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公开(公告)号：CN108070891B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201611022144.2
申请日：2016-11-16
Applicant: 上海大学 , 镓特半导体科技(上海)有限公司
IPC: C25D9/04 , C23C16/26 , C23C28/04 , H01L23/492 , H01L23/373 , H01L23/42
Abstract: 本发明提供一种石墨烯碳纳米管复合薄膜及其制备方法与应用，所述制备方法包括如下步骤：S1：提供一基底，所述基底整体或至少有一面的材质为石墨烯催化剂；S2：进行电镀，使碳纳米管附着在所述基底表面，且所述碳纳米管未覆盖满所述石墨烯催化剂；S3：采用化学气相法在所述基底具有所述石墨烯催化剂的一面继续生长石墨烯，得到石墨烯碳纳米管复合薄膜。本发明具有工艺简单的特点，无需转移的自生长工艺得到的石墨烯/碳纳米管复合薄膜质量比较好，并且复合薄膜与催化基板有良好的接触与附着。
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公开(公告)号：CN111189897A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201811353835.X
申请日：2018-11-14
Applicant: 上海大学
IPC: G01N27/327 , G01N27/48
Abstract: 本发明涉及电化学领域，尤其涉及一种用于有机磷农药检测的生物传感器及其制备与应用。所述生物传感器，包括工作电极、参比电极和对电极，所述工作电极为依次在基底电极表面修饰银纳米线、石墨烯、二氧化钛/壳聚糖复合材料、壳聚糖膜，而后固定乙酰胆碱酯酶和牛血清白蛋白的混合物所得。具有良好的灵敏度、特异性、重复性及稳定性。
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公开(公告)号：CN106399960B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201610906994.2
申请日：2016-10-18
Applicant: 上海大学 , 镓特半导体科技(上海)有限公司
IPC: C23C14/35 , C23C16/505 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供一种绝缘导热薄膜的制备方法及封装结构，所述方法包括如下步骤：S1：提供一基板，在所述基板上形成金属单质层；所述金属单质为铝或钛；S2：在所述金属单质层上形成相应金属的掺硅化合物层；S3：在所述掺硅化合物层上形成类金刚石绝缘导热薄膜。本发明结合磁控溅射与射频化学气相沉积技术，在基板上沉积与基板结合力良好的类金刚石绝缘导热薄膜，达到高导热、高绝缘性的效果。本发明制备的类金刚石绝缘导热薄膜可以很好的应用于MPS二极管铜或铝合金基板上，作为封装结构中绝缘和导热散热层来使用，且不局限于MPS二极管铜或铝合金基板上使用，还可以应用于其他类型的需要快速散热并需要绝缘的基板上面，具有广泛的工业前景。
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公开(公告)号：CN105304593B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201510793108.5
申请日：2015-11-18
Applicant: 上海大学
IPC: H01L23/373 , H01L23/14
Abstract: 本发明公开了一种用于光电器件的高效散热基板，从其导电层进行散热，依次由导热绝缘层、金属基板和碳基材料涂层层叠组合而成复合散热基板，其中导热绝缘层的另一侧表面与光电器件的导电层紧密结合，碳基材料涂层的另一侧裸露表面则形成复合散热基板的外部散热面，将光电器件工作时产生的热量通过导电层，再依次经由导热绝缘层、金属基板和碳基材料涂层导出，进行散热。本发明通过在高导热金属基板上表面覆一层导热绝缘的陶瓷涂层作为绝缘层，提高了基板的介电常数、抗静电能力及散热能力；金属基板下表面覆一层导热能力良好的碳基材料涂层，其导热系数及热辐射系数高，可进一步提高基板的整体散热性能。
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公开(公告)号：CN104843681B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201510160015.9
申请日：2015-04-07
Applicant: 上海大学
IPC: C01B32/186 , C09K11/65 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种可控尺寸石墨烯量子点的宏量制备方法，包括如下步骤：a.在基片上沉积催化剂金属薄膜；b．刻蚀金属薄膜，制得纳米级图形化金属催化剂；c.将基片置于化学气相沉积反应室内，高温下通入碳源及还原气体，制得位于纳米金属催化剂上的石墨烯量子点；d.还原性气氛中冷却至室温，取出基片置于纳米金属刻蚀液中，获得悬浮于溶液中的量子点。本发明使用CVD法制备石墨烯量子点，实现了量子点的宏量制备；采用刻蚀工艺获得纳米级图形化金属作为催化剂，通过控制催化剂的尺寸实现石墨烯量子点尺寸的精确可控，提高了产率，降低了成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106847765A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710018326.0
申请日：2017-01-11
Applicant: 上海大学 , 镓特半导体科技(上海)有限公司
IPC: H01L23/367
CPC classification number: H01L23/367
Abstract: 本发明公开了一种带有微结构的散热基板，散热基板上端设置有多个凹槽，凹槽的槽壁与凹槽顶端设置有多个凸起的微结构；本发明通过在散热基板上设置多个凹槽，并且在凹槽上设置多个凸起的微结构，增大散热基板与导热胶之间的接触面积，使热量流通快，提高电子器件的散热效率，电子器件使用性能优异，且延长了电子器件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN106399960A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610906994.2
申请日：2016-10-18
Applicant: 上海大学 , 镓特半导体科技(上海)有限公司
IPC: C23C14/35 , C23C16/505 , H01L23/367
CPC classification number: C23C14/35 , C23C16/505 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供一种绝缘导热薄膜的制备方法及封装结构，所述方法包括如下步骤：S1：提供一基板，在所述基板上形成金属单质层；所述金属单质为铝或钛；S2：在所述金属单质层上形成相应金属的掺硅化合物层；S3：在所述掺硅化合物层上形成类金刚石绝缘导热薄膜。本发明结合磁控溅射与射频化学气相沉积技术，在基板上沉积与基板结合力良好的类金刚石绝缘导热薄膜，达到高导热、高绝缘性的效果。本发明制备的类金刚石绝缘导热薄膜可以很好的应用于MPS二极管铜或铝合金基板上，作为封装结构中绝缘和导热散热层来使用，且不局限于MPS二极管铜或铝合金基板上使用，还可以应用于其他类型的需要快速散热并需要绝缘的基板上面，具有广泛的工业前景。
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公开(公告)号：CN106206982A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610652980.2
申请日：2016-08-11
Applicant: 上海大学
CPC classification number: H01L51/0097 , H01L51/5253 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种提高柔性基底水氧阻隔性能的结构及其制备方法，其结构为采用基于石墨烯的水氧阻隔薄膜与聚合物基板构成柔性基底；将所述柔性基底，位于电极/N型半导体层/有源层/P型半导体层，或电极/P型半导体层/有源层/N型半导体层之下，组成完整的器件。其制备方法为将石墨烯薄膜或石墨烯复合薄膜转移至聚合物基板，其过程采用鼓泡法，腐蚀基底法，热释放法的任意一种，转移过程为卷对卷转移或小尺寸手工转移。本发明利用双层及以上石墨烯的疏水、防水的特性，提高了柔性聚合物基板的水氧阻隔效果，可以普遍应用于各种结构的光电器件，并进一步提高器件的光电效率。
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公开(公告)号：CN103173740B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201310057759.9
申请日：2013-02-25
Applicant: 上海大学
IPC: C23C16/44 , C23C16/458
Abstract: 本发明公开了一种MOCVD尾气驱动旋转系统，叶片式气动马达驱动石墨大盘同轴转动，马达的气室的进气口和出气口与气动系统管路连通；气动系统管路主要由尾气主管、尾气分流管和尾气辅助分流管组成，气动系统管路主要由尾气主管、尾气分流管和尾气辅助分流管，尾气主管与反应腔的尾气出口连通和马达气室连通，尾气分流管与尾气主管和出气口连通，尾气辅助分流管与马达气室和出气口连通，通过调整气动系统管路阀门开度，控制进入马达的反应腔内部的MOCVD反应尾气流量，通过辅助分流阀门的开度，实现无极调节马达的输出功率和转速，还可通过操纵控制气动系统管路的控制阀实现气马达输出轴的正转和反转，并可瞬时换向，驱动效率高，安全可靠。
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公开(公告)号：CN103996777A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410187487.9
申请日：2014-05-06
Applicant: 上海大学
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开了一种自生长石墨烯电极发光二极管及其制备方法，依次由衬底层、第一半导体层、有源层、第二半导体层、金属插入层和石墨烯电极层结合形成，通过金属插入层作为CVD法制备石墨烯电极的催化剂，实现石墨烯的自生长，使金属插入层和石墨烯电极层的石墨烯材料形成石墨烯复合电极。本发明方法采用石墨烯薄膜与金属插入层形成复合电极，并置于依次由衬底、导体层、有源层和半导体层形成体系之上，组成完整的器件结构。本发明采用金属插入层作为催化剂，实现CVD法石墨烯电极的自生长，借助于金属插入层与半导体及石墨烯间的良好接触特性提高器件的界面特性，并通过金属插入层改善石墨烯与半导体间的电荷注入，优化器件的性能。
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