公开(公告)号：CN118367525A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202410241162.8

申请日：2024-03-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪道一 ,  李介文 ,  陈国基 ,  林文杰

IPC: H02H9/04

Abstract: 本揭露提供用于自偏压式静电放电(electro‑static discharge，ESD)电源箝位器的系统及方法。ESD电源箝位器包括耦合至正供应电压节点及接地电压节点的ESD侦测电路。所述ESD侦测电路包括第一节点，第一节点在待机模式期间具有第一电压位准且在ESD模式期间具有第二电压位准。ESD电源箝位器更包括耦合至ESD侦测电路的放电电路，放电电路包括多个放电组件及在待机模式期间具有第三电压位准的自偏压式节点。第三电压位准在放电组件中的至少一者两端提供较第一电压位准小的电压降。放电电路在待机模式期间提供高阻抗路径且在ESD模式期间提供低阻抗路径。

公开(公告)号：CN118315441A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410272414.3

申请日：2024-03-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪道一 ,  林文杰 ,  李介文 ,  陈国基

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L27/02

Abstract: 本申请的实施例提供了半导体二极管结构、静电放电保护电路及其形成方法。二极管结构包括硅剩余层、设置在硅剩余层上的第一p型掺杂区和设置在硅剩余层上的第一n型掺杂区。第一沟道区设置在硅剩余层上并且在第一p型掺杂区和第一n型掺杂区之间，其中第一沟道区、第一p型掺杂区以及第一n型掺杂区沿第一方向设置。

公开(公告)号：CN114709208A

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202210213039.6

申请日：2022-03-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪道一 ,  林文杰 ,  李介文 ,  陈国基

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/118

Abstract: 本文公开一种静电放电(ESD)保护装置及制作所述ESD保护装置的方法。在一些实施例中，ESD保护装置包括：内部电路，在第一晶圆中形成；静电放电(ESD)电路的阵列，在第二晶圆中形成，其中ESD电路包括多个ESD保护器件，所述多个ESD保护器件各自耦合到对应的开关且被配置成保护内部电路不受暂态ESD事件影响；以及开关控制器，位于第二晶圆中，其中开关控制器被配置成基于来自第一晶圆的控制信号控制所述多个ESD保护器件中的每一者被对应的开关激活或去激活，且其中第一晶圆与第二晶圆结合。

公开(公告)号：CN114695344A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202210038268.9

申请日：2022-01-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江子豪 ,  林文傑 ,  李介文

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/06

Abstract: 一种半导体元件及其制造方法与静电放电保护装置，半导体元件包含P掺杂井具有在基材中的第一浓度的P型掺质；P掺杂区具有在基材中的第二浓度的P型掺质，且延伸围绕P掺杂井的周缘；浅沟渠隔离结构(STI)位于P掺杂井与P掺杂区之间；主动区位于基材上，主动区包含射极区及集极区；深沟渠隔离结构(DTI)延伸穿过主动区且位于射极区与集极区之间；以及电性连接位于射极区与P掺杂区之间。

公开(公告)号：CN108122902B

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN201710733120.6

申请日：2017-08-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭柏霖 ,  杨涵任 ,  李介文 ,  竹立炜

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明的实施例涉及一种静电放电(ESD)保护器件，具有连接至第一电节点的源极区、连接至与第一电节点不同的第二电极的第一漏极区，以及位于源极区和第一漏极区之间的扩展漏极区。扩展漏极区包括N个电浮动掺杂区和连接至第二电极的M个栅极区，其中，N和M是大于1的整数并且N等于M。N个电浮动掺杂区的每一个电浮动掺杂区与M个栅极区的每一个栅极区相间布置。本发明的实施例还涉及一种集成电路(IC)。

公开(公告)号：CN109585438A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201711174413.1

申请日：2017-11-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭柏霖 ,  李介文 ,  竹立炜 ,  张伊锋

IPC: H01L27/02

Abstract: 一种具有静电放电保护的集成电路装置包括具有阱的衬底，所述阱具有第一导电类型且形成在所述衬底上。漏极区具有至少一个漏极扩散区及至少一个漏极导电嵌体，所述至少一个漏极扩散区具有第二导电类型且植入在阱中，所述至少一个漏极导电嵌体位于所述阱上。漏极导电嵌体电连接到漏极扩散区及输入/输出接垫。源极区包括多个源极扩散区，所述多个源极扩散区具有第二导电类型且植入在阱中，且所述源极扩散区电连接到电压端子。

公开(公告)号：CN104637993B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201410032858.6

申请日：2014-01-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 宋明相 ,  李介文 ,  张伊锋 ,  林文杰

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/0251 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823493 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0928 ,  H01L29/66477

Abstract: 半导体布置包括阱区和设置在阱区内的第一区域。第一区域包括第一导电类型。半导体布置包括在第一区域的第一侧上设置在阱区之上的第一栅极。第一栅极包括背离阱区的第一顶面。第一顶面具有第一顶面积。半导体布置包括设置在第一栅极之上的第一栅极接触件。第一栅极接触件包括朝向阱区的第一底面。第一底面具有第一底面积。第一底面积覆盖第一顶面积的至少约三分之二。本发明还提供了促进提高热传导性的半导体布置。

公开(公告)号：CN103426915B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201310061476.1

申请日：2013-02-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 池育德 ,  李介文 ,  郭政雄 ,  蔡宗哲 ,  宋明相 ,  宋弘政 ,  王宏烵

IPC: H01L29/36 ,  H01L29/423 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/823814 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823493 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/36 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。示例性半导体器件包括衬底，该衬底包括金属氧化物器件。金属氧化物器件包括设置在衬底中并且在沟道区中界面连接的第一掺杂区和第二掺杂区。第一掺杂区和第二掺杂区掺杂有第一类型掺杂剂。第一掺杂区具有不同于第二掺杂区的掺杂剂浓度。金属氧化物器件还包括横跨沟道区和第一掺杂区和第二掺杂区的界面并且分离源极区和漏极区的栅极结构。源极区形成在第一掺杂区中，并且漏极区形成在第二掺杂区中。源极区和漏极区掺杂有第二类型的掺杂剂。第二类型的掺杂剂与第一类型相反的掺杂剂。本发明还提供了具有自对准互连件的半导体器件。

公开(公告)号：CN103811484A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310042256.4

申请日：2013-02-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡宗哲 ,  张伊锋 ,  李介文

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/66363 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0262 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/73 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7436

Abstract: 一种包括半导体鳍的ESD器件包括半导体衬底以及从半导体衬底的顶面延伸到半导体衬底中的绝缘区。该器件进一步包括：第一节点和第二节点以及连接在第一节点和第二节点之间的静电放电(ESD)器件。ESD器件包括邻近绝缘区的顶面并且在绝缘区的顶面之上的半导体鳍。ESD器件被配置成响应于第一节点上的ESD瞬态，将电流从第一节点传导至第二节点。

公开(公告)号：CN103426915A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310061476.1

申请日：2013-02-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 池育德 ,  李介文 ,  郭政雄 ,  蔡宗哲 ,  宋明相 ,  宋弘政 ,  王宏烵

IPC: H01L29/36 ,  H01L29/423 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/823814 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823493 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/36 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。示例性半导体器件包括衬底，该衬底包括金属氧化物器件。金属氧化物器件包括设置在衬底中并且在沟道区中界面连接的第一掺杂区和第二掺杂区。第一掺杂区和第二掺杂区掺杂有第一类型掺杂剂。第一掺杂区具有不同于第二掺杂区的掺杂剂浓度。金属氧化物器件还包括横跨沟道区和第一掺杂区和第二掺杂区的界面并且分离源极区和漏极区的栅极结构。源极区形成在第一掺杂区中，并且漏极区形成在第二掺杂区中。源极区和漏极区掺杂有第二类型的掺杂剂。第二类型的掺杂剂与第一类型相反的掺杂剂。本发明还提供了具有自对准互连件的半导体器件。