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公开(公告)号：CN103116248B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310062544.6
申请日：2013-02-27
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G03F7/16
Abstract: 一种涂布装置，包括：横臂，所述横臂用于所述涂布装置的支撑；光刻胶喷吐装置，所述光刻胶喷吐装置具有活动设置在所述横臂上的活动支架，以及设置在所述活动支架之邻近所述待涂布半导体晶圆一侧并用于所述光刻胶喷吐的第一喷嘴；以及气体喷吹装置，所述气体喷吹装置进一步包括设置在所述待涂布半导体晶圆一侧的第二喷嘴，并活动设置在所述横臂上。本发明所述涂布装置具有气体喷吹装置，并可在光刻胶涂布过程中产生的离心力和气流推力的作用下，使得所述光刻胶沿着所述半导体晶圆的表面稳定、快速的推动液面向所述半导体晶圆的边缘流动，从而实现更易涂布的目的，不仅拓展了光刻胶的应用生命，而且降低生产成本。
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公开(公告)号：CN103116248A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310062544.6
申请日：2013-02-27
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G03F7/16
Abstract: 一种涂布装置，包括：横臂，所述横臂用于所述涂布装置的支撑；光刻胶喷吐装置，所述光刻胶喷吐装置具有活动设置在所述横臂上的活动支架，以及设置在所述活动支架之邻近所述待涂布半导体晶圆一侧并用于所述光刻胶喷吐的第一喷嘴；以及气体喷吹装置，所述气体喷吹装置进一步包括设置在所述待涂布半导体晶圆一侧的第二喷嘴，并活动设置在所述横臂上。本发明所述涂布装置具有气体喷吹装置，并可在光刻胶涂布过程中产生的离心力和气流推力的作用下，使得所述光刻胶沿着所述半导体晶圆的表面稳定、快速的推动液面向所述半导体晶圆的边缘流动，从而实现更易涂布的目的，不仅拓展了光刻胶的应用生命，而且降低生产成本。
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公开(公告)号：CN102541119A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210014982.0
申请日：2012-01-18
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G05D23/22
Abstract: 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种热板温度控制方法。本发明一种热板温度控制方法，通过采用多个可独立控制的加热片构成的热板，及利用可移动的热电偶反馈的温度信息建立热板温度控制系统，从而对晶圆小面积内进行细小温度的控制。
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公开(公告)号：CN106990674B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201710370114.9
申请日：2017-05-23
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G03F7/16
Abstract: 本发明提供了一种光刻胶供应装置，包括通过管道顺次连接的设置有第一气体通道的第一存储装置、设置有第二气体通道的消耗侦测装置、设置有第三气体通道的第二存储装置和泵浦。所述第二气体通道设置有第一阀门，所述第三气体通道设置有第二阀门，所述消耗侦测装置与所述第二存储装置之间还设置有第三阀门。当第一存储装置报空时，第一阀门开启，避免了大气与消耗侦测装置内的光刻胶直接接触而污染光刻胶，并且，光刻胶也不能通过第一气体通道流出污染机台；当光刻胶供应装置前段发生故障无法工作时，第二阀门开启，第三阀门关闭，利用第二存储装置中的光刻胶继续作业，在工作人员排除故障时机台产量不减少。
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公开(公告)号：CN107045268B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201710188876.7
申请日：2017-03-27
Applicant: 上海华力微电子有限公司
Abstract: 本发明提供的减缓晶圆边缘散焦的光刻方法，在光刻机中增加自动聚焦传感器的列数，当光刻机曝光位于晶圆边缘的曝光区域时，使用该曝光区域上方的自动聚焦传感器测量该曝光区域的非扫描向水平值，将测量得到的非扫描向水平值补偿至该曝光区域的边缘平坦度中，这样就使得该曝光区域内有自身的通过自动聚焦传感器测量得到的边缘平坦度，无需像现有技术中借用前一个曝光区域的非扫描向水平值，减少非扫描向水平值与该曝光区域内自动聚焦使用的Z1值的差异，减缓晶圆边缘散焦现象，提高光刻精确度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107121897A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710425257.5
申请日：2017-05-25
Applicant: 上海华力微电子有限公司
CPC classification number: G03F7/30 , H01L21/6715
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种光刻胶管路设计，包括：光刻胶容器，放置于一温度控制室内；光刻胶容器包括一进气口和一出胶口，进气口用于通入气体将光刻胶容器内的光刻胶从出胶口压出；第一管道，依次连接光刻胶容器的出胶口、一预存容器、一过滤器、一近端容器、一泵以及一喷头；第一管道外包裹有第二管道，第二管道用于通入加热介质对第一管道进行加热；上述技术方案的有益效果是：能够在不影响光刻胶的喷涂的同时提高光刻胶的使用有效期。
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公开(公告)号：CN106129042A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610498878.1
申请日：2016-06-30
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L21/027
CPC classification number: H01L23/544 , H01L21/0274
Abstract: 本发明提供了一种调节衬底表面反射率的结构及方法、光刻方法，通过在衬底表面增加交错排列的虚拟图形结构，来调节衬底表面反射率，从而可以避免光刻胶光刻时由于衬底表面反射率不相同而造成的光刻胶形貌出现差异、光刻胶出现倒梯形等问题。
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公开(公告)号：CN105632982A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610164440.X
申请日：2016-03-22
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67259 , H01L21/67098
Abstract: 本发明公开了一种实时监控晶圆烘烤和冷却均匀性的装置及方法，通过在半导体机台的热板和冷板上方设置的光电感应传感单元向热板和冷板表面垂直发射光信号，当晶圆放置正确时，即可接收到从晶圆表面反射的光信号，并转换为电信号输出至控制单元发出正常通知；而当晶圆因放置不正确产生倾斜时，光电感应传感单元将无法接收到从晶圆表面反射的光信号，从而无法向控制单元输出电信号，控制单元可据此发出警报，因此可及时发现晶圆的不正确放置问题，有效解决了晶圆因烘烤及冷却均匀性差而导致成品率低的问题。
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公开(公告)号：CN102540706A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210014965.7
申请日：2012-01-18
Applicant: 上海华力微电子有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种延长光刻胶有效使用时间的方法。本发明一种延长光刻胶有效使用时间的方法，通过设置冷藏装置和在光阻瓶与排泡存储罐之间设置光阻加热装置，不仅能将光刻胶的存储温度保持在10℃以下，从而延长光刻胶的有效时间，而且在光刻胶使用时，经过光阻加热装置使得光刻胶能及时恢复至常温，而不影响其使用，从而能有效的避免光刻胶的浪费，节约了工艺制造成本。
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公开(公告)号：CN107045268A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201710188876.7
申请日：2017-03-27
Applicant: 上海华力微电子有限公司
CPC classification number: G03F7/70466 , G03F9/7026
Abstract: 本发明提供的减缓晶圆边缘散焦的光刻方法，在光刻机中增加自动聚焦传感器的列数，当光刻机曝光位于晶圆边缘的曝光区域时，使用该曝光区域上方的自动聚焦传感器测量该曝光区域的非扫描向水平值，将测量得到的非扫描向水平值补偿至该曝光区域的边缘平坦度中，这样就使得该曝光区域内有自身的通过自动聚焦传感器测量得到的边缘平坦度，无需像现有技术中借用前一个曝光区域的非扫描向水平值，减少非扫描向水平值与该曝光区域内自动聚焦使用的Z1值的差异，减缓晶圆边缘散焦现象，提高光刻精确度。
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