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    固态摄像装置
    31.
    发明公开
    固态摄像装置 失效

    公开(公告)号：CN105304658A

    公开(公告)日：2016-02-03

    申请号：CN201510340641.6

    申请日：2015-06-18

    Applicant: 佳能株式会社

    Inventor： 坪井宏政 ,  篠原真人

    IPC: H01L27/146

    CPC classification number: H01L27/14679 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14616 ,  H01L27/1463

    Abstract: 本发明公开一种固态摄像装置。固态摄像装置包括：多个像素，所述多个像素中的每个像素包括根据入射光而生成电荷的光电转换部以及输出与由所述光电转换部生成的所述电荷对应的图像信号的结型场效应晶体管。所述固态摄像装置包括使用绝缘体的第一元件分离区域和使用pn结的第二元件分离区域，所述第一元件分离区域和所述第二元件分离区域被配置在配置有所述多个像素的区域中。

    固态图像传感器、制造固态图像传感器的方法和照相机
    32.
    发明授权
    固态图像传感器、制造固态图像传感器的方法和照相机 失效

    公开(公告)号：CN102544036B

    公开(公告)日：2016-01-13

    申请号：CN201110410224.6

    申请日：2011-12-12

    Applicant: 佳能株式会社

    Inventor： 篠原真人

    IPC: H01L27/146

    CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/1461

    Abstract: 本发明涉及固态图像传感器、制造固态图像传感器的方法以及照相机。固态图像传感器包括：第一导电类型的第一半导体区；第二导电类型的第二半导体区，所述第二半导体区被布置为与第一半导体区的底面接触并且用作电荷蓄积区域；第三半导体区，所述第三半导体区包括由第二半导体区包围的侧面；与第二半导体区分隔地布置的第二导电类型的第四半导体区；以及传递栅极，所述传递栅极用于形成用于将第二半导体区中蓄积的电荷传递到第四半导体区的沟道。第三半导体区是第一导电类型的半导体区和杂质浓度比第二半导体区中的杂质浓度低的第二导电类型的半导体区中的一个。

    成像装置、成像系统和成像装置的制造方法
    33.
    发明公开
    成像装置、成像系统和成像装置的制造方法 失效

    公开(公告)号：CN104752450A

    公开(公告)日：2015-07-01

    申请号：CN201410823142.8

    申请日：2014-12-25

    Applicant: 佳能株式会社

    Inventor： 篠原真人 ,  熊野秀臣

    IPC: H01L27/146 ,  H01L29/808 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

    CPC classification number: H01L27/14679 ,  H01L27/14689

    Abstract: 本公开涉及成像装置、成像系统和成像装置的制造方法。衬底中的结型场效应晶体管(JFET)包括第一导电类型的沟道区域和源极区域以及第二导电类型的第一至第四栅极区域。第一和第二栅极区域被设置在沿着衬底的表面的方向上。第三和第四栅极区域被设置在该方向上。第一和第三栅极区域被设置在深度方向上。第一栅极区域被设置在所述表面与第三栅极区域之间。第二和第四栅极区域被设置在深度方向上。第二栅极区域被设置在所述表面与第四栅极区域之间。沟道区域包括被设置在第一和第三栅极区域之间的第一区域和被设置在第二和第四栅极区域之间的第二区域。源极区域被设置在第一和第二栅极区域之间。

    成像装置、成像系统和成像装置的制造方法
    34.
    发明公开
    成像装置、成像系统和成像装置的制造方法 失效

    公开(公告)号：CN104752449A

    公开(公告)日：2015-07-01

    申请号：CN201410820003.X

    申请日：2014-12-25

    Applicant: 佳能株式会社

    Inventor： 篠原真人

    IPC: H01L27/146

    CPC classification number: H01L27/14679 ,  H01L27/14689

    Abstract: 本发明涉及成像装置、成像系统和成像装置的制造方法。一个实施例提供了成像装置，其包括光电转换单元以及被配置为基于由光电转换单元生成的载流子来输出信号的结型场效应晶体管。结型场效应晶体管包括形成沟道的第一导电类型的半导体区域和第二导电类型的栅极区域。第一导电类型的半导体区域包括第一区域和第二区域。第一区域和第二区域朝着沟道中的载流子漂移的方向按此顺序设置。第二区域的杂质密度低于第一区域的杂质密度。

    固态图像拾取装置和照相机
    36.
    发明授权
    固态图像拾取装置和照相机 失效

    公开(公告)号：CN101809745B

    公开(公告)日：2012-04-04

    申请号：CN200980100501.4

    申请日：2009-02-26

    Applicant: 佳能株式会社

    Inventor： 篠原真人 ,  岩根正晃 ,  黑田享裕

    IPC: H01L27/146

    CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14641

    Abstract: 本发明提供一种固态图像拾取装置，该固态图像拾取装置包括其中沿水平和垂直方向二维配置分别至少具有光电转换单元和用于放大和输出光电转换单元的信号的放大晶体管的像素的像素区域，其中，沿着水平和垂直方向的像素边界曲折的同时沿垂直方向延伸的电源布线被配置在像素区域中沿水平方向相互邻接的两条像素线中的一条上，并且，电源布线与两条像素线中的每一条上的放大晶体管的源极和漏极中的一个连接。因此，能够提供一条线间隔处的灵敏度的差异小的高灵敏度和高图像质量的放大固态图像拾取装置。

    固态图像拾取装置
    37.
    发明授权
    固态图像拾取装置 失效

    公开(公告)号：CN101534397B

    公开(公告)日：2011-06-29

    申请号：CN200910126500.9

    申请日：2009-03-13

    Applicant: 佳能株式会社

    Inventor： 篠原真人

    IPC: H04N5/374 ,  H01L27/146

    CPC classification number: H04N5/217 ,  H04N5/3577 ,  H04N5/3742 ,  H04N5/378

    Abstract: 本发明涉及一种固态图像拾取装置，所述固态图像拾取装置包括电压供给电路，所述电压供给电路被配置为向为垂直输出线和列信号处理电路设置的负载MOS晶体管供给电压。电压供给电路包括第一放大器电路以及采样和保持电路，所述第一放大器电路被配置为放大从电压发生器供给到所述第一放大器电路的输入部分的预定电压，并将放大的电压输出到电压供给布线，所述采样和保持电路包括设置在电压发生器和输入部分之间的路径上的采样开关，以及被配置为保持由采样开关采样的电压的保持电容器。

    光电转换装置和成像系统
    38.
    发明公开
    光电转换装置和成像系统 失效

    公开(公告)号：CN101510963A

    公开(公告)日：2009-08-19

    申请号：CN200910007437.7

    申请日：2009-02-13

    Applicant: 佳能株式会社

    Inventor： 岩田公一郎 ,  高桥秀和 ,  篠原真人 ,  板野哲也 ,  樱井克仁 ,  加藤智

    IPC: H04N5/335 ,  H04N5/225 ,  H04N101/00

    CPC classification number: H04N5/3598 ,  H04N5/378

    Abstract: 本发明公开一种光电转换装置和成像系统。所述光电转换装置包含：包含具有与信号线连接的源极和与电源连接的漏极的MOS晶体管的削减单元，且所述削减单元将信号线的电位削减到与源极的电位对应的电位；具有第一电极和第二电极的保持电容，第一电极与MOS晶体管的栅极连接，且所述保持电容至少保持在电荷电压转换器已被复位时被传送到信号线的电压；和偏移单元，所述偏移单元沿着使得第二电极的电位接近当电荷电压转换器已被复位时要被传送到信号线的电平的方向，使第二电极的电位偏移。

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