-
公开(公告)号：CN105161395A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510489026.1
申请日：2015-08-11
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01J37/32 , H01J37/244 , H01L21/66
CPC classification number: H01J37/32 , H01J37/244 , H01L22/26
Abstract: 本发明提供了一种等离子刻蚀装置及等离子体刻蚀方法，通过在刻蚀腔室外的排气管道上安装样品采集通道，可以将排放气体部分收集到样品离子化腔，通过样品离子化腔将排放气体中的物质进行质量分离，从而得到待检测物质；待检测物质经加速腔加速进入样品检测设备，通过样品检测设备对待检测物质进行元素种类或元素含量检测，从而判断出刻蚀过程是否达到终点；待检测物质还可以通过样品采集通道的出口排出到排气管道内，进而被排出排气管道；因此，本发明能够在刻蚀面积很小的时候进行高精度的终点检测。
-
公开(公告)号：CN105137711A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510489081.0
申请日：2015-08-11
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明公开了一种金属硬掩模一体化刻蚀中桥接位置的检测方法，通过在金属层的光学临近效应修正、并经过实际刻蚀变化量调整后的金属层刻蚀模拟图形中，导入金属硬掩模一体化刻蚀的相关通孔层的经过光学临近效应修正、并经过实际刻蚀变化量调整后的通孔层刻蚀模拟图形，合并金属层和通孔层的刻蚀模拟图形，可以判断每个相关通孔层和相邻金属层的间距，从而检测整个金属硬掩模一体化刻蚀中是否有桥接风险的位置，以便在掩模板制造前加以修正。
-
公开(公告)号：CN105047590A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510487664.X
申请日：2015-08-11
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67069
Abstract: 本发明公开了一种具有蓝宝石薄片的光谱反射计，蓝宝石薄片的下表面具有预设弧度的凹面，增加其下表面与聚合物的接触面积，使聚合物吸附于蓝宝石薄片的凹面上。本发明通过在蓝宝石薄片的下表面增加一具有预设弧度的凹面，从而使蓝宝石薄片的下表面与聚合物的接触面积更大，使更多的聚合物吸附于蓝宝石薄片的凹面上，减少聚合物掉落在硅片表面的风险，提高了产品良率。
-
公开(公告)号：CN102800569B
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201210335513.9
申请日：2012-09-11
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/033
Abstract: 本发明提供了一种基于硅烷的二氧化硅膜形成方法以及半导体器件制造方法。根据本发明的基于硅烷的二氧化硅膜形成方法包括：第一步骤：将晶圆放入在反应腔中；第二步骤：通过第一管路通入气体SiH4，通入第二管路通入气体N2O；第三步骤：启动射频能量；第四步骤：关闭第一管路中气体SiH4；第五步骤：在关闭第一管路中气体SiH4之后关闭射频能量；其中，在所述第五步骤中在关闭第一管路中气体SiH4之后关闭射频能量的延迟时间为5秒。本发明优化后的基于硅烷的二氧化硅膜形成方法，彻底消除了晶圆边缘特殊图形的团聚物颗粒，有效解决产品中的晶圆边缘特殊图形的团聚物颗粒问题，提高了产品的良率。
-
公开(公告)号：CN103258758B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201310166041.3
申请日：2013-05-07
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明涉及膜厚量测机台中颗粒的监控方法及控片，其中，控片包括第一控片和第二控片，第一控片包括一硅衬底和位于其上的的薄膜；第二控片包括一硅衬底和位于其上的大于的薄膜。通过采用上述的第一控片和第二控片分别对膜厚量测机中的单波长椭偏仪功能模块和宽带光谱功能模块的工艺制程中的环境颗粒状况进行监控，以全面监控膜厚量测机工艺制程的环境颗粒状况。使用本发明的控片和监控方法所进行的对膜厚量测机功能模块的监控，能够较为客观的反应膜厚量测机在该两个功能模块下的环境颗粒状况，并且对该两个功能模块进行监控能够反应整个膜厚量测机的工艺制程环境颗粒状况。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103219254B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201310082001.0
申请日：2013-03-14
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种形成金属垫的方法，通过在具有金属垫图形的版图设计完成后，在该版图的金属垫图形中插入设定图形，并进行逻辑运算，以最终产生带设定图形结构的金属垫，从而能在金属垫受到机械或热应力时，有效避免在导电线与金属垫之间的界面和金属垫与相邻层间的电介质之间的材料界面上产生的分离或开裂现象，大大减少在进行制造工艺过程中产生如凹陷等缺陷，提高了器件的性能，增大了产品的良率。
-
公开(公告)号：CN103111400B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201310062268.3
申请日：2013-02-27
Applicant: 上海华力微电子有限公司
Abstract: 一种光刻化学品循环系统，包括：化学品瓶；第一管路，与所述化学品瓶连通；第一排泡装置、第一压力泵、第一过滤器，以及喷吐装置，顺序设置在所述第一管路上；第二管路，所述第二管路的一端与所述喷吐装置连接，所述第二管路的另一端与介于所述化学品瓶和所述第一排泡装置之间的第一管路连通；喷头腔室、第二排泡装置、第二压力泵，以及第二过滤器，顺序设置在所述第二管路上。本发明光刻化学品循环系统中光刻化学品未长时间接触空气，不会产生结晶微粒，无需设置无效喷吐造成浪费；另一方面，所述第二排泡装置可用于排出第一管路及第二管路中的气泡，整个排泡过程中不会造成光刻化学品浪费，从而降低生产成本。
-
公开(公告)号：CN104867804A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510145288.6
申请日：2015-03-30
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种晶片刻蚀腔室的清洗方法，适用于具有铝衬底的晶片刻蚀工艺，在刻蚀数片晶片之后刻蚀腔室内会产生沉积的铝和铝聚合物，通过利用含有O2、CF4的反应气体对刻蚀腔室进行莲蓬头清洗程式，去除沉积的铝和铝聚合物，来消除露铝腔室环境对晶片刻蚀速率的影响，使刻蚀速率回复到接近标准值，并减少记忆效应，减少晶片之间的差异，提高晶片的可靠性。
-
公开(公告)号：CN103744267B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201310625726.X
申请日：2013-11-28
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供了一种基于规则图形过滤的版图设计光刻工艺友善性检查方法，所述基于规则图形过滤的版图设计光刻工艺友善性检查方法通过在进行光学临近效应修正和工艺偏差图形模拟之前，增加对所述原始目标图形数据进行过滤的步骤，不仅能够缩短版图设计时光刻工艺友善性检查的耗时，减少软件和硬件的使用成本，而且检查结果与现有技术的方法能够实现很好的匹配，从而实现在版图设计中实现工艺热点区域的快速准确查找。
-
公开(公告)号：CN103336406B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201310264798.6
申请日：2013-06-27
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明公开一种去除不利OPC修正的图形预处理方法，包括如下步骤：设定一短斜边尺寸选取标准；对图形片段中存在短斜边的图形进行筛选，选取符合所述短斜边尺寸选取标准的目标图形；将所述目标图形中的短斜边向其所在的目标图形内扩展形成矩形；在所述矩形外扩展形成最小边界框区域，所述最小边界框区域能够覆盖所述目标图形中的短斜边；合并所述目标图形和所述最小边界框区域，以去除所述目标图形中的短斜边。本发明通过扩展短斜边并最终把最小边界框区域和目标图形合并，从而去除不利OPC修正的短斜边图形，去除这些短斜边使之变成正交直角边图形后，OPC修正的结果能更好的符合预期。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
322
records
(took 0.285 seconds)
