公开(公告)号：CN113471192B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202110349601.3

申请日：2021-03-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶昱宏 ,  林文杰 ,  李介文

IPC: H01L27/02

Abstract: 静电放电(ESD)保护电路包括第一二极管、第二二极管和ESD钳位电路。第一二极管在半导体晶圆中，并且耦接到输入输出(IO)焊盘。第二二极管在半导体晶圆中，并且耦接到第一二极管和IO焊盘。ESD钳位电路在半导体晶圆中，并且耦接到第一二极管和第二二极管。ESD钳位电路在半导体晶圆中包括第一信号抽头区域。第一信号抽头区域耦接到第一电压源。第一二极管耦接到ESD钳位电路并被配置为与ESD钳位电路共享第一信号抽头区域。本发明的实施例还提供了一种操作ESD保护电路的方法。

公开(公告)号：CN117913086A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202311112907.2

申请日：2023-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪道一 ,  李介文 ,  陈国基 ,  林文杰

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本申请的实施例提供了集成电路器件及其制造方法。集成电路(IC)器件，包括天线效应保护器件和待保护器件。天线效应保护器件的第一源极/漏极电耦合到被配置为承载参考电压的第一导体。天线效应保护器件的第二源极/漏极通过第二导体电耦合到待保护器件的栅极。天线效应保护器件是无块体器件。

公开(公告)号：CN113363251A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202110552260.X

申请日：2021-05-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪道一 ,  李介文 ,  陈国基 ,  林文杰

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/50

Abstract: 半导体器件包括具有第一侧和第二侧的器件晶圆。第一侧和第二侧彼此相对。半导体器件包括设置在器件晶圆的第一侧上的多个第一互连结构。半导体器件包括设置在器件晶圆的第二侧上的多个第二互连结构。多个第二互连结构包括第一电源轨和第二电源轨。半导体器件包括设置在多个第一互连结构上方的载体晶圆。半导体器件包括形成在载体晶圆的一侧上方的静电放电(ESD)保护电路。ESD保护电路可操作地耦接至第一电源轨和第二电源轨。本发明的实施例还涉及半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：CN107818975A

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201710536427.7

申请日：2017-07-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林文杰 ,  杨涵任 ,  苏郁迪

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明的实施例提供了一种集成电路器件，包括：生长在衬底上的至少两个外延生长的有源区，有源区放置第一栅极器件和第二栅极器件之间。集成电路器件包括位于两个外延生长的有源区之间且位于在第一栅极器件和第二栅极器件之间的至少一个伪栅极，其中每个有源区在长度上是基本均匀的。在具有第一导电类型的第一阱上方形成第一栅极器件和第二器件，并且在具有第二导电类型的第二阱上方形成伪栅极。本发明的实施例还提供了一种用于形成静电放电(ESD)器件的方法。

公开(公告)号：CN222356850U

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202420626709.1

申请日：2024-03-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余昕芫 ,  李明轩 ,  林文杰

IPC: H10D89/60

Abstract: 本公开提供一种半导体装置，包括含有纳米结构装置的第一电路区域及与第一电路区域偏移的第二电路区域。纳米结构装置具设置在多个第一半导体层中的多个纳米结构的垂直堆叠，及包裹环绕垂直堆叠的多个纳米结构的栅极结构。第二电路区域包括电性连接至纳米结构装置的双极性接面装置，及电性连接于双极性接面装置的集极与基极之间的至少一个二极管。至少一布植区域延伸穿过多个第一半导体层与多个第二半导体层，其中多个第二半导体层设置于对应的垂直相邻且成对的多个第一半导体层间。后侧互连结构电性连接至纳米结构装置的源极/漏极区域。