三凸块下图案宽，并且第二凸块下图案比第三凸块下图案宽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107818965B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN201710733703.9
申请日：2017-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L21/60
Abstract: 可以提供一种半导体封装件和制造再分布图案的方法，所述半导体封装件包括再分布基底和安装在再分布基底上的半导体芯片，半导体芯片在其一个表面上具有导电焊盘。再分布基底可以包括：第一钝化图案，位于导电焊盘上，第一钝化图案暴露导电焊盘的一部分；再分布图案，覆盖导电焊盘的被第一钝化图案暴露的部分，并围绕第一钝化图案。
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公开(公告)号：CN115206926A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210349940.6
申请日：2022-04-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498
Abstract: 公开了半导体封装件。半导体封装件包括：第一再分布基底，包括顺序地堆叠的第一互连层；半导体芯片，安装在第一再分布基底上；模制层，设置在第一再分布基底上并围绕半导体芯片；第二再分布基底，设置在模制层上并且包括顺序地堆叠的第二互连层；连接端子，设置在半导体芯片旁边以将第一再分布基底和第二再分布基底彼此连接；以及外部端子，设置在第一再分布基底的底表面上。第一互连层和第二互连层中的每个可以包括绝缘层和绝缘层中的布线图案。第一再分布基底可以具有与第二再分布基底的厚度基本相同的厚度，并且第一互连层可以比第二互连层薄。
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公开(公告)号：CN112151461A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010272728.5
申请日：2020-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L21/56 , H01L25/065 , H01L23/488 , H01L23/485 , H01L21/60
Abstract: 公开了一种半导体封装包括：重新分布结构，包括重新分布绝缘层和重新分布图案；第一半导体芯片，设置在重新分布绝缘层的第一表面上并电连接到重新分布图案；以及下电极焊盘，设置在重新分布绝缘层的与第一表面相对的第二表面上，下电极焊盘包括嵌入在重新分布绝缘层中的第一部分和从重新分布绝缘层的第二表面突出的第二部分，其中，下电极焊盘的第一部分的厚度大于下电极焊盘的第二部分的厚度。
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公开(公告)号：CN111584455A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201911105300.5
申请日：2019-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李锡贤
IPC: H01L23/498 , H01L23/64 , H01L21/48
Abstract: 公开了一种再分布基板，包括：第一导电图案，包括第一下焊盘和第二下焊盘，第一下焊盘和第二下焊盘在第一绝缘层内；第二导电图案，包括第一上焊盘和第二上焊盘，第一上焊盘和第二上焊盘在第一绝缘层上；第一过孔，在第一绝缘层中将第一下焊盘和第一上焊盘彼此连接；第二过孔，在第一绝缘层中将第二下焊盘和第二上焊盘彼此连接；以及电容器，在第一下焊盘和第一过孔之间。
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公开(公告)号：CN110581119A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910479544.3
申请日：2019-06-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 可以提供一种半导体封装，包括：封装衬底；半导体芯片，在封装衬底的第一表面上；连接衬底，在封装衬底上，与半导体芯片间隔开并围绕半导体芯片，连接衬底包括穿透连接衬底的多个导电连接结构；多个第一连接元件，在半导体芯片与封装衬底之间，并且将半导体芯片电连接至封装衬底；多个第二连接元件，在连接衬底与封装衬底之间，并且将连接衬底电连接至封装衬底；模具层，包封半导体芯片和连接衬底；以及上部再分布图案，在模具层和半导体芯片上，并且电连接至多个导电连接结构中的相应导电连接结构。
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