公开(公告)号：CN107430328B

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN201680013518.6

申请日：2016-02-15

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 入江重夫 ,  吉井崇 ,  增永惠一 ,  稻月判臣 ,  金子英雄 ,  樱田丰久

IPC: G03F1/38 ,  G03F1/32

Abstract: 本发明为光掩模坯(1)，其具有：透明基板(10)；由通过氯氧系干蚀刻被蚀刻、对于氟系干蚀刻具有耐性的材料构成的第1膜(11)；与第1膜相接地形成的、用包含硅和氧、或者硅和氧和氮、具有Si‑Si键、对于氯氧系干蚀刻而言基本上没有被蚀刻的材料构成的第2膜(12)，光致抗蚀剂的密合性提高，即使由光致抗蚀剂膜形成微细的抗蚀剂图案，抗蚀剂图案也没有发生劣化、倒塌、剥离，稳定地得以维持，在使用了抗蚀剂图案的下层的膜的蚀刻中获得良好的形状和尺寸精度。

公开(公告)号：CN104635415B

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201410638317.8

申请日：2014-11-06

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 稻月判臣 ,  樱田丰久 ,  金子英雄 ,  高坂卓郎 ,  笹本纮平

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/54

Abstract: 本发明提供包含透明基材和半色调相移膜的半色调相移光掩模坯料。相移膜由Si、N或Si、N和O组成，不具有过渡金属。相移膜具有厚度40‑70nm，相对于最大200nm波长的光提供10‑40％的透射率和150‑200°相移，并且耐清洁用化学品。

公开(公告)号：CN107430328A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680013518.6

申请日：2016-02-15

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 入江重夫 ,  吉井崇 ,  增永惠一 ,  稻月判臣 ,  金子英雄 ,  樱田丰久

IPC: G03F1/38 ,  G03F1/32

Abstract: 本发明为光掩模坯(1)，其具有：透明基板(10)；由通过氯氧系干蚀刻被蚀刻、对于氟系干蚀刻具有耐性的材料构成的第1膜(11)；与第1膜相接地形成的、用包含硅和氧、或者硅和氧和氮、具有Si-Si键、对于氯氧系干蚀刻而言基本上没有被蚀刻的材料构成的第2膜(12)，光致抗蚀剂的密合性提高，即使由光致抗蚀剂膜形成微细的抗蚀剂图案，抗蚀剂图案也没有发生劣化、倒塌、剥离，稳定地得以维持，在使用了抗蚀剂图案的下层的膜的蚀刻中获得良好的形状和尺寸精度。

公开(公告)号：CN105334693B

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201510484664.4

申请日：2015-08-04

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 高坂卓郎 ,  稻月判臣 ,  金子英雄 ,  樱田丰久

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/26

Abstract: 半色调相移光掩模坯料，包含透明基材和由硅、氮和任选的氧组成的半色调相移膜，并提供相对于波长200nm以下的光150°‑200°的相移。该相移膜包括至少一个满足下式的层：2×O/Si+3×N/Si≥3.5，其中Si为硅含量(原子％)，N为氮含量(原子％)，且O为氧含量(原子％)。该相移膜表现出令人满意的透射率的面内均匀性。

公开(公告)号：CN105334693A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201510484664.4

申请日：2015-08-04

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 高坂卓郎 ,  稻月判臣 ,  金子英雄 ,  樱田丰久

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/26

CPC classification number: G03F1/32 ,  G03F1/26 ,  G03F1/60

Abstract: 半色调相移光掩模坯料，包含透明基材和由硅、氮和任选的氧组成的半色调相移膜，并提供相对于波长200nm以下的光150°-200°的相移。该相移膜包括至少一个满足下式的层：2×O/Si+3×N/Si≥3.5，其中Si为硅含量(原子％)，N为氮含量(原子％)，且O为氧含量(原子％)。该相移膜表现出令人满意的透射率的面内均匀性。

公开(公告)号：CN104635415A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201410638317.8

申请日：2014-11-06

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 稻月判臣 ,  樱田丰久 ,  金子英雄 ,  高坂卓郎 ,  笹本纮平

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/54

Abstract: 本发明提供包含透明基材和半色调相移膜的半色调相移光掩模坯料。相移膜由Si、N或Si、N和O组成，不具有过渡金属。相移膜具有厚度40-70nm，相对于最大200nm波长的光提供10-40％的透射率和150-200°相移，并且耐清洁用化学品。