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公开(公告)号：CN104698737B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201510140000.6
申请日：2011-09-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料和制造方法、光掩模、光图案曝光方法和过渡金属/硅基材料膜的设计方法。本发明特别涉及一种光掩模坯料，其具有过渡金属/硅基材料的膜，该过渡金属/硅基材料包含过渡金属、硅、氧和氮，具有至少3原子％的氧含量，并满足式：4×CSi/100‑6×CM/100>1，其中CSi是以原子％计的硅含量和CM是以原子％计的过渡金属含量。
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公开(公告)号：CN105334693B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201510484664.4
申请日：2015-08-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 半色调相移光掩模坯料，包含透明基材和由硅、氮和任选的氧组成的半色调相移膜，并提供相对于波长200nm以下的光150°‑200°的相移。该相移膜包括至少一个满足下式的层：2×O/Si+3×N/Si≥3.5，其中Si为硅含量(原子％)，N为氮含量(原子％)，且O为氧含量(原子％)。该相移膜表现出令人满意的透射率的面内均匀性。
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公开(公告)号：CN107870507A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710900085.2
申请日：2017-09-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/32
CPC classification number: G03F1/32
Abstract: 本发明为半色调相移掩模坯和半色调相移掩模。提供包括透明基板和在其上的半色调相移膜的半色调相移掩模坯。所述半色调相移膜包括至少一个由硅系材料组成并且具有≤1013Ω/□的薄层电阻的层，所述硅系材料具有≤3at％的过渡金属含量，≥90at％的Si+N+O含量，30-70at％的Si含量，30-60at％的N+O含量，以及≤30at％的O含量。半色调相移膜在曝光于200nm以下的辐照时经历最小的图案尺寸变动劣化，并且具有耐化学品性和改进的加工性。
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公开(公告)号：CN107153325A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201710120181.5
申请日：2017-03-02
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F1/22 , G03F1/26 , G03F1/54 , G03F1/58 , G03F1/80 , H01L21/0273 , G03F1/46
Abstract: 提供光掩模坯，其包括透明基板和其上设置的遮光膜。该遮光膜由单层或多层构成，该单层或多层包括遮光层，该遮光层含有Si和N，基于Si和N的合计，具有3‑50at％的N含量，不含过渡金属。
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公开(公告)号：CN106019812A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610195948.6
申请日：2016-03-31
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 在透明基底上通过用含有N和/或O的反应性气体的含Si靶的反应性溅射沉积含有Si以及N和/或O的半色调相移膜。在将所述反应性气体流速设定为等于或低于所述迟滞区中所述反应性气体流速下限时溅射沉积一层，在将所述反应性气体流速设定为所述迟滞区中所述反应性气体流速的下限和上限之内时溅射沉积另一层。该相移膜表现出令人满意的光学性质的面内均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106019809A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610195910.9
申请日：2016-03-31
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 在包括透明基底和其上的半色调相移膜的半色调相移掩模坯中，该半色调相移膜由硅基材料组成，该硅基材料由硅、氮和0-6at％的氧构成，该半色调相移膜具有至少2.4的折射率n、0.4-0.7的消光系数k为和40-67nm的厚度。该半色调相移膜足够薄从而对光掩模图案形成有利，并且具有对化学清洁的耐化学品性，并保持对于相移功能所需的相移和对于半色调功能所需的透射率。
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公开(公告)号：CN102998894B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201210329820.6
申请日：2012-09-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/32
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料、光掩模和制造方法。在包含透明衬底、含有过渡金属和硅的材料的光学膜、以及硬掩模膜的光掩模坯料中，硬掩模膜为多层膜，该多层膜包括含有20-60原子％氧的铬衬底料的第一层和含有至少50原子％铬和小于20原子％氧的铬衬底料的第二层。具有2.0nm至小于10nm厚度的硬掩模膜耐受氟干法蚀刻。
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公开(公告)号：CN105334693A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510484664.4
申请日：2015-08-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 半色调相移光掩模坯料，包含透明基材和由硅、氮和任选的氧组成的半色调相移膜，并提供相对于波长200nm以下的光150°-200°的相移。该相移膜包括至少一个满足下式的层：2×O/Si+3×N/Si≥3.5，其中Si为硅含量(原子％)，N为氮含量(原子％)，且O为氧含量(原子％)。该相移膜表现出令人满意的透射率的面内均匀性。
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公开(公告)号：CN102402117B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201110348752.3
申请日：2011-09-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料和制造方法、光掩模、光图案曝光方法和过渡金属/硅基材料膜的设计方法。本发明特别涉及一种光掩模坯料，其具有过渡金属/硅基材料的膜，该过渡金属/硅基材料包含过渡金属、硅、氧和氮，具有至少3原子％的氧含量，并满足式：4×CSi/100-6×CM/100＞1，其中CSi是以原子％计的硅含量和CM是以原子％计的过渡金属含量。
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公开(公告)号：CN103135362B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201210599017.4
申请日：2012-11-21
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
Abstract: 本发明涉及一种光图案曝光方法，光掩模及光掩模坯料。光图案曝光方法是通过光掩模向抗蚀膜照射ArF准分子激光。光掩模包括透明衬底和包含过渡金属、硅、氮和氧的材料的光学膜的图案，过渡金属、硅、氮和氧的含量在特定范围内。光掩模可被ArF准分子激光以至少10kJ/cm2的累积剂量照射过。
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