公开(公告)号：CN101098945B

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN200580025049.1

申请日：2005-08-01

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 滨口滋生 ,  公文创一 ,  赤松佳则 ,  斋藤真规

IPC: C09K3/18 ,  C09D183/04 ,  C09D5/00 ,  B05D5/00 ,  B05D7/24 ,  C08L83/04 ,  C08K5/5419 ,  C03C17/30 ,  C03C23/00

CPC classification number: C03C17/3405 ,  C03C17/30 ,  C03C2217/76 ,  C03C2218/32 ,  C03C2218/33 ,  C08G77/24 ,  C08K5/5406 ,  C09D5/00 ,  C09D183/04 ,  C09D183/08 ,  C09D183/14 ,  C09K3/18

Abstract: 本发明是关于用于得到滑水性被膜的处理剂，该处理剂是混合在至少一个末端具有2个或3个可水解的官能基且二甲基硅氧烷单元(Si(CH3)2O)数是30～400的直链状聚二甲基硅氧烷，具有可水解的官能基且氟碳单元(CF2或者CF3)数是6～12的氟烷基硅烷，以及含有有机溶剂、酸和水的溶液而构成的。该处理剂相对处理剂的总量，按重量浓度，混合0.2～3.0重量％上述直链状聚二甲基硅氧烷、0.2～2.0重量％上述氟烷基硅烷、而且0.5～3.5重量％上述直链状聚二甲基硅氧烷和上述氟烷基硅烷的总量。

公开(公告)号：CN102971836A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201180032637.3

申请日：2011-06-23

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 斋藤真规 ,  斋尾崇 ,  荒田忍 ,  公文创一 ,  七井秀寿

IPC: H01L21/304

CPC classification number: B08B3/04 ,  C07F7/10 ,  C07F7/12 ,  C07F7/1804

Abstract: [课题]本发明涉及在半导体器件制造中防止凹凸图案（2）的至少凹部表面含有含硅元素物质的晶片（1）或者该凹凸图案（2）的至少凹部表面的一部分含有选自由钛、氮化钛、钨、铝、铜、锡、氮化钽和钌组成的组中的至少1种物质的晶片（1)的图案倾塌同时对晶片进行清洗的方法，提供了能够进行有效清洗的拒水性保护膜形成剂和含该形成剂的拒水性保护膜形成用化学溶液以及使用了该化学溶液的晶片的清洗方法。[解决方法]用于在上述晶片的清洗中在前述晶片的至少凹部表面形成拒水性保护膜的拒水性保护膜形成剂，前述形成剂是下述通式[1]所示的硅化合物。R1aSiX4-a[1]

公开(公告)号：CN102934207A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201180028305.8

申请日：2011-06-03

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 公文创一 ,  斋尾崇 ,  荒田忍 ,  斋藤真规 ,  两川敦 ,  山田周平 ,  七井秀寿 ,  赤松佳则

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/306 ,  G03F7/40

Abstract: 公开了一种用于在清洗表面具有微细凹凸图案（2）且该凹凸图案（2）的至少一部分含有硅元素的晶片（1）时在该凹凸图案（2）的至少凹部表面形成拒水性保护膜（10）的化学溶液。该化学溶液包含通式：R1aSi(H)bX4-a-b所示的硅化合物A和酸A，该酸A选自由三氟乙酸三甲基硅酯、三氟甲磺酸三甲基硅酯、三氟乙酸二甲基硅酯、三氟甲磺酸二甲基硅酯、三氟乙酸丁基二甲基硅酯、三氟甲磺酸丁基二甲基硅酯、三氟乙酸己基二甲基硅酯、三氟甲磺酸己基二甲基硅酯、三氟乙酸辛基二甲基硅酯、三氟甲磺酸辛基二甲基硅酯、三氟乙酸癸基二甲基硅酯和三氟甲磺酸癸基二甲基硅酯组成的组中的至少1种。

公开(公告)号：CN101309759B

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN200680042759.X

申请日：2006-09-21

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 斋藤真规 ,  滨口滋生 ,  赤松佳则 ,  公文创一

IPC: B05D1/36 ,  C09D5/33 ,  C09D7/12 ,  C09D183/04

CPC classification number: C09D5/32 ,  C03C17/008 ,  C03C17/009 ,  C03C17/30 ,  C03C2217/445 ,  C03C2217/452 ,  C03C2217/475 ,  C03C2217/476 ,  C03C2217/485 ,  C03C2218/113 ,  C08K3/22 ,  C09D1/00 ,  C09D7/20 ,  C09D7/47 ,  C09D7/61 ,  C09D183/04

Abstract: 本发明提供了形成有热射线屏蔽膜的基体部件的制备方法，包括如下步骤：混合通过使用初始原料三烷氧基硅烷或三烷氧基硅烷和四烷氧基硅烷形成的溶胶溶液与其中分散有锡掺杂氧化铟超细颗粒的溶液以制备处理剂的步骤；及将所述处理剂施用到基体部件上的步骤。在该制备方法中，处理剂具有沸点100-200℃的有机溶剂作为分散介质，通过将保持处理剂的部件与基体部件接触的方式或通过喷涂处理剂的方式进行施用，从而将要形成的膜的雾度值调整到0.5％或更低。

公开(公告)号：CN101309759A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200680042759.X

申请日：2006-09-21

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 斋藤真规 ,  滨口滋生 ,  赤松佳则 ,  公文创一

IPC: B05D1/36 ,  C09D5/33 ,  C09D7/12 ,  C09D183/04

CPC classification number: C09D5/32 ,  C03C17/008 ,  C03C17/009 ,  C03C17/30 ,  C03C2217/445 ,  C03C2217/452 ,  C03C2217/475 ,  C03C2217/476 ,  C03C2217/485 ,  C03C2218/113 ,  C08K3/22 ,  C09D1/00 ,  C09D7/20 ,  C09D7/47 ,  C09D7/61 ,  C09D183/04

Abstract: 本发明提供了形成有热射线屏蔽膜的基体部件的制备方法，包括如下步骤：混合通过使用初始原料三烷氧基硅烷或三烷氧基硅烷和四烷氧基硅烷形成的溶胶溶液与其中分散有锡掺杂氧化铟超细颗粒的溶液以制备处理剂的步骤；及将所述处理剂施用到基体部件上的步骤。在该制备方法中，处理剂具有沸点100－200℃的有机溶剂作为分散介质，通过将保持处理剂的部件与基体部件接触的方式或通过喷涂处理剂的方式进行施用，从而将要形成的膜的雾度值调整到0.5％或更低。